NEC電子日前完成了8款低功耗" title="低功耗">低功耗版32位閃存微控制器" title="微控制器">微控制器的開(kāi)發(fā)，并將其作為全閃存微控制器" title="閃存微控制器">閃存微控制器的第一階段產(chǎn)品，于即日起開(kāi)始供應(yīng)樣品。此次推出的系列產(chǎn)品共包括4款Ｖ850ES/JG3-L產(chǎn)品和4款Ｖ850ES/JＦ3-L產(chǎn)品，它們均使用了低功耗技術(shù)" title="低功耗技術(shù)">低功耗技術(shù)，因此功耗僅為現(xiàn)有產(chǎn)品的一半左右。
新系列產(chǎn)品以32位全閃存微控制器“Ｖ850ES/JG3”為基礎(chǔ)，大幅度降低了功耗。該系列產(chǎn)品的最大" title="最大">最大優(yōu)勢(shì)在于功耗由以往的1.7mW/MIPS降低至0.9 mW/MIPS，該功耗值不僅約為NEC電子以往同類(lèi)產(chǎn)品的一半，而且低于普通16位微控制器的1MIPS的平均功耗值的一半。
通過(guò)使用新產(chǎn)品，用戶不僅可以用更小的功耗實(shí)現(xiàn)比16位微控制器更復(fù)雜的控制，而且可降低電池的消耗，輕松實(shí)現(xiàn)設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間使用及電池的小型化。
新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因存儲(chǔ)容量的不同而有所差異，其中集成了256KB閃存的“Ｖ850ES/JG3-L”的樣品價(jià)格約為600日元/個(gè)。批量生產(chǎn)將于2008年6月開(kāi)始，預(yù)計(jì)到2009年3月將達(dá)到月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模。 NEC電子為了幫助客戶縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，并在考慮到產(chǎn)品生命周期的基礎(chǔ)上幫助客戶減輕整體成本壓力，于2004年11月公布了“All Flash宣言”，即新開(kāi)發(fā)的微控制器的內(nèi)置ROM全部使用閃存存儲(chǔ)器，并隨即推出了8款8位閃存微控制器。之后，NEC電子又相繼于2005年9月及2006年2月分別推出了32位閃存微控制器及16位閃存微控制器。2007年7月閃存微控制器的生產(chǎn)達(dá)3,000萬(wàn)個(gè)/月，成為帶動(dòng)NEC電子業(yè)務(wù)發(fā)展的重要產(chǎn)品之一。
此外，在家電產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用微控制器的領(lǐng)域，與地球環(huán)保息息相關(guān)的“節(jié)能化”成為決定產(chǎn)品優(yōu)劣的重要因素，用戶對(duì)提供能實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整體的低功耗化的器件及功能的需求越來(lái)越強(qiáng)烈。
為了滿足客戶需求，在低功耗技術(shù)領(lǐng)域位于領(lǐng)先地位的NEC電子在微控制器領(lǐng)域也以“超低功耗”為目標(biāo)，積極地推進(jìn)研發(fā)工作。此次，NEC電子通過(guò)對(duì)消耗電流較大的電路及布線等進(jìn)行細(xì)致分析，改良電路設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低功耗。
此次通過(guò)擴(kuò)展產(chǎn)品線，NEC電子可為用戶提供從8位到32位共324種全閃存微控制器產(chǎn)品，便于用戶根據(jù)自身的多樣需求選擇最合適的產(chǎn)品。
新產(chǎn)品的主要特征如下:??

（1）功耗降至現(xiàn)有產(chǎn)品的一半
新產(chǎn)品在NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品“Ｖ850ES/JG3”的基礎(chǔ)上大幅度降低了功耗。在構(gòu)成微控制器的電路中閃存是功耗最大的電路之一。在新產(chǎn)品中，NEC電子通過(guò)新開(kāi)發(fā)出的電路，可以在微控制器工作過(guò)程中不需要使用閃存時(shí)將其電源關(guān)閉，降低了微控制器驅(qū)動(dòng)時(shí)的功耗。該系列產(chǎn)品的最大優(yōu)勢(shì)在于功耗由以往的1.7mW/MIPS降低至0.9 mW/MIPS，該功耗值不僅約為NEC電子以往同類(lèi)產(chǎn)品的一半，而且還不到普通16位微控制器的平均1MIPS的功耗值/的一半。 ? （2）可在低電壓下工作
通常，在微控制器內(nèi)部，為了能以最佳狀態(tài)處理電氣信號(hào)，數(shù)字部分僅處理數(shù)字信號(hào)，模擬部分則負(fù)責(zé)數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的轉(zhuǎn)化，這兩部分有很大的差別。以往，同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩者時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為3.0V，僅驅(qū)動(dòng)數(shù)字部分時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為2.85V，而此次推出的新產(chǎn)品可在前者為2.7V，后者為2.2V的低電壓環(huán)境下工作。 ? （3）與現(xiàn)有產(chǎn)品兼容
此次推出的所有的新產(chǎn)品都可使用現(xiàn)有產(chǎn)品的軟件、周邊功能及開(kāi)發(fā)工具等。因此，使用現(xiàn)有產(chǎn)品的用戶可以沿用以往的軟硬件資產(chǎn)及開(kāi)發(fā)工具。其中Ｖ850ES/JG3-L與現(xiàn)有產(chǎn)品Ｖ850ES/JG3引腳完全相同，有利于用戶使用現(xiàn)有的資源。 ? NEC電子此次推出的新產(chǎn)品是需要使用低功耗化微控制器用戶的最佳選擇，NEC電子將會(huì)針對(duì)需要此類(lèi)產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域展開(kāi)積極的銷(xiāo)售活動(dòng)，并將進(jìn)一步推動(dòng)微控制器的低功耗化，展開(kāi)更積極的研發(fā)活動(dòng)，引領(lǐng)該領(lǐng)域的發(fā)展。
新產(chǎn)品的主要規(guī)格請(qǐng)參照附件。 ?
(備注1) 本新聞稿中所涉及的產(chǎn)品名及服務(wù)名均為其所有者的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
(備注2)新產(chǎn)品所使用的SuperFlash?技術(shù)已獲得Silicon Storage Technology, Inc的授權(quán)。SuperFlash?是美國(guó)Silicon Storage Technology, Inc在美國(guó)及日本等國(guó)的注冊(cè)商標(biāo)。??

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