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飛兆半導體擴展PowerTrench® MOSFET系列 提高功率密度并增加SMPS設計效率

中等電壓MOSFET器件采用高性能硅片減低品質因數,提高同步整流應用的可靠性
2012-08-17

 

提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外,這些開關電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案,以便最大限度地減小線路板空間,同時提高效率和降低功耗。有鑒于此,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)擴展PowerTrench® MOSFET系列來幫助設計人員應對電源設計挑戰(zhàn)。

 

這些產品屬于中等電壓MOSFET產品系列成員,是結合低柵極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極管的優(yōu)化功率開關產品,可以實現(xiàn)快速開關。這些器件備有40V、60V和80V額定電壓型款,由于采用優(yōu)化的軟反向恢復體二極管,減少了緩沖器電路的功耗,與競爭解決方案相比,可將電壓尖刺減少多達15%。

 

這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構,從而達到較高的功率密度、較低的振鈴和更好的輕載效率。通過使用這項技術,新器件獲得了較低的品質因數(QG ×RDS(ON)),同時降低驅動損耗來提高功率效率。

 

這一系列的首批器件包括采用Power56封裝的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件,以及采用TO-220 3引腳封裝的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。

 


特性和優(yōu)勢

 

·        較小的封裝尺寸(Power56和TO-220 3引腳封裝),具有最大的熱性能/系統(tǒng)尺寸比

·        較低的QG以降低柵極驅動損耗

·        低QGD/QGS比,防止不必要的誤導通,提高系統(tǒng)可靠性

·        低動態(tài)寄生電容,減少高頻應用的柵極驅動損耗

·        100% UIL測試

·         滿足RoHS要求

 

新增的PowerTrench®MOSFET器件豐富了飛兆半導體中等電壓范圍MOSFET產品陣容,作為齊全的PowerTrench技術產品系列的一部分,它能夠滿足現(xiàn)今電子產品的電氣和散熱性能要求,在實現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。

 

飛兆半導體:解決方案助您成功!

 

價格:訂購1,000個

FDMS015N04B: 每個1.78美元

FDMS039N08B: 每個1.60美元

FDP020N06B:     每個4.50美元

FDP027N08B:     每個3.30美元

 

供貨:按請求提供樣品

 

交貨期: 收到訂單后8至12周內

 

編輯注:產品的PDF 格式數據表可從此網址獲取:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP020N06B.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP027N08B.pdf

 

查看產品和公司信息視頻,聽取產品信息網上音頻,以及閱讀飛兆半導體博客(英文版),請訪問網頁:http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

閱讀飛兆半導體博客(中文版)并發(fā)表評論,請訪問:http://engineeringconnections.cn/

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查詢更多信息,請聯(lián)絡飛兆半導體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-6263-7500;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網站:http://www.fairchildsemi.com/cn/。

 

飛兆半導體公司簡介

 

美國飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) -全球營運、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導體專為功率便攜設計提供高能效、易于應用及高增值的半導體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產品,并以我們在功率和信號路徑產品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術挑戰(zhàn)。查詢更多信息,請訪問網站:www.fairchildsemi.com。

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