文獻標識碼: A
文章編號: 0258-7998(2011)02-0067-04
IGBT具有耐壓高、電流大、開關速度高和低飽和壓降等優(yōu)良特點,在牽引電傳動、電能傳輸與變換、有源濾波等電力電子領域得到了廣泛的應用[1]。
IGBT模塊的保護主要由IGBT驅動器來完成。驅動器是功率主電路與控制電路之間的接口,在充分發(fā)揮IGBT的性能、提高系統(tǒng)可靠性等方面發(fā)揮著重要作用[2]。高性能的驅動器可使IGBT工作在比較理想的開關狀態(tài),如開關延時小、開關損耗低等[3]。本文提出的驅動器設計采用瑞士CONCEPT公司最新推出的2SC0108T模塊作為核心部件[4],設計了前級驅動電路、硬件死區(qū)電路、后級功率驅動電路、故障信號調理電路,試驗結果證明該驅動器具有良好的驅動及保護能力。
1 2SC0108T簡介
2SC0108T是一款高集成度低成本的超小型SCALE-2雙通道驅動器。接口兼容3.3 V~15 V邏輯電平信號,柵極驅動電壓為+15 V/-8 V,驅動電流為8 A,單通道輸出功率為1 W,可以驅動600 A/1 200 V或 450 A/1 700 V的常規(guī)IGBT模塊或并聯(lián)IGBT模塊,支持3級或多級拓撲。具有短路保護、過流保護和電源電壓監(jiān)控等功能。延遲時間為80 ns±4 ns,抖動時間為± 2ns[5]。
為了使2SC0108T在主回路中的性能達到最優(yōu),必須設計相應的外圍硬件電路,如驅動信號調理電路、IGBT功率驅動電路和故障信號調理電路,并集成到IGBT驅動器中。由于IGBT驅動信號頻率較高,容易對其他模擬信號和數(shù)字信號造成干擾,而且,驅動信號線寄生電容和寄生電感對驅動器的性能、可靠性有重要影響[6],因此,傳統(tǒng)的安裝模式為驅動器和IGBT模塊獨立安裝,通過雙絞線連接以減少寄生電容、寄生電感的影響。本文從減小信號線寄生電容、寄生電感和電磁干擾(EMI)方面考慮,設計了一個直接安裝于IGBT模塊上的即插即用型IGBT驅動器。
2SC0108T內部結構圖如圖1所示,主要由三個功能模塊構成,即邏輯驅動轉化接口LDI(Logic-to-Driver Interface)、電氣隔離模塊和智能柵極驅動IGD(Intelligent Gate Driver)。
第一個功能模塊是由輔助電源和信號輸入兩部分組成。其中信號輸入部分主要將控制器的PWM信號進行整形放大,并根據(jù)需要進行控制,之后傳遞到信號變壓器,同時檢測從信號變壓器返回的故障信號,將故障信號處理后發(fā)送到故障輸出端;輔助電源的功能是將輸入的直流電壓經(jīng)過單端反激式變換電路,轉換成兩路隔離電源供給輸出驅動放大器使用。
第二個功能模塊是電氣隔離模塊,由兩個傳遞信號的脈沖變壓器和傳遞功率的電源變壓器組成。防止功率驅動電路中大電流、高電壓對一次側信號的干擾。
第三個功能模塊是驅動信號輸出模塊,IGD主要對信號變壓器的信號進行解調和放大,對IGBT的短路和過流進行檢測,并進行故障存儲和短路保護。
2 IGBT驅動器設計
本文設計的IGBT驅動器主要由2SC0108T模塊、前級驅動電路、后級功率驅動電路、故障信號調理電路構成,驅動器功能框圖如圖2所示。
由控制器產(chǎn)生的驅動信號A和B,經(jīng)過前級驅動電路調理后,分別送入2SC0108T驅動信號端INA和INB,INA和INB分別控制IGBT模塊的上橋臂和下橋臂。故障報警信號經(jīng)信號調理電路輸出。由于需要檢測IGBT的過流、短路、二次側電壓等故障狀態(tài),以增強驅動信號的觸發(fā)能力并改善IGBT的開關特性[7],設計了后級功率驅動電路。
2.2 前級驅動電路
由于驅動器置于IGBT模塊上,控制器與驅動板之間的邏輯信號走線相對較長。為了提高信號的驅動能力和抗干擾能力,設計了前級驅動電路,如圖3所示。
驅動信號先后經(jīng)過了電平轉換、電平箝位、死區(qū)/互鎖電路和波形整形最終送入2SC0108T模塊。因2SC0108T為高電平驅動方式,所以此功能電路設計成輸入信號相對輸出信號為反邏輯,即控制器驅動信號為低電平時,加在IGBT上的柵壓為正向柵壓來觸發(fā)IGBT導通;反之,IGBT關斷。當控制器上電復位或出現(xiàn)故障時,驅動信號為高電平,從而關斷IGBT,提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
由Q101、Q102構成的電路網(wǎng)絡主要完成兩路信號的互鎖和死區(qū)時間的設定,兩路驅動信號的死區(qū)時間可以通過穩(wěn)壓管D108、D109的穩(wěn)壓值來調節(jié),直接模式下(Rm=150 k?贅),穩(wěn)壓管D108、D109的穩(wěn)壓值為3.3 V。硬件死區(qū)電路有效時,經(jīng)試驗測得死區(qū)時間為5.08 μs,死區(qū)時間可以滿足實際工程中的需要。表1為互鎖電路信號作用表。
由表1可知,2SC0108T工作在直接模式下,由于有互鎖電路,避免了IGBT上下直通的可能。
2.3 故障信號調理電路
故障狀態(tài)輸出端SO1、SO2實時顯示IGBT模塊和供電電源的狀態(tài),并通過故障報警信號調理電路上報控制器。
因故障狀態(tài)輸出端SO1、SO2為集電極開路門電路,外部需接上拉電阻。當故障(初級側欠壓、二次側欠壓、IGBT過流或短路)發(fā)生時,相應的SOx輸出低電平;否則,輸出高電平。如果電源電壓欠壓,封鎖驅動器并且兩個故障輸出端同時發(fā)出報警信號,直到電源電壓工作正常。當二次側發(fā)生故障(檢測到IGBT模塊短路或電源欠壓)時,相應的故障輸出端發(fā)出報警信號,在一個死區(qū)時間過后,相應的故障信號消失[9]。所有故障狀態(tài)均通過故障信號調理電路上報控制器。因故障狀態(tài)輸出端SO1、SO2為集電極開路門電路,故將兩個故障輸出端直接短接實現(xiàn)“或非”邏輯,作為故障報警信號公共端。當上述任何一種故障發(fā)生時,均作為有效故障信號上報控制器,并做相應處理,這樣既可以簡化電路硬件設計又可以提高驅動器的可靠性。經(jīng)試驗測得驅動器的欠壓保護門限值為12.1 V,清除欠壓故障電壓門限值為12.8 V。
2.4 后級功率驅動電路
IGBT后級驅動電路為驅動信號輸出通道和IGBT模塊之間的電路接口。二次側欠壓、IGBT過流或短路故障狀態(tài)的檢測都是由后級功率驅動電路實現(xiàn),如圖4所示。
VCE為IGBT集電極檢測端,為了檢測IGBT過流或短路,集電極檢測端須通過圖4所示的電路連接到IGBT的輔助集電極上。GH和GL分別為柵極開啟和關斷端,通過開啟、關斷柵極限流串并網(wǎng)絡連接到IGBT的柵極。柵極限流阻值對驅動信號的前后沿陡度和IGBT的開關特性有影響。當阻值增大時,可以抑制柵極脈沖前后沿陡度、防止寄生振蕩、減小開關dic/dt值、限制IGBT集電極尖峰電壓;當阻值減小時,可能會導致G、E之間發(fā)生振蕩以及IGBT集電極dic/dt值增加,引起IGBT集電極尖峰電壓,使IGBT損壞。該功能電路的作用是,若柵極限流電阻發(fā)生開路故障,此電阻網(wǎng)絡的阻值會增加,可以抑制驅動信號前后沿陡度、減小開關dic/dt值,可以保證即使柵極限流網(wǎng)絡發(fā)生開路故障時,還能夠觸發(fā)IGBT,從而提高柵極后級驅動電路的可靠性[10]。
二極管D1、D2用于二次側欠壓保護。當柵極驅動信號電壓欠壓時,不能觸發(fā)IGBT導通,二極管因承受正向電壓而導通,集電極檢測端電壓升高到設定值時,封鎖相應的后級柵極驅動通道并通過故障輸出端發(fā)出報警信號。為了防止誤觸發(fā),二極管漏電流必須小。因正常導通時柵極驅動電壓為+15 V,IGBT輔助集電極電壓相對較低,為防止二極管反向擊穿,其阻斷電壓應大于40 V。
當柵極處于失控狀態(tài)、主電路突加電壓時,由于集電極-柵極、柵極-發(fā)射極存在寄生電容,集電極電勢的突然變化,就會有大小為C·du/dt的電流流過寄生電容(C為寄生電容容值),使柵極電勢上升,誤觸發(fā)IGBT。為防止上述情況的發(fā)生,在GL和VE之間接一電阻Reg,為IGBT的柵極和發(fā)射極提供一個低阻抗回路,其阻值要求為22 kΩ或更大。
REF端內部集成有可以提供150 μA的恒流源,參考電阻Rth的阻值通過如下公式進行計算:
實際應用中,設計者可以根據(jù)IGBT模塊的過流倍數(shù)來選取合適的關斷門限值。
CA1、CA2為響應時間電容,其作用是以電阻Rth端電壓為參考,通過與其串聯(lián)電阻的充電時間特性來確定響應時間。
當觸發(fā)IGBT導通時,測試信號無效。而IGBT導通需經(jīng)過一定的開通時間,如果沒有響應時間電容Ca,則在IGBT開通過程中,將導致比較器正極性端電壓高于Vth而誤報警。若電容選擇合適,在IGBT開通過程中,使電容充電時間大于開通時間即可避免上述情況的發(fā)生。通常情況下,不同額定電流值的IGBT模塊導通壓降不同。額定電流為450 A的IGBT的導通壓降一般情況為2 V,若IGBT工作中發(fā)生過流,其集電極電壓會上升,并且正比于電流值。過流故障發(fā)生前電容Ca的電壓為正常導通壓降,過流時電容兩端的電壓與時間的關系為:y=2e-t/RC+UCE(1-e-t/RC)。當響應時間電容為33 pF,電阻R為120 kΩ,Vth為5.85 V,過流導通壓降UCE為10 V時的MATLAB仿真曲線如圖5所示。
實踐中可以通過選擇響應時間電容的容值,關斷門限值電壓Vth,IGBT過流倍數(shù)來計算圖5中t1的值:
與傳統(tǒng)的IGBT驅動器相比,即插即用型驅動器采用了與IGBT模塊一體化的設計思想,減小了驅動信號線上寄生電容和寄生電感的影響,提高了驅動器的可靠性。本文基于2SC0108的即插即用型IGBT驅動器,通過對前級驅動電路、后級功率驅動電路及故障信號調理電路的設計,實現(xiàn)了多工作模式可選、多種故障狀態(tài)檢測及保護等功能。即插即用型IGBT驅動器的調試、試驗和工程應用都驗證了本驅動器設計的有效性和實用性。
參考文獻
[1] 周志敏,紀愛華.高效功率器件驅動與保護電路[M].北京:人民郵電出版社,2009.
[2] SCHWARZER U,RIK W,DONCKER D.Design and Implementation of a driver board for a high power and high frequency IGBT inverter[A].Power Electronics Specialists Conference,IEEE,2002.
[3] 黃先進,蔣曉春,葉斌,等.智能化IGBT驅動電路研究[J]. 電工技術學報,2005,20(4):89-93.
[4] THALHEIM J,GARCIA O.Highly flexible and low-cost gate driver cores for voltage classes of up to 3300V[J]. Bodos′s Power Systems Magazine,2009(6):26-27.
[5] HORNKAMP M,PAWEL S,GARCIA O.Latest generation IGBT gate drivers[J].Power Systems Design Europe Magazie,2009(10):21-23.
[6] 徐延東,張舟云,徐國卿.一種用于大功率IGBT模塊的驅動電路[J].微特電機,2004(8):29-35.
[7] GRBOVIC P J,GRUSON F,IDIR N,et al.Turn performance of reverse blocking IGBT(RB IGBT) and optimization using advanced gate driver[J].Power Electronics,IEEE Transactions IEEE,2010(4):970-980.
[8] ZHANG B,HUANG A Q,CHEN B.A novel IGBT gate driver to eliminate the dead-time effect[A].Industry Applications Conference,IEEE,2005.
[9] THALHEIM J,RUEDI H.Smart power chip turing[J].Bodos′s Power Systems Magazine,2007(5):20-23.
[10] 潘星,劉會金.IGBT功率器件工作中存在的問題及解決方法[J].電力自動化設備,2004(9):9-14.
[11] Using the NTC inside a Power Electronic Module.Infineon Technologies AG[EB/OL].www.infineon.com.2010.10.
[12] MAJUMDAR B,MUKHERJEE P,TALUKDAR F A,et al. IGBT gate drive circuit with in-built protection and immunity to transient fault[A].Industrial Technology IEEE International Conference,IEEE,2000.