《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英飛凌推出具備180A額定電流和不足1毫歐通態(tài)電阻的30V車(chē)用 MOSFET

2010-08-05
作者:英飛凌公司
關(guān)鍵詞: MOSFET 電阻 汽車(chē) Infineon

  2010年8月4日,德國(guó)紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為180A,而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0,可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求:以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。
 
  基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車(chē)啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
 
  出于成本和效率原因,整個(gè)行業(yè)都開(kāi)始轉(zhuǎn)向溝槽設(shè)計(jì)。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術(shù)相對(duì)于以往的技術(shù),在通態(tài)電阻和柵電荷方面實(shí)現(xiàn)了大幅改進(jìn)。這使得優(yōu)值系數(shù)(FoM=柵電荷x通態(tài)電阻)達(dá)到業(yè)界最低水平。此外,英飛凌創(chuàng)新的大電流“Powerbond”技術(shù)可解決MOSFET鍵合引線受限問(wèn)題,降低鍵合引線通態(tài)電阻的降幅,并增強(qiáng)電流功能。通過(guò)使鍵合引線更涼能進(jìn)一步提高可靠性。最新的Powerbond技術(shù)可確保一個(gè)MOSFET具備多達(dá)4條500微米鍵合引線,使標(biāo)準(zhǔn)封裝器件具備180A的額定電流。
 
  OptiMOS-T2技術(shù)和結(jié)實(shí)耐用的封裝經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),能夠在MSL1 (1級(jí)潮濕度)條件下,承受回流焊接過(guò)程中的260 °C高溫,并且采用無(wú)鉛電鍍,以符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC-Q101)的規(guī)范要求。英飛凌先進(jìn)的溝槽技術(shù)具備低柵電荷、低電容、低開(kāi)關(guān)損耗和出色的優(yōu)值系數(shù),可使電機(jī)效率達(dá)到新高,同時(shí)最大限度降低EMC輻射。此外,優(yōu)化的柵電荷可確保更小的驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)。
 
  IPB180N03S4L-H0可滿(mǎn)足需要許多并聯(lián)MOSFET的大電流應(yīng)用(超過(guò)500A)的要求。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流,因此,可使大電流系統(tǒng)所需的并聯(lián)MOSFET減少一半,從而優(yōu)化電流共享、熱性能和成本。由于汽車(chē)電機(jī)逐步轉(zhuǎn)向脈寬調(diào)制(PWM)控制以提高效率,因此,OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護(hù)功能。
 
  英飛凌公司標(biāo)準(zhǔn)汽車(chē)功率產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Torsten Blanke博士指出:“英飛凌具備基于OptiMOS-T2溝槽技術(shù)的廣泛汽車(chē)MOSFET產(chǎn)品組合。這些器件都采用結(jié)實(shí)耐用的封裝,具備出類(lèi)拔萃的性能和品質(zhì)。通過(guò)推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件,英飛凌再次在最大電流(采用標(biāo)準(zhǔn)封裝)和最低通態(tài)電阻(采用溝槽技術(shù))方面樹(shù)立了行業(yè)標(biāo)桿。”
 
供貨情況
  具備180A漏極電流和僅0.9mΩ通態(tài)電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。此外,英飛凌還提供另一種型號(hào)的器件——30V/180A (IPB180N03S4L-01)。該器件在10V柵源電壓條件下,具備1.05毫歐的通態(tài)電阻,適用于十分注重成本的應(yīng)用。這兩款高功率MOSFET均采用標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK-7封裝。
 
  如欲了解更多信息,敬請(qǐng)登錄:infineon.com/automotivemosfet/">www.infineon.com/automotivemosfet/。
 
關(guān)于英飛凌
  總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、連通性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。2009財(cái)年(截止到9月份),公司實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售額30.3億歐元,在全球擁有約25,650名雇員。英飛凌科技公司的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國(guó)苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所(股票代碼:IFX)和美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)(OTCQX)International Premier(股票代號(hào):IFNNY)掛牌上市。
 
英飛凌在中國(guó)
  英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。自1996年在無(wú)錫建立第一家企業(yè)以來(lái),英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng),在中國(guó)擁有1300多名員工,已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷(xiāo)售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開(kāi)展了深入的合作。
 

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