聯(lián)電有意推動28納米制程在廈門廠生產。李建梁攝晶圓代工廠聯(lián)電看好大陸對于28納米制程需求將大爆發(fā)，積極為廈門12吋廠28納米制程投產解套，礙于半導體西進N-1世代技術法令限制，近期聯(lián)電與IC設計業(yè)者展開18納米制程合作，全面為廈門12吋廠挺進28納米制程鋪路。不過，相關消息仍待聯(lián)電對外宣布。

　　全球半導體先進技術進入16/14納米FinFET制程競賽，然28納米制程仍扮演重要角色，由于大陸移動通訊產品需求旺盛，業(yè)者預期28納米制程至少會再熱絡3年，聯(lián)電看準這一波商機，全力為廈門12吋廠生產28納米制程解套。

　　聯(lián)電廈門12吋廠已動土興建，并申請55和40納米制程西進，由于40與28納米PolySiON制程多數(shù)機臺設備都相通，聯(lián)電希望28納米制程能在廈門廠合法生產。根據(jù)既有半導體廠西進設立12吋廠法令規(guī)范，必須是N-1世代技術，因為聯(lián)電并沒有20納米制程技術，聯(lián)電若要在廈門廠生產28納米制程，必須在臺灣量產14納米制程。

　　半導體業(yè)者透露，14納米FinFET制程難度非常高，即便是臺積電和三星電子（Samsung Electronics）在16/14納米制程亦耗費非常久的時間，2015年才陸續(xù)進入量產，聯(lián)電14納米制程雖號稱2015年中進入試產，預計2016年量產，但內部評估需要更長時間，如此恐延誤廈門12吋廠生產28納米時程，聯(lián)電內部遂決定另辟戰(zhàn)場，研發(fā)18納米制程為廈門廠解套。

　　由于不少IC設計業(yè)者認為采用14納米制程生產太貴，有意與聯(lián)電共同打造一個效能、耗電都優(yōu)于28納米，但成本低于14納米的制程世代，聯(lián)電遂決定投入18納米制程，初期僅規(guī)劃1萬片產能。

　　半導體業(yè)者認為，聯(lián)電28納米制程系延續(xù)臺積電T-Like設計，采用Gate-Last制程，其他如GlobalFoundries等都是采用Gate-First制程，很難說服臺積電現(xiàn)有的28納米制程客戶轉單，聯(lián)電想要借由28納米制程在大陸搶市占是可行的策略。

　　不過，業(yè)界傳出聯(lián)電18納米制程采用FinFET設計，技術難度也相當高，聯(lián)電好不容易量產28納米，并投入14納米制程，若要再發(fā)展18納米制程，恐分散內部研發(fā)資源。

　　另外，中芯國際與高通合作28納米制程亦不斷釋出量產消息，但業(yè)者透露，中芯和高通針對28納米合作并沒有以往密切，使得中芯28納米制程進度有些卡關。