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Vishay新款快恢復二極管N溝道高壓MOSFET在進一步提高可靠性的同時,更降低了系統(tǒng)損耗

2015-05-22

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復電荷和導通電阻,在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應用中可提高可靠性,并且節(jié)能。

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  今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造,充實了Vishay現(xiàn)有的標準E系列器件,使公司有更多的器件可用于類似移相全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。
  在這些應用里,SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優(yōu)勢,提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿,有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
  21A SiHx21N60EF有四種封裝,47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產(chǎn)設備中的高功率、高頻開關應用里,可實現(xiàn)極低的導通和開關損耗。
  這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖,保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS,無鹵素。
  器件規(guī)格表:

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  新的EF系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將在2015年2季度實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十八周到二十周。
  VISHAY簡介
  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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