電腦系統(tǒng)的效能精進，在近年來遭遇一些問題，例如處理器的時脈撞墻(Clock Wall)問題，即運作時脈難以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7處理器達3.9GHz，至今Intel所有的處理器均未超過3.9GHz。
時脈撞墻逼迫Intel放棄過往慣用的時脈提升加速法，取而代之是以增加處理器的核數(shù)來提升效能，事實上AMD早于2005年即提出雙核構(gòu)想(仿效2000年IBM提出的POWER4)，2006年Intel跟進推出Core Duo，此后x86 CPU的效能提升，即是在時脈與核數(shù)及功耗間求取平衡。
另一個問題是記憶體撞墻(Memory Wall)，事實上這個問題比時脈撞墻問題嚴重，且發(fā)生的時間更早。根據(jù)統(tǒng)計，1986年到2000年間，處理器的效能每年以55%的幅度在成長，但相對的，記憶體僅有每年10%的速度增長。
很明顯的，記憶體逐漸成為整體電腦系統(tǒng)效能中的“瓶頸”，為此Intel多次運用晶片組市占率，引領與逼迫并用地讓電腦記憶體產(chǎn)業(yè)升級，先是自最傳統(tǒng)的FPM RAM升級成EDO RAM，而后升級成SDRAM。
但Intel期望產(chǎn)業(yè)自SDRAM升級成RDRAM時，RDRAM的發(fā)展卻不如預期，且Intel支援RDRAM的i820晶片組發(fā)生瑕疵，迫使Intel放棄RDRAM，回歸大宗主流的SDRAM，而后隨JEDEC組織的制訂進入DDR SDRAM(原有的SDRAM則為區(qū)別，稱為SDR SDRAM)。不僅Intel失敗，相近時間NEC也曾提出VC RAM(Virtual Channel，虛擬通道)，期望改善記憶體的存取效能，但也未能獲得市場認同。
數(shù)年后Intel再次嘗試突破現(xiàn)狀，記取RDRAM技術(shù)變革過大且獨家主導等缺點，2005年Intel提出FB- DIMM(Full Buffered Dual In Line Memory Module)，在不改變原有DRAM產(chǎn)業(yè)的情況下，透過 AMB(Advanced Memory Buffer，先進記憶體緩沖器)晶片來加速傳輸，并將FB-DIMM標準提交，2006年獲得JEDEC組織 認可，以利推行。但到了2011年，Intel、AMD等均放棄使用FB-DIMM，再一次失敗。
從RDRAM到FB-DIMM，已接近十年時間，即記憶體撞墻效應問題一直未明顯紓解，只能采漸進方式維持，如從DDR2 SDRAM升級成DDR3 SDRAM，而后將進入DDR4 SDRAM，但世代之別大體只在運作電壓的降低、制程的精進，其實變化不大。
為了解決問題，2011年Micron提出Hybrid Memory Cube技術(shù)，簡稱HMC。Micron宣稱HMC比DDR3 SDRAM快上15倍，并為此發(fā)起成立Hybrid Memory Cube Consortium組織，與其他業(yè)者共同推行。
HMC主要是運用3D IC的TSV(Through-Silicon Via，矽穿孔)技術(shù)，將4至8個現(xiàn)有主流大宗的DDR3 SDRAM裸晶連 接，并共同封裝，并在封裝內(nèi)由一片邏輯裸晶(Logic Die)擔任記憶體控制器的角色，統(tǒng)籌與多個DDR SDRAM裸晶的存取溝通，以此加速。
雖然2011年提出HMC技術(shù)、2012年發(fā)起HMCC組織，但HMC標準化的技術(shù)規(guī)格至2013年才提出，在歷經(jīng)1.0版、1.1版后，于2014年提出2.0版，2.0版將傳輸率自15Gbps倍增至30Gbps。
許多業(yè)者將改善記憶體撞墻效應的希望寄托在HMC技術(shù)上，不過目前為止的推進仍很緩慢，截至目前為止仍未見有采行HMC記憶體的電腦系統(tǒng)，預計2015年才會登場，即便如期登場，從技術(shù)到系統(tǒng)也歷經(jīng)4年時間。
另外，或許有人對HMC技術(shù)的推展抱持樂觀，因為HMCC組織中，8家關(guān)鍵業(yè)者有3家為記憶體大廠，即Micron、Samsung、 SK Hynix。但是，10多年前的RDRAM，也是獲得Intel、Samsung、Micron等大廠的入資或換股，最終RDRAM并沒有成為新一 代的主流記憶體，因此，對HMC的推行仍難有樂觀的理由。
如果記憶體撞墻效應無法解決，那么無論使用多好的固態(tài)硬碟(SSD)，多好的運算負荷卸載(Offload)網(wǎng)卡，則都有其限，因為硬碟、網(wǎng)路均在記憶體之下，看來產(chǎn)業(yè)只能期許這個延宕多年的問題能早日解決。