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基于2SC0108T的IGBT驅動器設計
來源:電子技術應用2011年第2期
白婭梅1,李鈺璽1,張亞軍2
1.西北工業(yè)大學 自動化學院,陜西 西安710129; 2.長安大學 電子與控制工程學院,陜西 西安710064
摘要: 針對IGBT驅動電路復雜且保護功能不盡完善的問題,設計了一個基于2SC0108T的即插即用型IGBT驅動器,以及相應的前級驅動電路、后級功率驅動電路和故障報警電路。該驅動器具有直接模式和半橋模式、驅動信號硬件互鎖、硬件死區(qū)時間可調節(jié)、IGBT過流及短路保護、驅動電源過欠壓監(jiān)控和易于安裝的特點。結合英飛凌EconoDUAL3封裝IGBT模塊,完成了即插即用型IGBT驅動器的硬件設計及調試,有效減小了雙絞線傳輸方式寄生電容及寄生電感的影響。
中圖分類號: TM921
文獻標識碼: A
文章編號: 0258-7998(2011)02-0067-04
Design of IGBT driver based on 2SC0108T
Bai Yamei1,Li Yuxi1,Zhang Yajun2
1.College of Automation, Northwestern Polytechnical University, Xi′an 710129,China; 2.School of Electronic and Control Engineering, Chang′an University, Xi′an 710064,China
Abstract: Aiming at the problems of IGBT drive circuity complexity and indequate protection, a plug-and-play IGBT driver is designed based on the 2SC0108T, and the primary side and secondary side drive circuitry and failure alarm circuitry are designed. Two modes including direct mode and half-bridge mode are available. Drive signals are interlocked by hardware and the dead time is adjustable. It possesses the functions of over-current and short-circuit protection, low-voltage and over-voltage monitoring as well as easily Installation. Based on the EconoDUAL3 IGBT module, the hardware of the plug-and-play driver is designed and the functions are tested. It effectively reduces the impact of parasitic inductance and capacitance exists in the twisted pair transmission.
Key words : IGBT drive;plug-and-play;2SC0108T;hardware protection


    IGBT具有耐壓高、電流大、開關速度高和低飽和壓降等優(yōu)良特點,在牽引電傳動、電能傳輸與變換、有源濾波等電力電子領域得到了廣泛的應用[1]。
    IGBT模塊的保護主要由IGBT驅動器來完成。驅動器是功率主電路與控制電路之間的接口,在充分發(fā)揮IGBT的性能、提高系統(tǒng)可靠性等方面發(fā)揮著重要作用[2]。高性能的驅動器可使IGBT工作在比較理想的開關狀態(tài),如開關延時小、開關損耗低等[3]。本文提出的驅動器設計采用瑞士CONCEPT公司最新推出的2SC0108T模塊作為核心部件[4],設計了前級驅動電路、硬件死區(qū)電路、后級功率驅動電路、故障信號調理電路,試驗結果證明該驅動器具有良好的驅動及保護能力。
1 2SC0108T簡介
    2SC0108T是一款高集成度低成本的超小型SCALE-2雙通道驅動器。接口兼容3.3 V~15 V邏輯電平信號,柵極驅動電壓為+15 V/-8 V,驅動電流為8 A,單通道輸出功率為1 W,可以驅動600 A/1 200 V或 450 A/1 700 V的常規(guī)IGBT模塊或并聯(lián)IGBT模塊,支持3級或多級拓撲。具有短路保護、過流保護和電源電壓監(jiān)控等功能。延遲時間為80 ns±4 ns,抖動時間為± 2ns[5]。
    為了使2SC0108T在主回路中的性能達到最優(yōu),必須設計相應的外圍硬件電路,如驅動信號調理電路、IGBT功率驅動電路和故障信號調理電路,并集成到IGBT驅動器中。由于IGBT驅動信號頻率較高,容易對其他模擬信號和數(shù)字信號造成干擾,而且,驅動信號線寄生電容和寄生電感對驅動器的性能、可靠性有重要影響[6],因此,傳統(tǒng)的安裝模式為驅動器和IGBT模塊獨立安裝,通過雙絞線連接以減少寄生電容、寄生電感的影響。本文從減小信號線寄生電容、寄生電感和電磁干擾(EMI)方面考慮,設計了一個直接安裝于IGBT模塊上的即插即用型IGBT驅動器。
    2SC0108T內部結構圖如圖1所示,主要由三個功能模塊構成,即邏輯驅動轉化接口LDI(Logic-to-Driver Interface)、電氣隔離模塊和智能柵極驅動IGD(Intelligent Gate Driver)。

    第一個功能模塊是由輔助電源和信號輸入兩部分組成。其中信號輸入部分主要將控制器的PWM信號進行整形放大,并根據(jù)需要進行控制,之后傳遞到信號變壓器,同時檢測從信號變壓器返回的故障信號,將故障信號處理后發(fā)送到故障輸出端;輔助電源的功能是將輸入的直流電壓經(jīng)過單端反激式變換電路,轉換成兩路隔離電源供給輸出驅動放大器使用。
    第二個功能模塊是電氣隔離模塊,由兩個傳遞信號的脈沖變壓器和傳遞功率的電源變壓器組成。防止功率驅動電路中大電流、高電壓對一次側信號的干擾。
    第三個功能模塊是驅動信號輸出模塊,IGD主要對信號變壓器的信號進行解調和放大,對IGBT的短路和過流進行檢測,并進行故障存儲和短路保護。
2 IGBT驅動器設計
    本文設計的IGBT驅動器主要由2SC0108T模塊、前級驅動電路、后級功率驅動電路、故障信號調理電路構成,驅動器功能框圖如圖2所示。

    由控制器產(chǎn)生的驅動信號A和B,經(jīng)過前級驅動電路調理后,分別送入2SC0108T驅動信號端INA和INB,INA和INB分別控制IGBT模塊的上橋臂和下橋臂。故障報警信號經(jīng)信號調理電路輸出。由于需要檢測IGBT的過流、短路、二次側電壓等故障狀態(tài),以增強驅動信號的觸發(fā)能力并改善IGBT的開關特性[7],設計了后級功率驅動電路。  

2.2 前級驅動電路
    由于驅動器置于IGBT模塊上,控制器與驅動板之間的邏輯信號走線相對較長。為了提高信號的驅動能力和抗干擾能力,設計了前級驅動電路,如圖3所示。

    驅動信號先后經(jīng)過了電平轉換、電平箝位、死區(qū)/互鎖電路和波形整形最終送入2SC0108T模塊。因2SC0108T為高電平驅動方式,所以此功能電路設計成輸入信號相對輸出信號為反邏輯,即控制器驅動信號為低電平時,加在IGBT上的柵壓為正向柵壓來觸發(fā)IGBT導通;反之,IGBT關斷。當控制器上電復位或出現(xiàn)故障時,驅動信號為高電平,從而關斷IGBT,提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
    由Q101、Q102構成的電路網(wǎng)絡主要完成兩路信號的互鎖和死區(qū)時間的設定,兩路驅動信號的死區(qū)時間可以通過穩(wěn)壓管D108、D109的穩(wěn)壓值來調節(jié),直接模式下(Rm=150 k?贅),穩(wěn)壓管D108、D109的穩(wěn)壓值為3.3 V。硬件死區(qū)電路有效時,經(jīng)試驗測得死區(qū)時間為5.08 μs,死區(qū)時間可以滿足實際工程中的需要。表1為互鎖電路信號作用表。
    由表1可知,2SC0108T工作在直接模式下,由于有互鎖電路,避免了IGBT上下直通的可能。


2.3 故障信號調理電路
    故障狀態(tài)輸出端SO1、SO2實時顯示IGBT模塊和供電電源的狀態(tài),并通過故障報警信號調理電路上報控制器。
    因故障狀態(tài)輸出端SO1、SO2為集電極開路門電路,外部需接上拉電阻。當故障(初級側欠壓、二次側欠壓、IGBT過流或短路)發(fā)生時,相應的SOx輸出低電平;否則,輸出高電平。如果電源電壓欠壓,封鎖驅動器并且兩個故障輸出端同時發(fā)出報警信號,直到電源電壓工作正常。當二次側發(fā)生故障(檢測到IGBT模塊短路或電源欠壓)時,相應的故障輸出端發(fā)出報警信號,在一個死區(qū)時間過后,相應的故障信號消失[9]。所有故障狀態(tài)均通過故障信號調理電路上報控制器。因故障狀態(tài)輸出端SO1、SO2為集電極開路門電路,故將兩個故障輸出端直接短接實現(xiàn)“或非”邏輯,作為故障報警信號公共端。當上述任何一種故障發(fā)生時,均作為有效故障信號上報控制器,并做相應處理,這樣既可以簡化電路硬件設計又可以提高驅動器的可靠性。經(jīng)試驗測得驅動器的欠壓保護門限值為12.1 V,清除欠壓故障電壓門限值為12.8 V。
2.4 后級功率驅動電路
    IGBT后級驅動電路為驅動信號輸出通道和IGBT模塊之間的電路接口。二次側欠壓、IGBT過流或短路故障狀態(tài)的檢測都是由后級功率驅動電路實現(xiàn),如圖4所示。

    VCE為IGBT集電極檢測端,為了檢測IGBT過流或短路,集電極檢測端須通過圖4所示的電路連接到IGBT的輔助集電極上。GH和GL分別為柵極開啟和關斷端,通過開啟、關斷柵極限流串并網(wǎng)絡連接到IGBT的柵極。柵極限流阻值對驅動信號的前后沿陡度和IGBT的開關特性有影響。當阻值增大時,可以抑制柵極脈沖前后沿陡度、防止寄生振蕩、減小開關dic/dt值、限制IGBT集電極尖峰電壓;當阻值減小時,可能會導致G、E之間發(fā)生振蕩以及IGBT集電極dic/dt值增加,引起IGBT集電極尖峰電壓,使IGBT損壞。該功能電路的作用是,若柵極限流電阻發(fā)生開路故障,此電阻網(wǎng)絡的阻值會增加,可以抑制驅動信號前后沿陡度、減小開關dic/dt值,可以保證即使柵極限流網(wǎng)絡發(fā)生開路故障時,還能夠觸發(fā)IGBT,從而提高柵極后級驅動電路的可靠性[10]。
    二極管D1、D2用于二次側欠壓保護。當柵極驅動信號電壓欠壓時,不能觸發(fā)IGBT導通,二極管因承受正向電壓而導通,集電極檢測端電壓升高到設定值時,封鎖相應的后級柵極驅動通道并通過故障輸出端發(fā)出報警信號。為了防止誤觸發(fā),二極管漏電流必須小。因正常導通時柵極驅動電壓為+15 V,IGBT輔助集電極電壓相對較低,為防止二極管反向擊穿,其阻斷電壓應大于40 V。
    當柵極處于失控狀態(tài)、主電路突加電壓時,由于集電極-柵極、柵極-發(fā)射極存在寄生電容,集電極電勢的突然變化,就會有大小為C·du/dt的電流流過寄生電容(C為寄生電容容值),使柵極電勢上升,誤觸發(fā)IGBT。為防止上述情況的發(fā)生,在GL和VE之間接一電阻Reg,為IGBT的柵極和發(fā)射極提供一個低阻抗回路,其阻值要求為22 kΩ或更大。
    REF端內部集成有可以提供150 μA的恒流源,參考電阻Rth的阻值通過如下公式進行計算:
    
    實際應用中,設計者可以根據(jù)IGBT模塊的過流倍數(shù)來選取合適的關斷門限值。
    CA1、CA2為響應時間電容,其作用是以電阻Rth端電壓為參考,通過與其串聯(lián)電阻的充電時間特性來確定響應時間。
    當觸發(fā)IGBT導通時,測試信號無效。而IGBT導通需經(jīng)過一定的開通時間,如果沒有響應時間電容Ca,則在IGBT開通過程中,將導致比較器正極性端電壓高于Vth而誤報警。若電容選擇合適,在IGBT開通過程中,使電容充電時間大于開通時間即可避免上述情況的發(fā)生。通常情況下,不同額定電流值的IGBT模塊導通壓降不同。額定電流為450 A的IGBT的導通壓降一般情況為2 V,若IGBT工作中發(fā)生過流,其集電極電壓會上升,并且正比于電流值。過流故障發(fā)生前電容Ca的電壓為正常導通壓降,過流時電容兩端的電壓與時間的關系為:y=2e-t/RC+UCE(1-e-t/RC)。當響應時間電容為33 pF,電阻R為120 kΩ,Vth為5.85 V,過流導通壓降UCE為10 V時的MATLAB仿真曲線如圖5所示。

    實踐中可以通過選擇響應時間電容的容值,關斷門限值電壓Vth,IGBT過流倍數(shù)來計算圖5中t1的值:
    
    與傳統(tǒng)的IGBT驅動器相比,即插即用型驅動器采用了與IGBT模塊一體化的設計思想,減小了驅動信號線上寄生電容和寄生電感的影響,提高了驅動器的可靠性。本文基于2SC0108的即插即用型IGBT驅動器,通過對前級驅動電路、后級功率驅動電路及故障信號調理電路的設計,實現(xiàn)了多工作模式可選、多種故障狀態(tài)檢測及保護等功能。即插即用型IGBT驅動器的調試、試驗和工程應用都驗證了本驅動器設計的有效性和實用性。
參考文獻
[1] 周志敏,紀愛華.高效功率器件驅動與保護電路[M].北京:人民郵電出版社,2009.
[2] SCHWARZER U,RIK W,DONCKER D.Design and Implementation of a driver board for a high power and high frequency IGBT inverter[A].Power Electronics Specialists Conference,IEEE,2002.
[3] 黃先進,蔣曉春,葉斌,等.智能化IGBT驅動電路研究[J]. 電工技術學報,2005,20(4):89-93.
[4] THALHEIM J,GARCIA O.Highly flexible and low-cost gate driver cores for voltage classes of up to 3300V[J]. Bodos′s Power Systems Magazine,2009(6):26-27.
[5] HORNKAMP M,PAWEL S,GARCIA O.Latest generation IGBT gate drivers[J].Power Systems Design Europe Magazie,2009(10):21-23.
[6] 徐延東,張舟云,徐國卿.一種用于大功率IGBT模塊的驅動電路[J].微特電機,2004(8):29-35.
[7] GRBOVIC P J,GRUSON F,IDIR N,et al.Turn performance  of reverse blocking IGBT(RB IGBT) and optimization using advanced gate driver[J].Power Electronics,IEEE Transactions IEEE,2010(4):970-980.
[8] ZHANG B,HUANG A Q,CHEN B.A novel IGBT gate driver to eliminate the dead-time effect[A].Industry Applications Conference,IEEE,2005.
[9] THALHEIM J,RUEDI H.Smart power chip turing[J].Bodos′s Power Systems Magazine,2007(5):20-23.
[10] 潘星,劉會金.IGBT功率器件工作中存在的問題及解決方法[J].電力自動化設備,2004(9):9-14.
[11] Using the NTC inside a Power Electronic Module.Infineon Technologies AG[EB/OL].www.infineon.com.2010.10.
[12] MAJUMDAR B,MUKHERJEE P,TALUKDAR F A,et al. IGBT gate drive circuit with in-built protection and immunity to transient fault[A].Industrial Technology IEEE International Conference,IEEE,2000.

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