摘 要： 設(shè)計了一種基于零點(diǎn)優(yōu)化的低功耗ΣΔ調(diào)制器，該結(jié)構(gòu)不需要傳統(tǒng)ΣΔ調(diào)制器中的數(shù)字抵消邏輯部分，可以采用低增益的運(yùn)算放大器（OTA），減小了設(shè)計難度。此外，設(shè)計的調(diào)制器中積分器的輸出擺幅大大減小，積分器的非理想特性得到了抑制。通過優(yōu)化零點(diǎn)位置，增加了調(diào)制器的穩(wěn)定性和動態(tài)范圍，信噪比和未進(jìn)行零點(diǎn)優(yōu)化相比得到了大大提高。設(shè)計的調(diào)制器采用0.35 μm CMOS工藝仿真實現(xiàn)，仿真結(jié)果表明，在帶寬為500 kHz、過采樣為16 Mb/s時，信噪比達(dá)到90.9 dB, 功耗僅為3.78 mW。

　　關(guān)鍵詞： 低失真；數(shù)字抵消邏輯；非理想特性；調(diào)制器；信噪比

　　模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）作為模擬電路和數(shù)字電路的接口，其精度和速度對系統(tǒng)的性能起到了決定性作用。隨著通信產(chǎn)品、電腦產(chǎn)品、消費(fèi)類電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展，系統(tǒng)對ADC的要求也與越來越高。

　　在眾多ADC中，ΣΔADC能很好地折衷速度和精度，減少了其中模擬部分的精度，得到了廣泛的應(yīng)用[1]。在一些應(yīng)用中[2]，由于采樣頻率受到了限制，為了達(dá)到高精度，不得不使用高階調(diào)制器。但是單環(huán)高階調(diào)制器具有潛在的不穩(wěn)定性，雖然級聯(lián)結(jié)構(gòu)通過級聯(lián)多級低階達(dá)到了高階穩(wěn)定的效果，得到了廣泛的應(yīng)用。但是級聯(lián)結(jié)構(gòu)需要數(shù)字抵消邏輯模塊，來抵消前級產(chǎn)生的量化噪聲，以實現(xiàn)高階整形效果。因此對數(shù)字和模擬部分的匹配精度要求很高，為了達(dá)到高精度，調(diào)制器必須使用高增益，寬帶寬，寬擺幅，大擺率的運(yùn)算放大器OTA，但這樣會增加系統(tǒng)的功耗和復(fù)雜度。

　　本文設(shè)計了一種基于零點(diǎn)優(yōu)化的低功耗ΣΔ調(diào)制器，該結(jié)構(gòu)對各級量化噪聲高階整形，不再需要傳統(tǒng)ΣΔ調(diào)制器中的數(shù)字邏輯抵消部分，降低了數(shù)字模擬部分的匹配要求。此外，本文設(shè)計的調(diào)制器能減小各級的輸出擺幅，提高了穩(wěn)定性和動態(tài)范圍。通過優(yōu)化零點(diǎn)位置，信噪比和未進(jìn)行零點(diǎn)優(yōu)化的情況相比得到了很大地提高。

1 基于零點(diǎn)優(yōu)化的調(diào)制器

　　本文設(shè)計的基于零點(diǎn)優(yōu)化的ΣΔ調(diào)制器如圖1所示。

　　其傳輸函數(shù)為：

　　從式（1）可以看出，輸出的第一項和第二項與傳統(tǒng)級聯(lián)結(jié)構(gòu)一致，第三項表明E1不止被NTF1整形，還額外乘了(1-STF2)。

　　理論上，如果使得STF2=1,可以抵消第一級的量化噪聲，然而這在實際中難以實現(xiàn)。該結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵在于選擇第二級的信號傳輸函數(shù)，使得1-STF2能對E1進(jìn)行整形。對于本文設(shè)計的調(diào)制器系統(tǒng)：

　　則

　　因此輸出對E1也進(jìn)行4階噪聲整形。從式(3)可以看出，和傳統(tǒng)的級聯(lián)結(jié)構(gòu)相比，第二級的量化噪聲沒有被抵消，而是進(jìn)行了4階整形。優(yōu)點(diǎn)在于該結(jié)構(gòu)不需要傳統(tǒng)的數(shù)字抵消邏輯部分。因此不存在數(shù)字模擬部分失配的問題[3]，OTA的設(shè)計變得更加簡單。缺點(diǎn)在于增加了總的量化噪聲，信噪比減小了3 dB。

2 零點(diǎn)優(yōu)化

　　本文設(shè)計的調(diào)制器中，因為第一級積分器處理的信號不是傳統(tǒng)級聯(lián)結(jié)構(gòu)中的E1,使得調(diào)制器的動態(tài)范圍有所減小。通過調(diào)整K的值，可以使得NTF的零點(diǎn)分布在帶寬內(nèi)偏移直流處，從而進(jìn)行零點(diǎn)優(yōu)化[4]?？梢蕴岣呦到y(tǒng)的動態(tài)范圍和信噪比。

　　在MATLAB/Simulink下通過行為級仿真，發(fā)現(xiàn)在K=0.05時，可以使調(diào)制器達(dá)到最大的動態(tài)范圍，信噪比達(dá)到95.1 dB（如圖2所示），比未經(jīng)過零點(diǎn)優(yōu)化提高近10 dB。此外，由于第一級采用了低失真結(jié)構(gòu)，從圖 3可以發(fā)現(xiàn)除最后一個積分器外，輸出擺幅都不到0.5 V。和傳統(tǒng)的級聯(lián)結(jié)構(gòu)相比，積分器的擺幅大大減小，降低了功耗。

3 調(diào)制器參數(shù)選取及電路設(shè)計

　　采樣電容會產(chǎn)生熱噪聲（又稱為KT/C噪聲），為了減小熱噪聲需要采用較大的采樣電容。運(yùn)算放大器的熱噪聲主要來源于輸入差分對和電流源管的溝道熱噪聲[1]。當(dāng)Cs=2.4 pF時，

　　放大器有限增益以及輸入寄生電容使采樣電容上的差分信號對應(yīng)的電荷不能完全轉(zhuǎn)移到積分電容，引起積分泄露，考慮運(yùn)算放大器的有限增益后，一階積分器傳輸函數(shù)可表示為：

　　其中，u為OTA增益的倒數(shù)，g為所設(shè)計積分器的增益。從(5)可以看出，由于運(yùn)算放大器的增益有限，傳輸函數(shù)的極點(diǎn)發(fā)生偏移。增加了帶內(nèi)噪聲，帶內(nèi)噪聲可表示為關(guān)于u的函數(shù)。對于單環(huán)L階調(diào)制器，加入OTA的有限增益影響后，其帶內(nèi)噪聲可表示為:

　　式(6)中第一部分即為量化噪聲，第二部分所示為運(yùn)算放大器的有限增益引入的噪聲。本文所采用的結(jié)構(gòu)對第一級和第二級的量化誤差均進(jìn)行4階噪聲整形，所以積分器泄露對它的影響很小，這與4階單環(huán)的影響一致，行為級仿真發(fā)現(xiàn)，對于本文設(shè)計的結(jié)構(gòu)，當(dāng)OTA增益大于30 dB時，積分器泄露對調(diào)制器的影響很??；而對于傳統(tǒng)級聯(lián)結(jié)構(gòu)，則需要OTA的增益大于70 dB，才能減小積分器泄露的影響（如圖4所示）。設(shè)計中通常留有一定的裕度，因此本設(shè)計中OTA的直流增益定位為40 dB。

　　ΣΔ調(diào)制器中積分器的建立時間和精度由其中OTA的單位增益帶寬和增益決定，為了保證積分器能在半個周期內(nèi)完全建立，必須在小于半個時鐘周期內(nèi)建立，且精度達(dá)到99.9%，據(jù)此，本文設(shè)計目標(biāo)定為90 MHz。電路設(shè)計中的參數(shù)選取和各參數(shù)對噪聲的影響總結(jié)如表1所示。

　　由于對增益要求不高，為節(jié)省功耗采用單級結(jié)構(gòu)，此外，采用增益增強(qiáng)和電流鏡來增加增益和帶寬，采用AB類輸出增大OTA的擺率。本文設(shè)計的OTA如圖5所示。

　　其增益為：

　　從式(7)可以看出，增益提高了1/(1-k)倍，調(diào)整k的大小，可以改變其增益。和普通的單級放大器相比，A點(diǎn)的阻抗和寄生電容都增大，因而極點(diǎn)位置降低。為了保證足夠的相位裕度，非主極點(diǎn)必須大于3倍GBW，即要求

　　通過式(8)可以得到OTA能達(dá)到的最大增益。由于調(diào)制器自身也需要非交疊時鐘，開關(guān)電容電路不需要消耗額外的靜態(tài)功耗，因此采用開關(guān)電容的共模反饋電路，值得注意的是，共模反饋環(huán)路的GBW必須大于主放大器的GBW。因此要求gm5必須大于gm1[5]。

　　本文折衷了增益和帶寬，選取k=0.8，B=9。仿真結(jié)果顯示OTA的直流增益為42 dB，單位增益帶寬為108 MHz（負(fù)載為3.1 pF），相位裕度為62°，擺率為121 V/μs，均滿足設(shè)計要求。在3.3 V電源供電條件下功耗僅為0.75 mW。

　　在預(yù)放大器前，通過一個開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)輸入信號和第一級兩個積分器輸出之間相加，由于預(yù)放大器一般采用二極管連接的放大結(jié)構(gòu)，輸入管柵漏之間電容（Cgd）的存在，使得上一個周期的求和結(jié)果會影響到下一個周期，求和結(jié)果會出現(xiàn)偏差，需要每個周期對其刷新[7]。本文設(shè)計的求和加法器如圖6所示，Ck1相求和，Ck2相，預(yù)放大器的輸入輸出短接，對Cgd放電，消除Cgd上存儲電荷對求和結(jié)果的影響，實現(xiàn)高精度求和。

　　本文采用的比較器中采用的是一種高速高精度低功耗的動態(tài)比較器[6]。在16 MHz時鐘下，遲滯小于10 mV，建立時間僅為3 ns，滿足行為級仿真要求。

　　為了避免信號相關(guān)性，設(shè)計了一種新的量化反饋方式，如圖7，2.4 pF的采樣電容和8個0.3 pF的單位電容分別處理輸入信號和兩級量化器的反饋信號。

　　由于采用了多位量化，為了抑制ADC的非線性，本文采用了DWA技術(shù)[8]。

4 仿真結(jié)果

　　本文所設(shè)計的調(diào)制器采用0.35μm CMOS工藝實現(xiàn)。標(biāo)準(zhǔn)采樣頻率為16 Mb/s，帶寬為500 kHz。過采樣率為16 Mb/s。采用Cadence進(jìn)行多工藝角驗證，并且在電源電壓在3 V~3.6 V，溫度在-40 ℃~75 ℃時調(diào)制器能正常工作，信噪比和動態(tài)范圍均能保持相近水平。當(dāng)輸入正弦信號頻率為39 kHz，幅度為-3 dBFS時的輸出PSD如圖8所示，結(jié)果表明，設(shè)計的調(diào)制器能達(dá)到90.9 dB的SNDR(14.8 bit的有效精度)。

　　本文設(shè)計了一種基于零點(diǎn)優(yōu)化的低功耗ΣΔ調(diào)制器，該結(jié)構(gòu)不需要傳統(tǒng)ΣΔ調(diào)制器中的數(shù)字抵消邏輯部分，可以采用低增益的運(yùn)算放大器(OTA)，減小了設(shè)計難度。此外，本文設(shè)計的調(diào)制器中積分器的輸出擺幅大大減小，積分器的非理想特性得到了抑制。通過優(yōu)化零點(diǎn)位置，增加了調(diào)制器的穩(wěn)定性和動態(tài)范圍，信噪比和未進(jìn)行零點(diǎn)優(yōu)化的情況相比得到了很大地提高。電路通過0.35 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝仿真驗證，結(jié)果表明，調(diào)制器最高能達(dá)到15 bit的分辨率，功耗為3.78 mW。 結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)非常適合應(yīng)用于寬帶寬、高精度、低壓低功耗環(huán)境。

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