《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Infineon以12寸薄晶圓生產(chǎn)車(chē)用功率MOSFET

2015-06-03

  英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布成為全球首家以12寸薄晶圓技術(shù)制造車(chē)用功率MOSFET的廠商。首款 OptiMOS 5 40V 產(chǎn)品系列針對(duì)減碳排放的應(yīng)用進(jìn)行最佳化,由英飛凌位于奧地利菲拉赫(Villach) 的晶圓廠制造。

  英飛凌先進(jìn)的 12寸薄晶圓技術(shù)是提升新一代汽車(chē)功率MOSFET產(chǎn)品效能的關(guān)鍵。薄晶圓技術(shù)能夠?qū)⒐β屎膿p降到最低,更能達(dá)成 MOSFET 的微型設(shè)計(jì),提升高系統(tǒng)效率和功率密度。12寸薄晶圓的厚度僅60μm (0.06mm),讓采用該技術(shù)的 OptiMOS 5功率半導(dǎo)體成為業(yè)界最薄的產(chǎn)品。(注:一張標(biāo)準(zhǔn)書(shū)寫(xiě)紙的厚度約為 110μm,即 0.11mm)

  由于12寸晶圓的直徑比標(biāo)準(zhǔn) 8寸晶圓長(zhǎng) 50%,因此每片12寸晶圓所生產(chǎn)的晶片數(shù)可達(dá)后者的2.5倍。英飛凌 OptiMOS 5 薄晶圓產(chǎn)品組合的首款產(chǎn)品為 40V 版本,采用 S308 封裝 (TSDSON-8),尺寸僅 3.3 x 3.3mm 。

  與前一代 OptiMOS 相較,OptiMOS 5 40V 產(chǎn)品減少了 40% 的導(dǎo)通電阻RDS(on),同時(shí)更大幅降低功率損耗。除此之外,此代產(chǎn)品的優(yōu)值系數(shù) RDS(on)xQg 減少 35%,因此能最佳化切換特性。因此,OptiMOS 5 40V 產(chǎn)品具有高功率密度和能源效率,支援多種汽車(chē) BLDC 和 H 型橋式驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,如電動(dòng)窗、車(chē)門(mén)控制、天窗、燃油幫浦,以及閥門(mén)控制和快速切換 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

  OptiMOS 5 40V 產(chǎn)品采用 S308 封裝 (TSDSON-8),RDS(on) 范圍從 2.8mOhm 到 8.4mOhm 。


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