女子张腿扒开看高潮视频,97一区二区在线播放

解決方案

基于PN512設計的13.56MHz無接觸通信收發(fā)技術[模擬設計][其他]

PN512是高度集成的13.56MHz無接觸通信收發(fā)器,支持四種不同的工作模式:讀/寫模式支持ISO/IEC14443A/MIFARE和FeliCa方案以及支持ISO/IEC14443B,卡運作模式支持14443A/MIFARE和FeliCa方案和支持NFCIP-1模式.本文介紹PN512主要特性, 方框圖, ISO/IEC14443A/MIFARE和FeliCa讀/寫模式通信框圖, 共同讀/寫選通與主控制器連接框圖以及典型應用電路圖.

發(fā)表于：11/30/2011 12:00:00 AM

滿足高性能和功效要求的單芯片CCM PFC及LLC組合控制器[電源技術][其他]

計算機、服務器及平板電視向來是能效規(guī)范機構的重要目標，這些設備必須在滿足高性能的同時符合最新能效要求。安森美半導體身為領先廠商，一直致力于推出符合最新能效規(guī)范的電源控制器。本文將介紹安森美半導體應用于計算機電源及平板電視的高能效、高性能功率因數(shù)校正(PFC)及半橋諧振雙電感加單電容(LLC)組合控制器NCP1910的主要特性及電源段的應用設計要點，幫助工程師更好地采用NCP1910進行相關的電源設計。

發(fā)表于：11/30/2011 12:00:00 AM

STSTEVAL-ILL013V180W離線LED驅動方案[電源技術][其他]

ST公司的STEVAL-ILL013V1是采用L6562A的80W離線LED驅動器,LED電流可設定為350mA,700mA和1A,效率約90%,輸入電壓88V到265VAC,110VAC適得其反功率因素為0.99,230VAC為0.98V,通用的PWM調光輸入,亮度調整在0%到100%之間,和EN55015與EN61000-3-2兼容.本文介紹了L6562A主要特性,方框圖,以及80WLED驅動演示板STEVAL-ILL013V1主要特性,框圖,改進型設計電路和材料清單.

發(fā)表于：11/30/2011 12:00:00 AM

FairchildFSEZ1317NY6WLED照明驅動解決方案[電源技術][其他]

Fairchild公司的FSEZ1317NY是第三代初級邊調整(PSR)和高度集成PWM控制器,待機功耗低于300mW,高壓起動,具有最少的外接元件,沒有次級反饋電路的恒壓(CV)和恒流(CC)控制,PWM固定頻率50kHz,主要用在手機,無繩電話,PDA,數(shù)碼相機等充電器,替代線性變壓器和RCC開關電源(SMPS).本文介紹了FSEZ1317主要特性,功能方框圖,簡化PSR反激轉換器電路圖,高壓起動電路圖和6WLED照明驅動器主要特性,電路圖和變壓器電路圖.

發(fā)表于：11/30/2011 12:00:00 AM

從興電子:基于SOA的項目的實施指導方案[通信與網(wǎng)絡][其他]

基于SOA的項目的實施指導方案,SOA（service-orientedarchitecture），面向服務的架構，是近幾年最熱門

發(fā)表于：11/29/2011 5:37:23 PM

安森美：滿足高性能和功效要求的單芯片CCM PFC及LLC組合控制器[電源技術][其他]

計算機、服務器及平板電視向來是能效規(guī)范機構的重要目標，這些設備必須在滿足高性能的同時符合最新能效要求。安森美半導體身為領先廠商，一直致力于推出符合最新能效規(guī)范的電源控制器。本文將介紹安森美半導體應用于計算機ATX電源及平板電視的高能效、高性能功率因數(shù)校正(PFC)及半橋諧振雙電感加單電容(LLC)組合控制器NCP1910的主要特性及電源段的應用設計要點，幫助工程師更好地采用NCP1910進行相關的電源設計。

發(fā)表于：11/29/2011 8:29:50 AM

接地電阻的測量原理與注意事項[電源技術][其他]

為了將電荷泄放入地，需要在土壤中埋設金屬導體（接地體），將電氣設備的某個部分用導線（接地線）與接地體相連，稱為接地。接地體和接地線的總體稱為接地裝置。

發(fā)表于：11/29/2011 12:00:00 AM

滿足高性能和功效要求的單芯片CCM PFC及LLC組合控制器NCP1910[電源技術][其他]

本文將介紹安森美半導體應用于計算機ATX電源及平板電視的高能效、高性能功率因數(shù)校正(PFC)及半橋諧振雙電感加單電容(LLC)組合控制器NCP1910的主要特性及電源段的應用設計要點，幫助工程師更好地采用NCP1910進行相關的電源設計。

發(fā)表于：11/29/2011 12:00:00 AM

IGBT選型需要注意諸多事項[電源技術][其他]

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是總線電壓幾百至上千伏的應用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導通特性，同時擁有與MOSFET十分相似的柵極結構，能實現(xiàn)輕松控制。此外，由于無需采用集成式反向二極管，這使制造商能夠靈活地選擇針對應用優(yōu)化的快速“復合封裝（co-pak）”二極管（IGBT和二極管采用同一個封裝），這與固有MOSFET二極管相反，固有MOSFET二極管的反向恢復電荷Qrr和反向恢復時間trr會隨著額定電壓的升高而增大。

發(fā)表于：11/29/2011 12:00:00 AM

同步整流帶來的不僅僅是高效率[電源技術][其他]

您是否曾經(jīng)應要求設計過一種輕負載狀態(tài)下具有良好負載瞬態(tài)響應的電源呢？如果是，并且您還允許電源非連續(xù)，那么您可能會發(fā)現(xiàn)控制環(huán)路的增益在輕負載狀態(tài)下急劇下降。這會導致較差的瞬態(tài)響應，并且需要大量的輸出濾波電容器。一種更簡單的方法是讓電源在所有負載狀態(tài)下都為連續(xù)。

發(fā)表于：11/29/2011 12:00:00 AM