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恩智浦發(fā)布新一代NTAG X DNA NFC互聯(lián)標(biāo)簽，實現(xiàn)安全身份驗證

中國上海——2025年5月28日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出新一代Type 4安全互聯(lián)NFC標(biāo)簽——NTAG X DNA。

發(fā)表于：5/29/2025

美國宣布禁止“存在安全風(fēng)險”中國實驗室提供FCC認(rèn)證

當(dāng)?shù)貢r間2025年5月22日，美國聯(lián)邦通信委員會（FCC）以4:0表決通過了新規(guī)定，以阻止和消除中國和其他不值得信任的行為者對進(jìn)入美國銷售的無線設(shè)備檢測認(rèn)證授權(quán)過程的控制權(quán)。這些規(guī)則將確保數(shù)百個設(shè)備測試實驗室和電信認(rèn)證機(jī)構(gòu)——負(fù)責(zé)測試、審查和認(rèn)證在美國進(jìn)口、營銷和銷售的無線電子設(shè)備的實體——不擁有構(gòu)成國家安全風(fēng)險的所有權(quán)利益，包括他們可能會被外國對手競標(biāo)的風(fēng)險。

發(fā)表于：5/26/2025

【熱門活動】2025中國西部微波射頻技術(shù)研討會

“2025中國西部微波射頻技術(shù)研討會，暨第三十屆國際電子測試測量研討會”繼續(xù)由《電子技術(shù)應(yīng)用》與中國電子展組委會共同策劃，邀請了國內(nèi)外先進(jìn)半導(dǎo)體廠商、測試測量廠商、資深技術(shù)專家，助力設(shè)計人員深入了解微波/射頻設(shè)計及測試中使用的技術(shù)和技巧，切實解決工程師們遇到的特殊設(shè)計難題！

發(fā)表于：5/23/2025

2025年Q1全球微波傳輸市場表現(xiàn)強(qiáng)勁

北京時間5月21日消息，根據(jù)市場研究公司Dell'Oro Group最新發(fā)布的報告，全球微波傳輸市場在2025年第一季度延續(xù)同比增長態(tài)勢，實現(xiàn)強(qiáng)勁同比增長。

發(fā)表于：5/22/2025

羅德與施瓦茨和蓋瑞特聯(lián)合開發(fā)高安全等級安檢應(yīng)用集成解決方案

　　蓋瑞特（Garrett）將其步行通過式金屬探測器與羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）QPS201毫米波安檢儀進(jìn)行集成。該聯(lián)合解決方案特別適用于監(jiān)獄等高風(fēng)險場景，以及貴金屬行業(yè)的防損應(yīng)用。QPS201采用先進(jìn)的毫米波（mmWave）技術(shù)，能夠檢測各類材質(zhì)的物品。而在高安保等級的安檢場景中，蓋瑞特Paragon步行通過式金屬探測器通過識別極其微小或體內(nèi)藏匿的金屬威脅，為毫米波檢測提供了獨特補(bǔ)充，從而為防范隱蔽攜帶物品提供了更多安全保障層級。

發(fā)表于：5/16/2025

EMV 2025：羅德與施瓦茨推出新型天線

　　在斯圖加特舉辦的EMV 2025展會上，羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）首次推出了其高性能的R&S HF1444G14高增益EMI微波天線。這款天線覆蓋了14.9 GHz至44 GHz的頻率范圍，完全符合CISPR 16-1-4和CISPR 16-2-3標(biāo)準(zhǔn)的要求。憑借其精密的機(jī)械結(jié)構(gòu)和可選的獨立校準(zhǔn)，R&S HF1444G14成為電磁干擾（EMI）測量的理想選擇。該產(chǎn)品的推出不僅順應(yīng)了行業(yè)向更高頻率發(fā)展的趨勢，還顯著提升了在小型暗室中對大型物體的測試效率，進(jìn)一步簡化了測試流程。

發(fā)表于：5/16/2025

Ka頻段小型化氣密寬帶功放組件研制

介紹了一種Ka頻段小型化氣密寬帶功放組件的工程實現(xiàn)。使用16片GaN功率芯片，1片GaAs驅(qū)動芯片，同時采用微帶環(huán)形電橋功分器與波導(dǎo)功分/合成網(wǎng)絡(luò)相結(jié)合的方式進(jìn)行功率合成，采用同軸探針式波導(dǎo)氣密封電路與射頻腔體激光封焊對功放模塊射頻電路進(jìn)行整體氣密封裝以避免鹽霧和低氣壓等環(huán)境對功放可靠性的影響。最終得到的功放組件在25~31 GHz的寬工作頻帶內(nèi)連續(xù)波飽和輸出功率大于140 W，同時使用翅片散熱器的強(qiáng)制風(fēng)冷方案，提高了散熱器的換熱效率，散熱性能良好。功放技術(shù)狀態(tài)穩(wěn)定，可靠性及實用性滿足工程使用要求，適用于測控、通信、電子對抗等領(lǐng)域的微波發(fā)射系統(tǒng)。

發(fā)表于：5/15/2025

基于Kriging插值的天線近場測量誤差修正方法

隨著天線技術(shù)的不斷發(fā)展，近場測量技術(shù)的重要性也在不斷增加，近場測量過程中部分探頭故障或者采樣點間隔過大會導(dǎo)致外推的遠(yuǎn)場方向圖誤差較大，為了減少這些誤差，提出了一種基于Kriging插值的天線近場測量誤差降低方法。首先，在HFSS中對矩形口徑喇叭天線進(jìn)行仿真。隨后，將采樣間隔為1°的近場數(shù)據(jù)與采樣間隔為6°的近場數(shù)據(jù)進(jìn)行近遠(yuǎn)變換并對比。在采樣間隔6°的基礎(chǔ)上，隨機(jī)減少30%的采樣點，并通過Kriging插值法填補(bǔ)缺失的數(shù)據(jù)，進(jìn)行近遠(yuǎn)場變換，并與仿真遠(yuǎn)場結(jié)果進(jìn)行對比。插值后的誤差與插值前的誤差相比，E面減少了1.65 dB，H面減少了4.93 dB，同時采樣點數(shù)減少了30%。結(jié)果表明，基于Kriging插值的近場數(shù)據(jù)修正方法能夠在近場采樣間隔過大時有效減少測量誤差，且在部分探頭故障時也能保持較高精度。

發(fā)表于：5/15/2025

意法半導(dǎo)體ST25R系列高性能NFC讀卡器新增車規(guī)產(chǎn)品，目標(biāo)應(yīng)用主打汽車數(shù)字鑰匙

2025年4月24日，中國 —— 意法半導(dǎo)體ST25R系列NFC讀卡器推出兩款喚醒速度和檢測距離俱佳的車規(guī)新產(chǎn)品，提升用戶體驗。

發(fā)表于：4/24/2025

基于開口環(huán)諧振器的二維線性位移微波傳感器

采用微波技術(shù)測量位移的方法，設(shè)計了一種基于開口環(huán)諧振器（Split Ring Resonator，SRR）的二維線性位移微波傳感器。傳感器由定子與動子兩部分構(gòu)成，其中定子由兩組不同尺寸的SRR耦合一條傳輸微帶線構(gòu)成，動子采用單面覆銅的FR-4介質(zhì)基板制成。動子二維移動時兩個SRR的諧振頻率將發(fā)生變化，傳輸零點也產(chǎn)生對應(yīng)偏移，從而建立起位移和傳輸零點的關(guān)系。此外通過對SRR加載缺陷地結(jié)構(gòu)，提高了檢測靈敏度。經(jīng)電磁建模和仿真，傳感器在1 GHz至3.2 GHz范圍內(nèi)產(chǎn)生兩個傳輸零點，可在x和y方向表征0~6 mm的位移，靈敏度分別為122 MHz/mm和82 MHz/mm。制作并測試了傳感器實物，實測與仿真的數(shù)據(jù)基本吻合，證實了該傳感器設(shè)計的有效性。

發(fā)表于：4/22/2025

K波段跨導(dǎo)增強(qiáng)雙路噪聲抵消低噪聲放大器

為滿足通信系統(tǒng)發(fā)展對高性能硅基低噪聲放大器的需要，提出了一種跨導(dǎo)增強(qiáng)雙路噪聲抵消電路拓?fù)洌軐w管噪聲進(jìn)行抵消，以實現(xiàn)良好的噪聲性能。共柵路徑中引入的跨導(dǎo)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步改善了增益與噪聲性能。基于以上拓?fù)湓O(shè)計了一款K波段低噪聲放大器，由共柵與共源兩條路徑組成，兩者互為反饋支路，通過兩路合成實現(xiàn)雙路的噪聲抵消。電路采用90 nm CMOS SOI工藝設(shè)計，芯片核心尺寸為500 μm×280 μm。仿真結(jié)果表明，在17~22 GHz頻帶內(nèi)實現(xiàn)了1.61~1.87 dB的噪聲系數(shù)和15.8 dB的峰值增益，1 dB壓縮點輸入功率為-4.3 dBm，體現(xiàn)了較好的噪聲性能與線性增益。

發(fā)表于：4/22/2025

一種陡峭截止的曲面三階帶通頻率選擇表面天線罩設(shè)計

針對傳統(tǒng)頻率選擇表面（ Frequency Selective Surface，F(xiàn)SS）天線罩存在結(jié)構(gòu)剖面高以及帶外截止性能不足等問題，提出了一種K波段具有帶外陡峭截止的低剖面帶通型FSS天線罩設(shè)計方法。該方法通過采用多層非諧振型FSS單元結(jié)構(gòu)及其電磁強(qiáng)耦合設(shè)計，實現(xiàn)了K波段三階帶通頻率選擇濾波特性。該天線罩不僅具有極低的剖面，而且實現(xiàn)了通帶到阻帶的快速陡峭過渡。進(jìn)一步采用多層電路板壓合技術(shù)和天線罩敷制工藝加工了該K波段曲面FSS天線罩樣件，不僅保證了天線罩的圖案加工精度，同時也確保了復(fù)雜曲面成型精度。最后，進(jìn)行了天線罩傳輸特性及對天線方向圖影響的測試驗證，測試結(jié)果與設(shè)計結(jié)果吻合較好，證明了設(shè)計方法的可行性。

發(fā)表于：4/22/2025

19~21 GHz GaAs高線性功率放大器MMIC

基于0.15 μm GaAs高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝研制了一款19~21 GHz的高線性功率放大器單片微波集成電路。高峰均比信號傳輸場景中，功率放大器的效率和線性度對射頻前端性能具有關(guān)鍵影響。該放大器在功放柵極級聯(lián)冷模線性化電路，以補(bǔ)償放大器輻相失真特性，進(jìn)而實現(xiàn)線性度和效率的提升，為克服冷模對電壓敏感問題，采用片上有源穩(wěn)壓及溫度補(bǔ)償偏置電路擴(kuò)展動態(tài)范圍，降低大動態(tài)失真，抑制工藝離散、外部離散等帶來的線性度惡化問題。測試結(jié)果表明，在19~21 GHz頻帶內(nèi)，飽和輸出功率為22.3~22.8 dBm，飽和功率附加效率為35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz頻點，輸出功率19 dBm時，三階互調(diào)失真均小于-30 dBc；6 dB峰均比、100 MHz正交頻分多路復(fù)用的64-QAM調(diào)制信號激勵下，平均輸出功率及對應(yīng)的功率附加效率為19 dBm和27%，實現(xiàn)了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的鄰道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的誤差矢量幅度。

發(fā)表于：4/22/2025

基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設(shè)計

傳統(tǒng)的功分器結(jié)構(gòu)由于高頻串?dāng)_明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結(jié)構(gòu)的Ka波段功分器。從電路拓?fù)涑霭l(fā)，對該器件進(jìn)行了電路設(shè)計、建模仿真與實驗驗證。測試結(jié)果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側(cè)具有傳輸零點的濾波響應(yīng)，實現(xiàn)了多線縫隙耦合的薄膜功分器設(shè)計。

發(fā)表于：4/21/2025

我國新型合成孔徑雷達(dá)三維成像技術(shù)發(fā)布

4 月 9 日消息，據(jù)新華社報道，我國科研團(tuán)隊開發(fā)的新型合成孔徑雷達(dá)（SAR）三維成像技術(shù) 4 月 9 日正式發(fā)布。此項技術(shù)可大幅減少 SAR 三維成像所需的數(shù)據(jù)采集量，同時提升成像精度，將為遙感測繪、災(zāi)害監(jiān)測等提供有力支撐。

發(fā)表于：4/10/2025