致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布利用英特爾公司(INTC)業(yè)界領(lǐng)先的onshore代工技術(shù)和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術(shù)，開發(fā)先進(jìn)的高性能數(shù)字集成電路(IC)和系統(tǒng)級芯片(SoC)解決方案。

這項于2013年1月簽署的協(xié)議與美高森美的戰(zhàn)略相一致，將充分利用公司廣泛的高技術(shù)產(chǎn)品爭取更高性能和更高價值的機(jī)會。英特爾的Tri-Gate晶體管提供了空前的性能和功效組合，使得美高森美能夠開發(fā)出用于高性能計算、網(wǎng)絡(luò)加速和信號處理應(yīng)用的數(shù)字IC產(chǎn)品。目前美高森美正在與客戶接洽，并且開始使用英特爾22nm工藝節(jié)點進(jìn)行設(shè)計，預(yù)計將于2014年底到2015年初提供產(chǎn)品。

美高森美集成電路集團(tuán)執(zhí)行副總裁Paul Pickle表示：“我們所瞄準(zhǔn)的高價值應(yīng)用兼?zhèn)洫毺氐男阅芎蛷?fù)雜的功能特性的解決方案，通過使用英特爾的創(chuàng)新工藝技術(shù)和經(jīng)過硅產(chǎn)品驗證的IP，我們能夠為通信和國防市場提供性能較高、功率較低的數(shù)字IC產(chǎn)品，擴(kuò)大在所服務(wù)市場的機(jī)會。”

英特爾技術(shù)和制造集團(tuán)副總裁Sunit Rikhi表示：“英特爾很高興使用先進(jìn)的22nm工藝技術(shù)和IP解決方案，來為美高森美制造數(shù)字IC解決方案。”

關(guān)于英特爾3-D Tri-Gate晶體管

英特爾公司的3-D Tri-Gate晶體管是晶體管的重新發(fā)明，它是使用從硅基底垂直豎起的不可想象之薄的三維硅鰭來替代傳統(tǒng)的“扁平的”二維平面柵極。在硅鰭的三面各有一個柵極——每邊各一個，另一個則橫跨在頂部，從而實現(xiàn)電流的控制，而不是像二維平面晶體那樣只有一個柵極在頂部。當(dāng)晶體管處于“導(dǎo)通”狀態(tài)時，這種附加控制可讓盡可能多的晶體管電流流過(提高性能)，這是由于tri-gate結(jié)構(gòu)具有較低的寄生效應(yīng)，并且在“關(guān)斷”狀態(tài)時電流盡可能接近于零(最大限度減小功耗)，這也使得晶體管能夠在兩個狀態(tài)之間非常快速地開關(guān)(同樣提高了性能)。在速度方面，22nm晶體管在一秒鐘內(nèi)的開關(guān)次數(shù)能夠遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過10億次。

關(guān)于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 為通信、國防與安全、航天與工業(yè)提供綜合性半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻器件，可編程邏輯器件(FPGA)可定制單芯片系統(tǒng)(SoC) 與專用集成電路(ASIC)；功率管理產(chǎn)品、時鐘與語音處理器件，RF解決方案；分立組件；安全技術(shù)和可擴(kuò)展反篡改產(chǎn)品；以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中跨(Midspan)產(chǎn)品；以及定制設(shè)計能力與服務(wù)。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息，請訪問網(wǎng)站：http://www.microsemi.com。