《電子技術(shù)應(yīng)用》
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飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET 幫助設(shè)計人員在電源設(shè)計中實現(xiàn)最高功率密度和最高效率

通過減少封裝寄生效應(yīng)來降低功耗, 在更高的工作頻率上提供更高的效率
2012-05-10

 

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能,電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊FDPC8011S,幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。

FDPC8011S專為更高的開關(guān)頻率的應(yīng)用而開發(fā),在一個采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4mΩSyncFETTM 技術(shù)和一個5.4mΩ控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET,有助于減少同步降壓應(yīng)用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實現(xiàn)簡單的布局和布線,提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過25A的輸出電流,與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比,輸出電流容量提高了2倍。

要了解更多的信息及索取樣品,請訪問公司網(wǎng)頁:http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html

特性和優(yōu)勢

 

·        控制N溝道MOSFET  RDS(ON) = 5.4mΩ 典型值,(最大7.3mΩ)VGS = 4.5V

·         同步N溝道MOSFET  RDS(ON) = 1.4mΩ 典型值,(最大2.1mΩ )VGS = 4.5V

·         低電感封裝縮短上升/下降時間,實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗

·         MOSFET集成實現(xiàn)最佳布局,降低線路電感并減少開關(guān)節(jié)點振鈴

·         滿足RoHS要求

 

新增3.3x3.3mm2 Power Clip 非對稱雙MOSFET是飛兆半導(dǎo)體齊全的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,它能夠為電源設(shè)計人員提供了大量針對任務(wù)關(guān)鍵性高效信息處理設(shè)計的解決方案。

 

飛兆半導(dǎo)體:解決方案助您成功!

 

價格:訂購1,000個

FDPC8011S       每個1.60美元

供貨:按請求提供樣品

交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi)

編輯注:產(chǎn)品的PDF 格式數(shù)據(jù)表可從此網(wǎng)址獲?。?/p>

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查看產(chǎn)品和公司信息視頻,聽取產(chǎn)品信息網(wǎng)上音頻,以及閱讀飛兆半導(dǎo)體博客(英文版),請訪問網(wǎng)頁:http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

閱讀飛兆半導(dǎo)體博客(中文版)并發(fā)表評論,請訪問:http://engineeringconnections.cn/

查看飛兆半導(dǎo)體在微博發(fā)放的實時產(chǎn)品信息,請訪問:http://t.sina.com.cn/fairchildsemi

 

查詢更多信息,請聯(lián)絡(luò)飛兆半導(dǎo)體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-3250-7688;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網(wǎng)站:http://www.fairchildsemi.com/cn/。

飛兆半導(dǎo)體公司簡介

美國飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) -全球營運、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導(dǎo)體專為功率便攜設(shè)計提供高能效、易于應(yīng)用及高增值的半導(dǎo)體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產(chǎn)品,并以我們在功率和信號路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢更多信息,請訪問網(wǎng)站:www.fairchildsemi.com。

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