應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護(hù)電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
　　
　　新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流，因而導(dǎo)電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設(shè)計(jì)工程師符合高能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，不會(huì)增加復(fù)雜度，例如無須同步整流。
　　
　　此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)，在正向偏置條件下提供更大的導(dǎo)電區(qū)，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結(jié)構(gòu)產(chǎn)生“夾斷”(pinch-off)效應(yīng)，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導(dǎo)體的溝槽型LVFR的開關(guān)性能在-40 °C至+150 °C的整個(gè)工作結(jié)點(diǎn)溫度范圍內(nèi)都很優(yōu)異。
　　
　　為了證明LVFR的優(yōu)勢，安森美半導(dǎo)體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標(biāo)準(zhǔn)的30 A、100 V平面型肖特基整流器進(jìn)行比較?；?5 W電源適配器測試的數(shù)據(jù)顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設(shè)計(jì)人員能夠符合規(guī)范要求，同時(shí)不增加方案的復(fù)雜度及成本，例如無須同步整流。
　　
　　安森美半導(dǎo)體功率分立分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說：“我們的客戶力求其產(chǎn)品設(shè)計(jì)更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價(jià)比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴(yán)格規(guī)格。”