應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的有源擴頻時鐘產生器集成電路(IC)，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴于時鐘的信號在系統(tǒng)范圍內降低EMI。

    P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低時鐘產生器的目標應用為圖形卡、計算及消費等應用。這器件支持3.3 伏(V)輸入電壓，頻率范圍為18 MHz至36 MHz，通過外部電阻模擬控制擴頻偏差。系統(tǒng)設計人員選擇該外部電阻之不同值在輸出提供所想要額度的擴頻偏差，便能更靈活地定制應用，使在其應用中取得達致降低EMI的要求。P3P8203A采用8引腳、2 mmx 2mm x 0.8 mm WDFN封裝，非常適合用于印制電路板(PCB)空間受限的應用。工作溫度范圍為0°C至+70°C。

    P3MS650100H和P3MS650103HLVCMOS峰值EMI降低時鐘產生器非常適合用于PCB空間受限的應用，如手機和平板電腦等便攜電池供電設備；在這些應用中，EMI/RFI可能是重大挑戰(zhàn)，而遵從EMI/RFIF規(guī)范是先決條件。這兩款通用新擴頻型時鐘產生器采用尺寸僅為1 mmx

    1.2 mmx 0.8 mm的微型4引腳WDFN封裝，提供業(yè)界最小的獨立式有源方案，用于降低時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘和數(shù)據(jù)信號的EMI/RFI。P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8 V至3.3 V的輸入電壓范圍，典型擴頻偏差為0.45%至1.4%，減小15 MHz至60 MHz頻率范圍之時鐘源的EMI/RFI。工作溫度范圍為-20ºC至+85ºC。

    安森美半導體工業(yè)及時序產品副總裁Ryan Cameron說：“符合EMI規(guī)范同時控制成本及盡量減少PCB占位面積，是便攜及計算應用的重大挑戰(zhàn)。我們新的EMI降低IC解決這些挑戰(zhàn)，提供高性價比的方案，降低時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘和數(shù)據(jù)信號的EMI/RFI。設計工程師在設計周期及早應用這些器件，可無須采用其他方案，也無須加入高成本的額外PCB層或屏蔽來處理EMI/RFI問題。”

封裝及價格

    P3P8203A采用8引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H采用4引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.24美元。

Electronica 2012

    歡迎蒞臨安森美半導體于11月13日至16日德國慕尼黑Electronica 2012的展臺(A5館225號展臺)，觀看P3P8203A及用于通信應用的其它電源、散熱和信號管理方案的演示。

關于安森美半導體

    安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網(wǎng)絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。