“在醫(yī)療電子應(yīng)用中，質(zhì)量和可靠性非常重要。此外，不同的應(yīng)用對閃存的要求都不相同，如引導(dǎo)代碼存儲需要高可靠性、應(yīng)用程序存儲需要高讀寫性能、數(shù)據(jù)日志記錄需要擦寫次數(shù)、海量數(shù)據(jù)存儲需要高密度……”在日前舉辦的第三屆中國國際醫(yī)療電子技術(shù)大會（CMET2010）上，恒憶嵌入式系統(tǒng)事業(yè)部亞洲市場部業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理祁峰為我們帶來了醫(yī)療應(yīng)用市場對閃存的要求以及恒憶存儲器技術(shù)的介紹。

恒憶嵌入式系統(tǒng)事業(yè)部亞洲市場部業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理祁峰在CMET2010上

    祁峰介紹，恒憶利用業(yè)界領(lǐng)先的硅技術(shù)和封裝技術(shù)開發(fā)出了多種獨具特色的存儲器方案，如利用并行NOR閃存加快編程速度、利用SPI NOR閃存提高應(yīng)用靈活性和代碼執(zhí)行速度、利用 Managed NAND可以提高存儲密度；而恒憶推出的新型非易失性存儲器——相變存儲器(PCM)，則是一款集結(jié)了NOR、NAND和RAM最佳特性的存儲器產(chǎn)品，而且單個芯片具備更多性能。不存儲電荷（電子）的特點更是大大增加了PCM的尺寸縮變性，從而使得PCM可以獲取更小的體積、更低的成本。

恒憶推出的下一代存儲器技術(shù)——相變存儲器（PCM）特性分析

    而在醫(yī)療電子中的不同應(yīng)用領(lǐng)域，可以選擇不同的閃存來應(yīng)對應(yīng)用特點，如需要更多擦寫極限的數(shù)據(jù)存儲可以使用NOR閃存、對讀寫性能要求較高的程序存儲可以使用NAND閃存，而對成本不是特別敏感的應(yīng)用中則可以采用更加優(yōu)秀的PCM閃存。祁峰介紹，不管是哪種產(chǎn)品，目前恒憶工業(yè)級的產(chǎn)品基本上可以滿足醫(yī)療設(shè)備對閃存工作環(huán)境和性能上的要求，工程師們可以放心選用。

NOR、NAND、DRAM、PCM之間的技術(shù)比較

    “醫(yī)療電子市場目前雖然并不是很大，但是這一市場的成長十分穩(wěn)健，客戶也會十分穩(wěn)定，恒憶從08年開始關(guān)注這一十分特殊的市場，” 祁峰表示，“我們也看到眾多本土醫(yī)療電子廠商正在成長，這必將帶來對高可靠性和高性能閃存的需求增長，恒憶已經(jīng)準備好抓住這樣的市場機遇。”