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安森美半導體擴充計算機和游戲機應用的電源管理產(chǎn)品系列,推出新的高密度溝槽MOSFET

新的NTD49xx、NTMFS49x、NTTFS49x和NTMS49x系列30 V、N溝道器件提升開關(guān)性能及總能效
2009-11-06
作者:安森美半導體

      全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出24款新的30(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FLμ8FLSOIC-8封裝, 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 

新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能,用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)及負載點(POL)應用中的同步直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。直接替代NTD48x、NTMFS48xNTMS48x系列的DPAKSO-8FLSOIC-8封裝方案,以及新的μ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案,就其封裝尺寸而言,提供業(yè)界領(lǐng)先的低導通阻抗。  

 安森美半導體功率MOSFET產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“計算機和游戲機領(lǐng)域的電源管理設(shè)計工程師能夠利用安森美半導體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術(shù)專長,為我們的客戶提供多種方案,以應對提升能效及節(jié)省空間等設(shè)計挑戰(zhàn)。” 

 安森美半導體的新MOSFET采用先進的封裝系列,具有優(yōu)化的低門電荷及低導通阻抗,提升開關(guān)性能及系統(tǒng)總能效。所有器件均為無鉛、無鹵素器件,且符合RoHS指令。 

 器件及封裝 

NTD49x系列3279安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905NNTD4906N、NTD4909NNTD4910NNTD4913N。這些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封裝,每10,000片批量的預算單價為0.280.50美元。 

 NTMFS49x系列35166 A器件包括NTMFS4935NNTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943NNTMFS4945N。 NTMFS4933N將于2010年初之前推出。這些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封裝,每10,000片批量的預算單價為0.260.50美元。 

NTTFS49x系列3479 A器件包括NTTFS4932NNTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943NNTTFS4945N。這些器件采用3.3 mm x 3.3 mm μ8FL封裝,每10,000片批量的預算單價為0.300.60美元。 

NTMS49x系列12.517 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937NNTMS4939N。這些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封裝,每10,000片批量的預算單價為0.300.80美元。 

 

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