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瑞薩電子宣布推出工業(yè)用首個以微控制器為基礎的可擴展供電系統(tǒng)解決方案

2012-10-25

以微控制器為基礎的VR控制器和Driver-MOSFET功率器件結合集成電流檢測電路打造支持VR12.0、V12.5和V12.6標準的供電系統(tǒng),可節(jié)省40%的電板空間,實現(xiàn)更高的供電效能和精準性。

    高級半導體解決方案的領軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”),于今天發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器(VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)[注1] R2J20759NP。.

    瑞薩將應用新的芯片集于系統(tǒng)解決方案,實現(xiàn)符合VR12.0、VR12.5要求和英特爾VR12.6 VR最新標準的供電系統(tǒng),以實現(xiàn)更大的功率密度、更佳的功率效率和更準確的操作。

    瑞薩VR 12解決方案應用領先的MCU、模擬和離散供電技術。該方案為數(shù)模混合系統(tǒng),結合了MCU的靈活性及模擬電路的穩(wěn)定性,實現(xiàn)低電耗的精準高速控制。

 

瑞薩電子供電系統(tǒng)解決方案R2A30521NP和R2J20759NP

最新芯片集的主要特性:

  • 所需路板空現(xiàn)有瑞薩設計小40%
  • 相比于使用電感電流測量輸出電壓的傳統(tǒng)技術,瑞薩系統(tǒng)采用智能功率器件R2J20759NP,擁有內置電流檢測電路,減少了電板或過濾器上的電流檢測線,降低了噪音。

此外,智能供電裝置R2J20759NP擁有一個小巧的QFN40包,可供每相40安的電流。

  • -待機模式可延長電池壽命

下一代筆記本電腦、平板電腦和手機要求其在待機模式下只需極少的電量便可完成信息更新。瑞薩R2A30521NP VR控制器使用與RL78 MCU相同的結構,具有超低電源模式。結合R2J20759NP使用,VR總體供電系統(tǒng)的電耗可在待機模式下降低約50 mW,連接-待機模式下降低約0.8 mW。

  • 多種配置支持可展供統(tǒng),幫助客戶輕產(chǎn)
  • 瑞薩產(chǎn)品對最多兩條電源回路和高達8相交流電的支持使得其擁有極大的應用空間,可應用于從10W的筆記本電腦系統(tǒng)到300W的服務器、高端桌面計算機和網(wǎng)絡VR。瑞薩計劃繼續(xù)擴展其產(chǎn)品線,以便順應市場對更多服務包選項的需求,為客戶提供更大的靈活性,同時提高產(chǎn)品的功能和性能特征。
  •       除了上述特性,新的系統(tǒng)因其電流檢測無需外部線路而擁有極大的噪音耐量。相比之下,傳統(tǒng)設計檢測電流的復雜電板線路則對外部噪音極度敏感,如打開/關閉MOSFET電源產(chǎn)生的噪音也是設計電板結構時需要仔細考慮的因素。此外,傳統(tǒng)電流檢測方法應用串聯(lián)電阻器的自感應,在設置外部電流檢測電路數(shù)值時可能因模式的改變或在電流失衡檢測時產(chǎn)生故障。新的系統(tǒng)可對集成電源MOSFET的漏電流進行直接檢測,以免此類問題的發(fā)生。

硬件和軟件相互獨立的二級設定提供對供電系統(tǒng)如過電流的基礎保護。例如,穩(wěn)態(tài)極限值和預期突發(fā)和破壞性異常模式的極限值可分開設置。供電系統(tǒng)的靈活設置確保裝置安全而實用。R2A30521NP VR控制器同時具有片上閃存功能,支持事件記錄,在檢測到保護功能時可在閃存里自動儲存事件信息。記錄數(shù)據(jù)可通過串聯(lián)接口如I2C讀取。此功能對系統(tǒng)維護、電路歷史記錄檢查保護等具有廣泛的適用性。

VR控制器R2A30521NP使用串聯(lián)接口與CPU或其他高級別系統(tǒng)交換電源或系統(tǒng)狀態(tài)信息,進而在這些信息的基礎上使用專門的儀表對操作模式進行轉換。這樣便可確保其運行模式始終優(yōu)于功率器件的運行模式。此外,通過應用基于MCU VR控制器的功能,操作頻率或保護功能設置值的參數(shù)可通過軟件進行更改。該設備采用廣泛使用的小型表面安裝64引腳QFN封裝(8毫米×8毫米×0.95毫米,0.5毫米傾斜)

至于電源塊,智能功率器件R2J20759NP與Driver-MOSFET功率器件的集成結合了傳統(tǒng)集成Driver-MOSFET功率器件的功能以及包括電流檢測電路和PWM控制電路在內的附加功能。該產(chǎn)品使用相同的40引腳QFN封裝(6 毫米× 6毫米× 0.95毫米, 0.5毫米傾斜),這在早期批量生產(chǎn)的集成Driver-MOSFET功率器件中廣泛使用。通過將電流檢測電路與PWM控制電路集成到功率器件,可完全擺脫噪音敏感線路,這在電流檢測電路與PWM控制電路在系統(tǒng)電板上分開搭建時十分必要。這一點有助于簡化VR電源系統(tǒng)的電路和電路板設計。

  • 【注1】:集成Driver-MOSFET (DrMOS)是因特爾公司推出的標準產(chǎn)品包。此類產(chǎn)品在一個包里集成了CPU或同類系統(tǒng)需要的兩類MOSFET電源和單獨的驅動器IC,可驅動多個MOSFET。瑞薩的新產(chǎn)品包括“智能Driver-MOSFET集成功率器件”,可將DrMOS與電流檢測電路和PWM控制器相結合。MOSFET是“金屬氧化物半導體場效應晶體管”的縮寫。

有關瑞薩最新芯片集的主要規(guī)格書,參見相關頁面。

定價和供

    瑞薩新推芯片集樣本在2012年10月上市,其中R2A30521NP VR控制器定價3.50美元,R2J20759NP智能功率器件2.50美元。新產(chǎn)品的批量生產(chǎn)預計在2013年1月啟動,預計到2013年12月實現(xiàn)每月500,000套的生產(chǎn)規(guī)模。(價格和供貨可能有所變動,恕不另行通知。)

(備注)

   Intel和Intel logo屬于英特爾公司在美國和其他國家的注冊商標。所有其他注冊商標或商標的所有權則歸其所屬公司所有。

新推芯片集產(chǎn)規(guī)

1控制器R2A30521NP VR的產(chǎn)規(guī)

最大供電電壓

4.6伏

工作

高達1.5兆赫

導電軌

多達2根

封裝

QFN封裝(64, 8毫米× 8毫米× 0.95毫米)

2. 智能功率器件R2J20759NP的產(chǎn)規(guī)

最大電壓

20伏(直流電),30伏(交流電)

最大平均流:

40安

工作率:

高達1.0兆赫

封裝:

QFN封裝(40, 6毫米× 6毫米× 0.95毫米)

關于瑞薩電子公司

    瑞薩電子公司(TSE:6723)是全球首屈一指的微控制器供應商和高級半導體解決方案的領先供應商,產(chǎn)品包括微控制器、SoC解決方案和各種模擬與功率器件。2010年4月,NEC電子公司(TSE:6723)和瑞薩科技公司合并為瑞薩電子公司,公司業(yè)務覆蓋了面向各種應用的研究、開發(fā)、設計與制造。瑞薩電子公司總部設在日本,在全球20多個國家均設有分公司。欲知更多信息,敬請訪問www.renesas.com

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