意法半導體（ST）推出采用獨有先進技術的新系列射頻功率芯片，進一步提高在射頻功率市場的影響力
強化的寬帶放大器先進技術以更經濟實惠的價格實現(xiàn)更高的無線系統(tǒng)性能
2011-10-12
10月11日，橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新系列射頻（RF）功率晶體管。新系列產品采用先進技術，為政府通信、用于緊急救援的專用移動無線電系統(tǒng)以及L波段衛(wèi)星上行設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通信系統(tǒng)的性能、穩(wěn)健性及可靠性。
保安和緊急救援組織及商業(yè)通信公司所使用的無線基站和中繼器等通信設備必須在輸出大功率高頻RF信號的同時保持低失真率，這兩個相互矛盾的要求使系統(tǒng)設計變得更加復雜，并增加了產品成本。多年來市場應用證明，LDMOS技術可以為設計人員實現(xiàn)這些目標，而意法半導體現(xiàn)在更推出了一項讓設備設計人員能夠進一步提高系統(tǒng)性能的先進技術。
意法半導體RF產品市場和應用支持經理Serge Juhel表示：“LDMOS是實現(xiàn)高速且穩(wěn)健的無線通信的關鍵技術，我們的下一代產品將幫助設備設計人員提高RF功率，而不會降低重要的系統(tǒng)性能指標，包括線性、穩(wěn)健性及可靠性。我們此次推出的先進產品將為專用移動無線電系統(tǒng)、政府寬帶通信、航天通信系統(tǒng)以及衛(wèi)星上行射頻等重要應用領域帶來優(yōu)勢。”
LET 系列RF 晶體管采用意法半導體最新的STH5P LDMOS制造技術，擁有更高的功率飽和功能，可最大限度地降低信號在大功率下的失真率。新系列產品的工作頻率高達2GHz，且大幅改進了線性、穩(wěn)健性和可靠性。能效更較上一代LDMOS產品提高了10-15%。
此外，新系列產品的增益也比上一代產品提高3dB，這有助于簡化放大器設計，最大幅度地減少元器件數(shù)量。其它改進功能還包括擊穿電壓從65V提高至80V，更佳的熱性能可大幅提高系統(tǒng)可靠性和負載失匹功能。
目前LET系列共有6款已量產產品，另外5款產品預計于2011年第四季度投入量產。新產品采用工業(yè)標準的倒螺栓封裝或耳式封裝。
采用價格實惠的Power-SO 10RF塑料貼裝的彎曲或豎直引腳的產品目前已在品質檢測階段。
詳情請訪問意法半導體公司網(wǎng)站：www.st.com/rf
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