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飛兆半導體 20V 單 P 通道 PowerTrench® MOSFET 改善便攜式設備電池充電和負載開關

設備提供輕薄包裝和低閘(門極)漏電流
2012-08-09

 

    幫助蜂窩手機及其他便攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)經擴大了其mosfets/powertrench.html"> P 通道 PowerTrench® MOSFET 產品線。

FDMA910PZFDME910PZT具備MicroFET™ MOSFET 包裝,并按照它們的物理尺寸(2X 2 mm 和1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能,讓它們完全匹配開關和線性模式應用。  在20V 的額定電壓下,設備提供低通路電阻。為預防靜電放電(ESD) 失敗,FDMA910PZ 和FDME910PZT  裝有優(yōu)化穩(wěn)壓二極管保護設備,這也將使最大額定IGSS 泄漏從10μA 降至1μA。

 

獲取詳情,訂購樣品,請訪問:

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html

 

特色及優(yōu)勢:

 

FDMA910PZ

 

·        最大RDS = 20 mΩ,需VGS = -4.5V,ID = -9.4 A

·        最大RDS = 24 mΩ,需VGS = -2.5V,ID = -8.6 A

·        最大RDS = 34 mΩ,需VGS = -1.8V,ID = -7.2 A

·        低配置-配備HBM ESD 保護的MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為0.8 mm

級別> 2.8kV 標準

 


PDME910PZT

 

·        最大RDS= 24mΩ,需VGS = -4.5 V,ID = -8A

·        最大RDS= 31mΩ,需VGS = -2.5 V,ID = -7A

·        最大RDS= 45mΩ,需VGS = -1.8 V,ID = -6A

·        低配置:配備HBM ESD 保護的MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為0.55 mm

級別> 2kV 標準

 

FDMA910PZ 和FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻,并且為RoHS 兼容。兩種設備都提供低電壓安全操作,并適用于手機和便攜式設備。

 

飛兆半導體是移動科技領導者,可提供大量模擬和電源IP 系列產品,并可定制以滿足特殊設計需求。飛兆半導體通過將領先的電路技術集成在微型高級包裝中,為便攜產品用戶提供重要的優(yōu)勢,同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。飛兆半導體的便攜IP 已用于現今大部分手機中。

 

飛兆半導體:解決方案助您成功!

 

價格:訂購1,000個

FDMA910PZ:          每個0.36美元

FDME910PZT: 每個0.33美元

 

供貨:按請求提供樣品

 

交貨期: 收到訂單后8至12周內

 

編輯注:產品的PDF 格式數據表可從此網址獲?。?/p>

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA910PZ.pdf

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