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ARM+臺(tái)積電恐仍不敵英特爾

2012-07-25
作者:EETTAIWAN

ARM臺(tái)積電(TSMC)合作,針對(duì)FinFET制程技術(shù)優(yōu)化下一代64位ARM核心。這想必讓英特爾感覺(jué)頗為自得。

畢竟,這驗(yàn)證了這家芯片巨擘的兩位高階主管──Paul Otellini(歐德寧) 和Brian Krzanich在投資者日(investor day)中所做的演說(shuō)──英特爾領(lǐng)先最接近的代工競(jìng)爭(zhēng)廠四年。

事實(shí)上,正如我的同事Peter Clarke在他的文章中所說(shuō)的,臺(tái)灣的制造商和ARM之間的合作甚至無(wú)法預(yù)期2015下半年以前能夠量產(chǎn),因此,這個(gè)賭注也可能過(guò)于樂(lè)觀。

此外,這個(gè)新聞也透露出ARM的服務(wù)器策略矛盾之處。

ARM曾多次表示,2014年將針對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)推出重量級(jí)產(chǎn)品,而且將在兩到三年內(nèi)達(dá)到一定程度的市占率。但這次發(fā)布的新聞,卻無(wú)異于對(duì)之前所做的聲明澆了一大盆冷水。
 
依照ARM最新發(fā)布的新聞,至少要三年半,其采用FinFET技術(shù)的64位V8架構(gòu)才會(huì)就緒,而這將讓英特爾有更充裕的時(shí)間來(lái)發(fā)展技術(shù),再度將競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋在后頭。

這個(gè)新發(fā)布的新聞還表示,臺(tái)積電很可能會(huì)在之前曾表示將針對(duì)第二代20nm制程之后,重新制定FinFET組件(三閘極, tri-gate)策略。實(shí)際上,這份新聞稿讀起來(lái)就像這家制造商不得不調(diào)整其次 20nm 計(jì)劃,但臺(tái)積電是否能輕易地跨越仍有待觀察。

“毫無(wú)疑問(wèn),根據(jù)目前的記錄,英特爾在 FinFET 部署方面將領(lǐng)先所有其他的公司,” Insight64 分析師 Nathan Brookwood 表示。

“他們采用 3D 晶體管的組件出貨量已經(jīng)達(dá)到數(shù)百萬(wàn)顆之多了,但臺(tái)積電和 GlobalFoundries 仍堅(jiān)持在 14nm 節(jié)點(diǎn)前不會(huì)采用該技術(shù),因此就量產(chǎn)而言,英特爾至少領(lǐng)先了四年。我聽(tīng)到一些消息,目前的情況是這兩家公司也打算加快該技術(shù)的發(fā)展。”

話雖如此,但Brookwood并不相信 ARM 會(huì)等待 FinFET 就緒,才開(kāi)始將其64位架構(gòu)導(dǎo)入到服務(wù)器和客戶(hù)端設(shè)備中。這家英國(guó)的芯片設(shè)計(jì)業(yè)者已經(jīng)在去年發(fā)布了64位的ARM V8架構(gòu),而 Applied Micro 也已經(jīng)向一些早期客戶(hù)推出基于FPGA的V8產(chǎn)品,預(yù)估今年稍晚還將推出 40nm ARMv8 SoC,2013年將再發(fā)布28nm版本。

“包括蘋(píng)果(Apple)、高通(Qualcomm)、Marvell和Nvidia在內(nèi)的ARM架構(gòu)授權(quán)廠商們,如果在很短時(shí)間內(nèi)相繼轉(zhuǎn)移到采用28nm的64位架構(gòu),我想我一點(diǎn)都不會(huì)感到驚訝,”Brookwood說(shuō)。

他接著表示,在他看來(lái), ARM 與臺(tái)積電此次發(fā)布的聲明,并不意味著64位ARM芯片必須等待 FinFET 技術(shù),但它確實(shí)需要幾年的時(shí)間來(lái)開(kāi)發(fā)實(shí)體IP,特別是臺(tái)積電和 GlobalFoundries 在發(fā)展 FinFET 時(shí)仍將面臨諸多設(shè)計(jì)約束。

對(duì)臺(tái)積電而言,將 FinFET 技術(shù)推進(jìn)到 14nm 節(jié)點(diǎn)是一項(xiàng)驚人之舉。畢竟,晶圓廠要制造 FinFET 組件以前,首先要正確掌握high-k金屬閘極技術(shù),但臺(tái)積電目前仍在奮力與英特爾和 Globalfoundries 競(jìng)爭(zhēng)。
“就如同英特爾在本月初 Semicon West 上的演講所說(shuō)的,每一世代的新制程技術(shù),必然要以之前的技術(shù)為基礎(chǔ),”Brookwood表示。

再確實(shí)不過(guò)了?,F(xiàn)在,英特爾在FinFET發(fā)展競(jìng)賽中領(lǐng)先所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,也再度印證了這個(gè)說(shuō)法。
 

編譯: Joy Teng
(參考原文: Intel vindicated by TSMC/ARM announcement ,by Sylvie Barak)

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