文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2014)06-0045-04
Sigma-Delta模/數(shù)轉(zhuǎn)換器包含模擬Sigma-Delta調(diào)制器和數(shù)字抽取濾波器兩部分。數(shù)字部分技術(shù)相對(duì)成熟,且仿真結(jié)果與實(shí)際結(jié)果比較接近。而調(diào)制器部分則由于各種因素的影響,需要大量的行為級(jí)仿真來預(yù)估其性能,因此對(duì)調(diào)制器的行為級(jí)建模十分重要。
帶通Sigma-Delta調(diào)制器常用的行為級(jí)仿真工具是基于Simulink仿真環(huán)境的SD Toolbox[1]工具箱,但是該工具箱中只有兩個(gè)延時(shí)單元的諧振器模型,因此無法對(duì)一個(gè)延時(shí)單元或無延時(shí)單元的諧振器進(jìn)行模擬。而使用DD結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的一個(gè)延時(shí)單元或無延時(shí)單元的諧振器又較為常見[2-4]。因此為對(duì)這一類型的諧振器進(jìn)行行為級(jí)仿真,需要構(gòu)建相應(yīng)的模擬單位延時(shí)器Simulink模型。
本文首先就模擬單位延時(shí)器的非理想因素進(jìn)行了分析,并給出了相應(yīng)的Simulink模型。然后,利用所構(gòu)建的模塊搭建了DD類型的帶通Sigma-Delta調(diào)制器。仿真結(jié)果表明,構(gòu)建的模型較為接近實(shí)際結(jié)果。
1 非理想因素分析及相應(yīng)的Simulink模型
開關(guān)電容模擬單位延時(shí)器電路中的非理想因素包括時(shí)鐘抖動(dòng)、KT/C噪聲以及運(yùn)放參數(shù)(噪聲、有限的直流增益、帶寬、擺率及飽和電壓)等[5]。這些非理想因素可以通過Simulink模塊或Matlab函數(shù)來模擬。
1.1 時(shí)鐘抖動(dòng)
開關(guān)電容電路依賴電路的每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)電荷的完全轉(zhuǎn)移來實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的濾波、積分或延時(shí)等功能。但是即使是理想情況下,開關(guān)電容電路仍存在一種誤差——時(shí)鐘抖動(dòng)誤差。它不依賴于具體的電路功能及結(jié)構(gòu),并且其對(duì)電路的影響可以通過其對(duì)電路的輸入信號(hào)的影響來描述。具體到開關(guān)電容電路實(shí)現(xiàn)的帶通Sigma-Delta調(diào)制器中,采樣時(shí)鐘的抖動(dòng)導(dǎo)致了非均勻采樣,從而增加了總的量化器輸出誤差功率。其幅度與抖動(dòng)的統(tǒng)計(jì)特性及調(diào)制器的輸入信號(hào)有關(guān)。對(duì)于一個(gè)正弦信號(hào)x(t)=Asin(2πfin t),輸入到抖動(dòng)時(shí)間為δ的開關(guān)電容電路中,相應(yīng)的誤差為:
利用Simulink模塊構(gòu)建的時(shí)鐘抖動(dòng)模型如圖1所示,其中抖動(dòng)時(shí)間δ通過高斯隨機(jī)過程來模擬。
1.2 熱噪聲
開關(guān)電容帶通Sigma-Delta調(diào)制器電路重要的噪聲源之一是與采樣開關(guān)及運(yùn)放固有噪聲相關(guān)的熱噪聲[6]。由于后級(jí)運(yùn)放及開關(guān)電容處于負(fù)反饋環(huán)路中,其噪聲會(huì)被調(diào)制器噪聲整形,故影響調(diào)制器噪聲性能的主要因素是輸入級(jí)采樣電容和運(yùn)放。
熱噪聲是由載流子的不規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)引起的白頻譜寬帶信號(hào),其帶寬僅受開關(guān)電容的時(shí)間常數(shù)和運(yùn)放帶寬限制。
1.2.1 采樣電路熱噪聲
在開關(guān)電容電路中,開關(guān)在導(dǎo)通期間可以被看作是一個(gè)電阻,其等效熱噪聲的單邊、類白噪聲的功率譜密度為:
其中k是玻爾茲曼常數(shù),T是絕對(duì)溫度,Ron是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的等效電阻。
在采樣網(wǎng)絡(luò)中,開關(guān)的熱噪聲通過由Ron和Cs構(gòu)成的一階低通濾波器進(jìn)行濾波,其傳遞函數(shù)為:
另外,輸入級(jí)運(yùn)放通常有多個(gè)采樣電容,分別與輸入信號(hào)及反饋信號(hào)相連,它們都會(huì)引入熱噪聲。
1.2.2 運(yùn)放噪聲
運(yùn)放噪聲包括熱噪聲、閃爍噪聲和直流偏移等,但是具體到帶通Sigma-Delta調(diào)制電路中,由于信號(hào)的頻率處于中頻處,故可以忽略閃爍噪聲和直流偏移[7]。就仿真而言,它等效于在調(diào)制器輸入加上一個(gè)干擾信號(hào)。因此構(gòu)建的運(yùn)放噪聲模型如圖3所示。
1.3 模擬延時(shí)器的非理想因素
開關(guān)電容實(shí)現(xiàn)的模擬單位延時(shí)器由于運(yùn)放有限的增益和帶寬、擺率及飽和電壓等非理想因素的影響而與理想特性存在一定的偏差。延時(shí)電路如圖4所示。
1.3.1 運(yùn)放有限增益
由于運(yùn)放的增益有限,導(dǎo)致延時(shí)器泄露。參照?qǐng)D4,根據(jù)電荷守恒,有:
1.3.2 運(yùn)放有限帶寬和擺率
運(yùn)放有限的帶寬和擺率對(duì)單位延時(shí)電路性能的影響是相互關(guān)聯(lián)的,并可看作非線性增益。第n+1個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),開關(guān)電容延時(shí)器中的運(yùn)放輸出節(jié)點(diǎn)[8]有:
考慮以下兩種情況:
(1)由式(12)得到的值比運(yùn)放的擺率SR小。這種情況下,擺率并不會(huì)對(duì)延時(shí)器性能造成影響并且延時(shí)器輸出也滿足式(11)。
(2)由式(12)得到的值比運(yùn)放的擺率SR大。這種情況下,運(yùn)放處在轉(zhuǎn)換狀態(tài),因此v0(t<t0)的瞬時(shí)轉(zhuǎn)換狀態(tài)的第一部分是線性的,其斜率為SR。假設(shè)t0<T,則有:
綜合考慮運(yùn)放的各種非理想因素后構(gòu)建的單位延時(shí)器模型如圖5所示,其中有限增益通過小于1的系數(shù)alfa來模擬,帶寬及擺率使用Matlab函數(shù)來模擬,而飽和電壓利用Simulink中的飽和度模塊來模擬。
2 仿真結(jié)果及比較
應(yīng)用構(gòu)建的Simulink模型搭建DD類型的帶通Sigma-Delta調(diào)制器如圖6所示。參照參考文獻(xiàn)[4]設(shè)定仿真所使用的參數(shù)及調(diào)制器的非理想因素,如表1和表2所示。
仿真結(jié)果如圖7所示。其中信噪比為74.7 dB,有效位為12.12 bit。
將應(yīng)用本文模塊所構(gòu)建的帶通調(diào)制器與SD Toolbox及參考文獻(xiàn)[4]中的實(shí)際開關(guān)電容電路相比較,結(jié)果如圖8所示。結(jié)果表明,使用模擬單位延時(shí)器模型構(gòu)建的帶通Sigma-Delta調(diào)制器與實(shí)際的電路仿真結(jié)果較為接近。
另外,應(yīng)用Simulink中的scope模塊可以觀察每個(gè)運(yùn)放的輸出,進(jìn)而判斷其是否過載,以便及時(shí)修改相應(yīng)的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
本文通過研究開關(guān)電容單位延時(shí)電路,分析了電路中的各種非理想因素,并且利用Simulink模塊及Matlab函數(shù)構(gòu)建了一整套模擬單位延時(shí)器模型用于帶通Sigma-Delta調(diào)制器的行為級(jí)仿真。該模型包括調(diào)制器的大多數(shù)非理想特性:時(shí)鐘抖動(dòng)、KT/C噪聲以及運(yùn)放參數(shù)(噪聲、有限的直流增益、帶寬、擺率及飽和電壓)。利用這一模型可以對(duì)具有一個(gè)延時(shí)單元或無延時(shí)單元的諧振器進(jìn)行模擬,在比較短的仿真時(shí)間內(nèi)預(yù)估對(duì)應(yīng)調(diào)制器的性能,進(jìn)而對(duì)電路參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化以滿足設(shè)計(jì)要求。
參考文獻(xiàn)
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