安森美半導(dǎo)體憑借最簡單的便攜產(chǎn)品充電方法榮獲EN-Genius Network 頒發(fā)“年度產(chǎn)品”獎
2008-03-27
作者:安森美半導(dǎo)體
全球領(lǐng)先的高能效電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克" title="納斯達(dá)克">納斯達(dá)克上市代號:ONNN)宣布公司的NUS3116充電和電源開關(guān)解決方案因其最簡單的便攜產(chǎn)品" title="便攜產(chǎn)品">便攜產(chǎn)品充電方法獲得EN-Genius Network頒發(fā)的“年度產(chǎn)品”獎。?
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NUS3116是主開關(guān)功率MOSFET和雙充電雙極結(jié)型晶體管(BJT),將主電池開關(guān)、墻式充電開關(guān)" title="充電開關(guān)">充電開關(guān)和USB充電開關(guān)元件集成到單個元件中,優(yōu)化充電性能,并節(jié)省手持電子設(shè)備電路板上彌足珍貴的空間。?
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EN-Genius Network出版人兼總編輯Paul McGoldrick說:“我們從EN-Genius在2007年評審的數(shù)百款產(chǎn)品中甄選出安森美半導(dǎo)體" title="安森美半導(dǎo)體">安森美半導(dǎo)體的NUS3116,因為這器件為便攜充電應(yīng)用提供了簡單及高性價比的解決方案。”?
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關(guān)于NUS3116?
NUS3116集成了主電源開關(guān)-12 伏(V)、-6.2安培(A) μCool?單P溝道MOSFET ,處理主電池開關(guān)功能,還集成了兩個內(nèi)置低飽和PNP晶體管,處理兩個通道充電元件。主開關(guān)MOSFET具有40毫歐(mW)的最大導(dǎo)通阻抗RDS(ON),將便攜電子產(chǎn)品" title="便攜電子產(chǎn)品">便攜電子產(chǎn)品電池工作期間的功率損耗降到最低。兩個低Vce(sat)晶體管為高達(dá)2 A的充電電流提供良好的熱性能,且在充電結(jié)束時的Vce壓降低于240毫伏(mV)。?
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NUS3116采用DFN-8封裝,僅占用9平方毫米(mm2)的電路板空間,與通常使用三顆TSOP-6封裝、需要互連空間的業(yè)界解決方案相比,節(jié)省了超過20 mm2的板空間。DFN-8封裝的高度僅為0.8 mm,使該器件適用于極小外形的便攜電子產(chǎn)品設(shè)計。采用 NUS3116 集成器件更可降低電路板布線的復(fù)雜性。NUS3116每3,000片的批量單價為0.80美元。?
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關(guān)于EN-Genius Network的“年度產(chǎn)品”獎?
EN-Genius Network于2003年設(shè)立“年度產(chǎn)品”獎。這些獎項嘉許卓越的新推產(chǎn)品,從涵蓋的技術(shù)范圍,到表彰它們強大的技術(shù)優(yōu)勢、創(chuàng)新的設(shè)計和非凡的可銷售性的產(chǎn)品。此獎項總計挑選29種不同產(chǎn)品,類別涵蓋數(shù)據(jù)采集、音/視頻技術(shù)、綠色技術(shù)、綠色電源工程、DSP、無線、連接、網(wǎng)絡(luò)、無源、低功率和大功率等。完整獲獎產(chǎn)品名單及更多信息,請訪問 http://www.en-genius.net/。?
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關(guān)于安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)?
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列,是電源、汽車、通信、計算機(jī)、消費產(chǎn)品、醫(yī)療、工業(yè)、手機(jī)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效電源解決方案供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源、模擬、數(shù)字信號處理器(DSP)、混合信號、先進(jìn)邏輯、時鐘管理和標(biāo)準(zhǔn)元器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。欲查詢公司詳情,請瀏覽安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站:http://www.onsemi.com.cn。?