日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司的SQJ402EP 100V N溝道功率MOSFET和DG250x系列精密單片四路單刀單擲(SPST)模擬開關榮獲《中國電子商情》雜志的2014年度編輯選擇獎。

《中國電子商情》2014年度編輯選擇獎的獲獎產(chǎn)品是根據(jù)這些產(chǎn)品在中國市場上的銷售業(yè)績和技術創(chuàng)新選出的。Vishay的SQJ402EP和DG250x系列產(chǎn)品在中國市場上取得了顯著成績，分別榮獲“中國汽車電子最具競爭力方案獎”和“中國可穿戴設備最具競爭力方案獎”。

在通過AEC-Q101認證的首批TrenchFET?功率MOSFET中，采用ThunderFET?技術和只有DPAK一半大小的小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L 封裝的Vishay Siliconix SQJ402EP具有最低的導通電阻，能在汽車應用里提高效率，節(jié)省空間。MOSFET的連續(xù)漏極電流達32A，適用于發(fā)動機控制單元的噴射增壓應用和照明控制單元里照明鎮(zhèn)流器的反激式轉(zhuǎn)換器。SQJ402EP的典型總柵極電荷為34nC，導通電阻與柵極電荷乘積的優(yōu)值系數(shù)(FOM)較低，能降低開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。

Vishay Siliconix DG2501、DG2502和DG2503采用超緊湊WCSP 4 x4球形焊點封裝，是業(yè)內(nèi)最小的SPST模擬開關，在可穿戴電子設備和傳感器、便攜式醫(yī)療設備、消費類產(chǎn)品、工業(yè)和通信設備里能夠顯著節(jié)省空間。DG2501、DG2502和DG2503的尺寸為1.4mm x 1.4mm，間距為0.35mm，頂面分層封裝增加堅固性，尺寸比最接近的競爭器件小50%，比采用標準QFN16封轉(zhuǎn)的開關產(chǎn)品小95%。小尺寸和小于0.01μW的典型功耗，使這些器件能有效延長電池壽命。

自2011年起，《中國電子商情》雜志每年都頒發(fā)編輯選擇獎。在2011年，Vishay的VJ系列無磁MLCC榮獲“2011年度中國最具競爭力電容器產(chǎn)品獎”。2012年，Vishay的MKP1848金屬化直流聚丙烯膜電容器和Si7655DN P溝道MOSFET分別榮獲“中國最具競爭力電容器產(chǎn)品獎”和“中國最具競爭力功率器件產(chǎn)品獎”。

《中國電子商情》2014年度編輯選擇獎的獲獎產(chǎn)品公布在雜志的2015年1月刊上。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。