――擊穿短路；致命失效
――開(kāi)路；致命失效
――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效
――漏液；部分功能失效
――引線腐蝕或斷裂；致命失效
――絕緣子破裂；致命失效
――絕緣子表面飛?。徊糠止δ苁?/p>
引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機(jī)理也各不一樣。
各種常見(jiàn)失效模式的主要產(chǎn)生機(jī)理歸納如下。
1失效模式的失效機(jī)理
1.1引起電容器擊穿的主要失效機(jī)理
①電介質(zhì)材料有疵點(diǎn)或缺陷，或含有導(dǎo)電雜質(zhì)或?qū)щ娏Ｗ樱?/p>
②電介質(zhì)的電老化與熱老化；
③電介質(zhì)內(nèi)部的電化學(xué)反應(yīng)；
④銀離子遷移；
?、蓦娊橘|(zhì)在電容器制造過(guò)程中受到機(jī)械損傷；
?、揠娊橘|(zhì)分子結(jié)構(gòu)改變；
⑦在高濕度或低氣壓環(huán)境中極間飛??；
?、嘣跈C(jī)械應(yīng)力作用下電介質(zhì)瞬時(shí)短路。
1.2引起電容器開(kāi)路的主要失效機(jī)理
①引線部位發(fā)生“自愈“，使電極與引出線絕緣；
?、谝鼍€與電極接觸表面氧化，造成低電平開(kāi)路；
?、垡鼍€與電極接觸不良；
?、茈娊怆娙萜麝?yáng)極引出箔腐蝕斷裂；
⑤液體電解質(zhì)干涸或凍結(jié)；
⑥機(jī)械應(yīng)力作用下電介質(zhì)瞬時(shí)開(kāi)路。
1.3引起電容器電參數(shù)惡化的主要失效機(jī)理
①受潮或表面污染；
?、阢y離子遷移；
?、圩杂?yīng)；
?、茈娊橘|(zhì)電老化與熱老化；
⑤工作電解液揮發(fā)和變稠；
?、揠姌O腐蝕；
?、邼袷诫娊怆娙萜髦须娊橘|(zhì)腐蝕；
?、嚯s質(zhì)與有害離子的作用；
?、嵋鼍€和電極的接觸電阻增大。
1.4引起電容器漏液的主要原因
①電場(chǎng)作用下浸漬料分解放氣使殼內(nèi)氣壓上升；
?、陔娙萜鹘饘偻鈿づc密封蓋焊接不佳；
③絕緣子與外殼或引線焊接不佳；
④半密封電容器機(jī)械密封不良；
?、莅朊芊怆娙萜饕€表面不夠光潔；
?、薰ぷ麟娊庖焊g焊點(diǎn)。
1.5引起電容器引線腐蝕或斷裂的主要原因
?、俑邷囟拳h(huán)境中電場(chǎng)作用下產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕；
?、陔娊庖貉匾€滲漏，使引線遭受化學(xué)腐蝕；
?、垡€在電容器制造過(guò)程中受到機(jī)械損傷；
?、芤€的機(jī)械強(qiáng)度不夠。
1.6引起電容器絕緣子破裂的主要原因
?、贆C(jī)械損傷；
?、诓ＡХ劢^緣子燒結(jié)過(guò)程中殘留熱力過(guò)大；
③焊接溫度過(guò)高或受熱不均勻。
1.7引起絕緣子表面飛弧的主要原因
?、俳^緣子表面受潮，使表面絕緣電阻下降；
?、诮^緣子設(shè)計(jì)不合理
?、劢^緣子選用不當(dāng)
④環(huán)境氣壓過(guò)低
電容器擊穿、開(kāi)路、引線斷裂、絕緣子破裂等使電容器完全失去工作能力的失效屬致命性失效，其余一些失效會(huì)使電容不能滿足使用要求，并逐漸向致命失效過(guò)渡；
電容器在工作應(yīng)力與環(huán)境應(yīng)力綜合作用下，工作一段時(shí)間后，會(huì)分別或同時(shí)產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機(jī)理，同一失效機(jī)理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機(jī)理之間的關(guān)系不是一一對(duì)應(yīng)的。
2電容器失效機(jī)理分析
2.1潮濕對(duì)電參數(shù)惡化的影響
空氣中濕度過(guò)高時(shí)，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處，對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來(lái)說(shuō)，水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫、高濕環(huán)境對(duì)電容器參數(shù)惡化的影響極為顯著。經(jīng)烘干去濕后電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的后果是無(wú)法根除的。例如：電容器工作于高溫條件下，水分子在電場(chǎng)作用下電解為氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線根部產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。即使烘干去濕，也不可能引線復(fù)原。
2.2銀離子遷移的后果
無(wú)機(jī)介質(zhì)電容多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作時(shí)，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。在陽(yáng)極產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合生成氫氧化銀。在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng)、氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水。由于電極反應(yīng)，陽(yáng)極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒，靠水膜連接成樹(shù)狀向陽(yáng)極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機(jī)介質(zhì)表面，銀離子還能擴(kuò)散到無(wú)機(jī)介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴(yán)重時(shí)可使兩個(gè)銀電極之間完全短路，導(dǎo)致電容器擊穿。
銀離子遷移可嚴(yán)重破壞正電極表面銀層，引線焊點(diǎn)與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。
由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會(huì)因此而下降。表面絕緣電阻則因無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低。銀離子遷移嚴(yán)重時(shí)，兩電極間搭起樹(shù)枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。
綜上所述，銀離子遷移不僅會(huì)使非密封無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器電性能惡化，而且可能引起介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)下降，最后導(dǎo)致電容器擊穿。
值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨(dú)石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象比其他類型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴(yán)重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu)。銀電極與陶瓷介質(zhì)一次燒結(jié)過(guò)程中，銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固相反應(yīng)，滲入了瓷-銀接觸處形成界面層。如果陶瓷介質(zhì)不夠致密，水分滲入后，銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生，還可能穿透陶瓷介質(zhì)層。多層疊片結(jié)構(gòu)的縫隙較多，電極位置不易精確，介質(zhì)表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時(shí)銀漿滲入縫隙，降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時(shí)容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象。
2.3高濕度條件下陶瓷電容器擊穿機(jī)理
半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時(shí)，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴(yán)重問(wèn)題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時(shí)間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種。早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷，這些缺陷導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)電強(qiáng)度顯著降低，以致于在高濕度環(huán)境中電場(chǎng)作用下，電容器在耐壓試驗(yàn)過(guò)程中或工作初期，就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學(xué)擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當(dāng)普遍的問(wèn)題。銀遷移形成的導(dǎo)電樹(shù)枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介電容器中，因?yàn)閾舸r(shí)局部發(fā)熱厲害，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。
此外，以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中，負(fù)荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應(yīng)，使鈦離子由四價(jià)變?yōu)槿齼r(jià)。陶瓷介質(zhì)的老化顯著降低了電容器的介電強(qiáng)度，可能引起電容器擊穿。因此，這種陶瓷電容器的電解擊穿現(xiàn)象比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)電容器更加嚴(yán)重。
銀離子遷移使電容器極間邊緣電場(chǎng)發(fā)生嚴(yán)重畸變，又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜，使電容邊緣表面電暈放電電壓顯著下降，工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結(jié)構(gòu)、極間距離、負(fù)荷電壓、保護(hù)層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。主要就是邊緣表面極間飛弧擊穿，原因是介質(zhì)留邊量較小，在潮濕環(huán)境中工作時(shí)銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣電阻顯著下降，引起電暈放電，最終導(dǎo)致?lián)舸８邼穸拳h(huán)境中尤其嚴(yán)重。由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時(shí)間，所以在耐壓試驗(yàn)初期，失效模式以介質(zhì)擊穿為主，直到試驗(yàn)500h以后，主要失效模式才過(guò)渡為邊緣表面極間飛弧擊穿。
2.4高頻精密電容器的低電平失效機(jī)理
云母是一種較理想的電容器介質(zhì)材料，具有很高的絕緣性能，耐高溫，介質(zhì)損耗小，厚度可薄達(dá)25微米。云母電容器的主要優(yōu)點(diǎn)是損耗小，頻率穩(wěn)定性好、分布電感小、絕緣電阻大，特別適合在高頻通信電路中用做精密電容器。但是，云母資源有限，難于推廣使用。近數(shù)十年內(nèi)，有機(jī)薄膜電容器獲得迅速發(fā)展，其中聚苯乙烯薄膜電容器具有損耗小、絕緣電阻大、穩(wěn)定性好、介質(zhì)強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。精密聚苯乙烯電容器可代替云母電容器用于高頻電路。需要說(shuō)明的是：應(yīng)用于高頻電路中的精密聚苯乙烯電容器，一般采用金屬箔極板，以提高絕緣電阻與降低損耗。
電容器的低電平失效是20世紀(jì)60年代以來(lái)出現(xiàn)的新問(wèn)題。低電平失效是指電容器在低電壓工作條件下出現(xiàn)的電容器開(kāi)路或容量下降超差等失效現(xiàn)象。60年代以來(lái)半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體電路電壓比電子管電路低得多，使電容器的實(shí)際工作電壓在某些電路中僅為幾毫伏，引起電容器低電平失效，具體表現(xiàn)是電容器完全喪失電容量或部分喪失電容量。對(duì)于低電平?jīng)_擊，使電容器的電容量恢復(fù)正常。
產(chǎn)生低電平失效的原因主要在于電容器引出線與電容器極板接觸不良，接觸電阻增大，造成電容器完全開(kāi)路或電容量幅度下降。
精密聚苯乙烯薄膜電容器一般采用鋁箔作為極板，銅引出線與鋁箔極板點(diǎn)焊在一起。鋁箔在空氣中極易氧化；極板表面生成一層氧化鋁半導(dǎo)體薄膜，在低電平條件下氧化膜層上的電壓不足以把它擊穿，因而鋁箔間形成的間隙電容量的串聯(lián)等效容量，間隙電容量愈小，串聯(lián)等效容量也愈小。因此，低電平容量取決于極板表面氧化鋁層的厚薄，氧化鋁層愈厚，低電平條件下電容器的電容量愈小。此外，電容器在交流電路中工作時(shí)，其有效電容量會(huì)因接觸電阻過(guò)大而下降，接觸電阻很大時(shí)有效電容量可減小到開(kāi)路的程度。即使極板一引線間不存在導(dǎo)電不良的間隔層，也會(huì)產(chǎn)生這種后果。
引起精密聚苯乙烯電容器低電平失效的具體因素歸納如下：
①引線表面氧化或沾層太薄，以致焊接不牢；
②引線與鋁箔點(diǎn)焊接不良，沒(méi)有消除鋁箔表面點(diǎn)焊處的氧化鋁膜層；
?、蹎我€結(jié)構(gòu)的焊點(diǎn)數(shù)過(guò)少，使出現(xiàn)低電平失效的概率增大；
④粗引線根部打扁部分接觸面積雖然較大，但點(diǎn)焊后焊點(diǎn)處應(yīng)力也較大，熱處理或溫循過(guò)程中，可能損傷接觸部位，惡化接觸情況；
?、莩睔膺M(jìn)入電容器芯子，氧化腐蝕焊點(diǎn)，使接觸電阻增大。
引起云母電容器低電平失效的具體因素歸納如下：
?、巽y電極和引出銅箔之間以及銅箔和引線卡之間存在一層很薄的地臘薄膜。低電平條件下，外加電壓不足以擊穿這層絕緣膜，產(chǎn)生間隙電容，并使接觸電阻增大；
?、阢y電極和銅箔受到有害氣體侵蝕，使接觸電阻增大。在潮濕的硫氣環(huán)境中銀和銅容易硫化，使極板與引線間的接觸電阻上升。
2.5金屬化紙介電容失效機(jī)理
金屬化紙介電容器的極板是真空蒸發(fā)在電容器紙表面的金屬膜
A、電參數(shù)惡化失效
“自愈”是金屬化電容器的一個(gè)獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，但自愈過(guò)程頗為復(fù)雜，自愈雖能避免電容器立即因介質(zhì)短路而擊穿，但自愈部位肯定會(huì)出現(xiàn)金屬微粒遷移與介質(zhì)材料受熱裂解的現(xiàn)象。電容器紙由纖維組成，纖維素是碳水化合物類的高分子物質(zhì)。在高溫下電容器纖維素解成游離狀態(tài)的碳原子或碳離子，使自愈部位表面導(dǎo)電能力增加，導(dǎo)致電容器電阻下降、損耗增大與電容減小。嚴(yán)重時(shí)可使電容器因電參數(shù)惡化程度超過(guò)技術(shù)條件許可范圍而失效。
金屬化紙介電容器在低于額定工作電壓的條件下工作時(shí)，自愈能量不足，電容器紙中存在的導(dǎo)電雜質(zhì)在電場(chǎng)作用于下形成低阻通路，也可導(dǎo)致電容器絕緣電阻降低和損耗增大。
電容器紙是多孔性的極性有機(jī)介質(zhì)材料，極易吸收潮氣。電容器芯子雖浸漬處理，但如果工藝不當(dāng)或浸漬不純，或在電場(chǎng)作用下工作相當(dāng)時(shí)間后產(chǎn)生浸漬老化現(xiàn)象，則電容器的絕緣電阻將因此降低，損耗也將因此增大。
電容量超差失效產(chǎn)金屬化紙介電容器的一種失效形式。在高溫條件下儲(chǔ)存時(shí)金屬化紙介電容器可能因電容量增加過(guò)多而失效，在高溫條件下加電壓工作時(shí)又可能因電容量減少過(guò)多而失效。高溫儲(chǔ)存時(shí)半密封型金屬化紙介電容器免不了吸潮，水是強(qiáng)極性物質(zhì)，其介電常數(shù)接近浸漬電容器介電常數(shù)的20倍。因此，少量潮氣侵入電容器芯子，也會(huì)引起電容量顯著增大。烘烤去濕后電容呈會(huì)有所下降。如果電容器在高溫環(huán)境中工作，則水分和電場(chǎng)的共同作用會(huì)使金屬膜電極產(chǎn)生電解性腐蝕，使極板有效面積減小與極板電阻增大，導(dǎo)致電容量大幅度下降。如果引線與金屬膜層接觸部位產(chǎn)生腐蝕，則接觸電阻增大，電容器的有效電容量將更進(jìn)一步減小。個(gè)別電容器的電容量可降到接近于開(kāi)路的程度。
B、引線斷裂失效
金屬化紙介電容器在高濕環(huán)境中工作時(shí)，電容器正端引線根部會(huì)遭到嚴(yán)重腐蝕，這種電解性腐蝕導(dǎo)致引線機(jī)械強(qiáng)度降低，嚴(yán)重時(shí)可造成引線斷裂失效。
2.6鋁電解電容器的失效機(jī)理
鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜，負(fù)極是黏稠狀的電解液，工作時(shí)相當(dāng)一個(gè)電解槽。鋁電解電容器常見(jiàn)失效模式有：漏液、爆炸、開(kāi)路、擊穿、電參數(shù)惡化等，有關(guān)失效機(jī)理分析如下。
A、漏液
鋁電解電容器的工作電解液泄漏是一個(gè)嚴(yán)重問(wèn)題。工作電解液略呈現(xiàn)酸性，漏出的工作電解液嚴(yán)重污染和腐蝕電容器周圍的其他元器件和印刷電路板。同時(shí)電解電容器內(nèi)部，由于漏液而使工作電解液逐漸干涸，喪失修補(bǔ)陽(yáng)極氧化膜介質(zhì)的能力，導(dǎo)致電容器擊穿或電參數(shù)惡化而失效。
產(chǎn)生漏液的原因很多，主要是鋁電解電容器密封不佳。采用鋁負(fù)極箔夾在外殼邊與封口板之間的封口結(jié)構(gòu)時(shí)很容易在殼邊滲漏電解液。采用橡膠塞密封的電容器，也可能因橡膠老化、龜裂而引起漏液。此外，機(jī)械密封工藝有問(wèn)題的產(chǎn)品也容易漏液。總之，漏液與密封結(jié)構(gòu)、密封材料與密封工藝有密切的關(guān)系。
B、爆炸
鋁電解電容器在工作電壓中交流成分過(guò)大，或氧化膜介質(zhì)有較多缺陷，或存在氯根、硫酸根之類有害的陰離子，以致漏電流較大時(shí)電解作用產(chǎn)生氣體的速率較快，大部分氣體用于修補(bǔ)陽(yáng)極氧化膜，少部分氧氣儲(chǔ)存在電容器殼內(nèi)。工作時(shí)間愈長(zhǎng)，漏電流愈大，殼內(nèi)氣體愈多，溫度愈高。電容器金屬殼內(nèi)外的氣壓差值將隨工作電壓和工作時(shí)間的增加而增大。如果產(chǎn)品密封不佳，則將造成漏液；如果密封良好，又沒(méi)有任何防爆措施，則氣壓增大到一定程度就會(huì)引起電容器爆炸。高壓大容量電容器的漏電流較大，爆炸可能性更大。目前，已普遍采用防爆外殼結(jié)構(gòu)，在金屬外殼上部增加一道褶縫，氣壓高時(shí)將褶縫頂開(kāi)，增大殼內(nèi)容積，從而降低氣壓，減少爆炸危險(xiǎn)。
C、開(kāi)路
鋁電解電容器在高溫或潮熱環(huán)境中長(zhǎng)期工作時(shí)可能出現(xiàn)開(kāi)路失效，其原因在于陽(yáng)極引出箔片遭受電化學(xué)腐蝕而斷裂。對(duì)于高壓大容量電容器，這種失效模式較多。此外，陽(yáng)極引出箔片和陽(yáng)極箔鉚接后，未經(jīng)充分平，則接觸不良會(huì)使電容器出現(xiàn)間歇開(kāi)路。
鋁電解電容器內(nèi)采用以DMF（二甲基酰胺）為溶劑的工作電解液時(shí)，DMF溶液是氧化劑，在高溫下氧化能力更強(qiáng)。工作一段時(shí)間后可能因陽(yáng)極引出箔片與焊片的鉚接部位生成氧化膜而引起電容器開(kāi)路。如果采用超聲波焊接機(jī)把引出箔片與焊點(diǎn)在一起，可則減少這類失效現(xiàn)象。
D、擊穿
鋁電解電容器擊穿是由于陽(yáng)極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導(dǎo)致電解液直接與陽(yáng)極接觸而造成的。氧化鋁膜可能因各種材料，工藝或環(huán)境條件方面的原因而受到局部損傷。在外加電場(chǎng)的作用下工作電解液提供的氧離子可在損傷部位重新形成氧化膜，使陽(yáng)極氧化膜得以填平修復(fù)。但是如果在損傷部位存在雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填平修復(fù)工作無(wú)法完善，則在陽(yáng)極氧化膜上會(huì)留下微孔，甚至可能成為穿透孔，使鋁電解電容器擊穿。
此外，隨著使用和儲(chǔ)存時(shí)間的增長(zhǎng)，電解液中溶劑逐漸消耗和揮發(fā)，使溶液酸值上升，在儲(chǔ)存過(guò)程中對(duì)氧化膜層發(fā)生腐蝕作用。同時(shí)，由于電解液老化與干涸，在電場(chǎng)作用下已無(wú)法提供氧離子修補(bǔ)氧化膜，從而喪失了自愈作用，氧化膜一經(jīng)損壞就會(huì)導(dǎo)致電容器擊穿。工藝缺陷也是鋁電解電容器擊穿的一個(gè)主要原因。如果賦能過(guò)程中形成的陽(yáng)極氧化膜不夠致密與牢固，在后續(xù)的裁片、鉚接工藝中又使氧化膜受到嚴(yán)重?fù)p傷。這種陽(yáng)極氧化膜難以在最后的老煉工序中修補(bǔ)完善，以致電容器使用過(guò)程中，漏電流很大，局部自愈已挽救不了最終擊穿的命運(yùn)。又如鉚接工藝不佳時(shí)，引出箔條上的毛剌嚴(yán)重剌傷氧化膜，刺傷部位漏電流很大，局部過(guò)熱使電容器產(chǎn)生熱擊穿。
E、電參數(shù)惡化
a、電容量下降與損耗增大
鋁電解電容器的電容量在工作早期緩慢下降，這是由于負(fù)荷過(guò)程中工作電解液不斷修補(bǔ)并增厚陽(yáng)極氧化膜所致。鋁電解電容器在使用后期，由于電解液耗損較多、溶液變稠，電阻率因黏度增大而上升，使工作電解質(zhì)的等效串聯(lián)電阻增大，導(dǎo)致電容器損耗明顯增大。同時(shí)，黏度增大的電解液難于充分接觸經(jīng)腐蝕處理的凹凸不平鋁箔表面上的氧化膜層，這樣就使鋁電解電容器的極板有效面積減小，引起電容量急劇下降。這也是電容器使用壽命臨近結(jié)束的表現(xiàn)。
此外，如果工作電解液在低溫下黏度增大過(guò)多，也會(huì)造成損耗增大與電容量急劇下降的后果。硼酸一乙二醇系統(tǒng)工作電解液的低溫性能不佳，黏度過(guò)大導(dǎo)致等效串聯(lián)電阻激增，使損耗變大和有效電容量驟減，從而引起鋁電解電容器在嚴(yán)寒環(huán)境中使用時(shí)失效。
b、漏電流增加
漏電流增加往往導(dǎo)致鋁電解電容器失效。賦能工藝水平低，所形成的氧化膜不夠致密與牢固，開(kāi)片工藝落后，氧化膜損傷與沾污嚴(yán)重，工作電解液配方不佳，原材料純度不高，電解液的化學(xué)性質(zhì)與電化學(xué)性質(zhì)難以長(zhǎng)期穩(wěn)定，鋁箔純度不高，雜質(zhì)含量多……這些因素均可能造成漏電流超差失效。
鋁電解電容器中氯離子沾污嚴(yán)重，漏電流導(dǎo)致沾污部位氧化膜分解，造成穿孔，促使電流進(jìn)一步增大。此外，鋁箔的雜質(zhì)含量較高，一般鐵雜質(zhì)顆粒的尺寸大于陽(yáng)極氧化膜的厚度，使電流易于傳導(dǎo)。銅與硅雜質(zhì)的存在影響鋁氧化物向晶態(tài)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。銅和鋁還可在電解質(zhì)內(nèi)組成微電池，使鋁箔遭到腐蝕破壞?？傊X箔中金屬雜質(zhì)的存在，會(huì)使鋁電解電容器漏電流增大，從而縮短電容器的壽命。