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解構(gòu)TC-SAW 高端濾波器的絕對主流（一）

TC-SAW(Temperature Compensated SAW Filter，溫度補(bǔ)償型聲表面波濾波器)是一種采用鈮酸鋰壓電襯底，表面覆蓋氧化硅溫度補(bǔ)償層，的高端濾波器。其基本結(jié)構(gòu)最早能追溯到1984年，由日本東北大學(xué)山內(nèi)教授首次發(fā)明[1]。最近十幾年，TC-SAW憑借顯著的性能和價(jià)格優(yōu)勢，成為大多數(shù)雙工器和高端TRx濾波器市場的主流技術(shù)。

發(fā)表于：9/17/2025

基于SiC IPD技術(shù)的小型化大功率Gysel功分器設(shè)計(jì)

功分器作為射頻前端重要的無源器件，不斷朝著小型化、大功率方向發(fā)展。為此，提出一種基于SiC IPD技術(shù)的新型Gysel功分器，采用π形和Bridged T-coil等效電路將分布式電路轉(zhuǎn)換成集總式拓?fù)?，?shí)現(xiàn)功分器的小型化設(shè)計(jì)。通過奇偶模分析方法給出集總等效電路的理論推導(dǎo)，并進(jìn)行HFSS全波仿真。集總電感和電容采用半導(dǎo)體工藝制造，加工精度高，感值容值精準(zhǔn)，器件性能穩(wěn)定。此外，基板采用具有良好的散熱能力的SiC材料，有利于提升器件的功率容量。測試結(jié)果表明，功分器在6.3~7.7 GHz范圍內(nèi)回波損耗大于10 dB，插損小于0.9 dB，端口隔離度在5~9 GHz范圍內(nèi)大于15 dB，電波長尺寸為0.10×0.05（λg×λg@f0），具有較高的工程應(yīng)用價(jià)值。

發(fā)表于：9/16/2025

設(shè)計(jì)參數(shù)對射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究

通過比較分析研究射頻開關(guān)管寬度與堆疊級(jí)數(shù)變化和柵極與體區(qū)偏置電阻對射頻開關(guān)性能的影響，主要包括前兩級(jí)射頻開關(guān)管寬度、不同級(jí)數(shù)射頻開關(guān)管寬度、逐步變化射頻開關(guān)管寬度和偏置電阻等設(shè)計(jì)參數(shù)，對射頻開關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響。研究結(jié)果為射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)提供參考。

發(fā)表于：9/16/2025

中興通訊聯(lián)合南非MTN實(shí)現(xiàn)全球首個(gè)5頻RRU商用部署

近日，中興通訊與南非MTN在西開普省達(dá)成里程碑式合作 —— 聯(lián)合實(shí)現(xiàn)全球首個(gè)5頻RRU的商用部署。這一成果不僅引領(lǐng)全球射頻技術(shù)進(jìn)入新發(fā)展階段，更為非洲通信行業(yè)的技術(shù)升級(jí)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。? 南非是非洲最大最先進(jìn)的通信市場之一，南非MTN在全國范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)超過97%的LTE人口覆蓋，為超過6000萬人口提供高質(zhì)量的通信服務(wù)，體現(xiàn)了其將高質(zhì)量通信服務(wù)延伸至偏遠(yuǎn)地區(qū)的長期承諾。

發(fā)表于：9/3/2025

成都華微發(fā)布4通道12位40G高速高精度射頻直采ADC芯片

9月1日晚間，成都華微電子科技股份有限公司（以下簡稱“成都華微”）發(fā)布公告稱，公司研發(fā)的4 通道12位40G 高速高精度射頻直采 ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）于近日成功發(fā)布。

發(fā)表于：9/2/2025

一種TR組件多路隔離電源加電順序控制電路

相控陣?yán)走_(dá)天線中的TR組件的多路直流電源需具備嚴(yán)格的加電順序，用以防止閂鎖效應(yīng)，避免邏輯電路未初始化時(shí)高壓誤觸發(fā)。針對TR組件中常用+28 V、+5 V、-5 V三種獨(dú)立不共地電源上電順序的工程需求，提出了一種基于三端穩(wěn)壓器TL431和光耦隔離的分級(jí)控制電路。通過光耦實(shí)現(xiàn)非共地電源間的電氣隔離，結(jié)合TL431的門限保護(hù)電路，精確控制各電壓的加電時(shí)序；并具備低成本、易擴(kuò)展的優(yōu)勢，是解決多路獨(dú)立電源供電設(shè)備加電順序的有效途徑，為工業(yè)設(shè)備的多電壓供電設(shè)計(jì)提供了可靠參考。

發(fā)表于：8/14/2025

W波段高集成多通道多功能封裝模塊研究

針對W波段射頻前端需求，設(shè)計(jì)了一組基于陶瓷封裝工藝的W波段四通道上變頻發(fā)射和下變頻接收模塊。該對模組均采用一次變頻架構(gòu)，上變頻發(fā)射模塊將78~80 GHz的信號(hào)經(jīng)混頻、放大、濾波傳輸后，傳輸?shù)教炀€端口實(shí)現(xiàn)上變頻至92~94 GHz頻段；下變頻接收模塊將92~94 GHz頻段信號(hào)經(jīng)過低噪聲放大、混頻、濾波傳輸后，進(jìn)入后端實(shí)現(xiàn)下變頻至78~80 GHz。該前端本振信號(hào)為X波段，實(shí)現(xiàn)功率分配和信號(hào)放大功能，為多通道提供中頻信號(hào)。為提高模塊射頻性能和可靠性和降低成本，設(shè)計(jì)了一種基于封裝上裝載技術(shù)（LOP）的濾波傳輸結(jié)構(gòu)。模塊實(shí)物測試結(jié)果表明：研發(fā)的W波段上變頻發(fā)射模塊在工作頻帶（92~94 GHz）內(nèi)輸出功率均大于12 dBm，輸出功率增益大于6 dB；W波段下變頻前端各通道在工作頻帶內(nèi)的噪聲小于9dB，增益大于10 dB。

發(fā)表于：8/14/2025

一種K波段變頻組件設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一種K波段變頻組件，該組件含上、下變頻通道，實(shí)現(xiàn)K波段射頻信號(hào)與中頻信號(hào)間的變頻轉(zhuǎn)換。通過進(jìn)行全鏈路級(jí)聯(lián)仿真分析與計(jì)算，優(yōu)化了鏈路的頻點(diǎn)規(guī)劃，合理規(guī)避了帶內(nèi)雜散；通過進(jìn)行三維電磁場仿真，優(yōu)化了鏈路的傳輸互聯(lián)結(jié)構(gòu)，改善了級(jí)間匹配特性。測試結(jié)果表明該組件具有雜散抑制度高、帶內(nèi)增益波動(dòng)小等特點(diǎn)，雜散抑制優(yōu)于60 dBc，帶內(nèi)波動(dòng)優(yōu)于±1 dB，鏡頻抑制優(yōu)于50 dBc，其他各項(xiàng)指標(biāo)均滿足設(shè)計(jì)要求。該設(shè)計(jì)方法也對變頻組件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了有益探索。

發(fā)表于：8/14/2025

X波段60 W高功率高效率功率放大器設(shè)計(jì)

基于0.25 μm柵長的GaN HEMT工藝，設(shè)計(jì)了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。該芯片的末級(jí)輸出端功率合成網(wǎng)絡(luò)在Bus-bar總線型的基礎(chǔ)上添加并聯(lián)LC到地枝節(jié)，達(dá)到優(yōu)化各路平衡度的目的，在實(shí)現(xiàn)高功率輸出的同時(shí)使芯片整體結(jié)構(gòu)緊湊且易于匹配。采用輸入端二次諧波阻抗匹配技術(shù)，在不影響輸出功率的前提下提升高頻效率。輸出級(jí)匹配結(jié)構(gòu)采用兩段串電感并電容匹配的方式，將輸出級(jí)阻抗匹配至目標(biāo)阻抗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)較低的匹配損耗。在脈寬100 μs、占空比10%測試條件下，該放大器飽和輸出功率在8~12 GHz范圍內(nèi)大于48 dBm，效率大于35%，功率增益為23 dB。芯片尺寸為3.97 mm×5 mm。

發(fā)表于：8/14/2025

2030年射頻前端市場將達(dá)697億美元

據(jù)Yole Group報(bào)告顯示，全球射頻半導(dǎo)體市場正面臨戰(zhàn)略轉(zhuǎn)折點(diǎn)，預(yù)計(jì)將從2024年的513億美元增長至2030年的697億美元，5G持續(xù)滲透、6G研發(fā)加速、汽車?yán)走_(dá)與國防電子戰(zhàn)的爆發(fā)，將成為三大核心驅(qū)動(dòng)力，汽車、國防、工業(yè)等將成為射頻應(yīng)用的“新藍(lán)?！?。

發(fā)表于：7/28/2025

基于雙射頻芯片級(jí)聯(lián)的雷視一體系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

在智能交通系統(tǒng)（Intelligent Transports System，ITS）領(lǐng)域，相較于單雷達(dá)和卡口相機(jī)的組合，雷視一體機(jī)有著成本低和數(shù)據(jù)融合的優(yōu)點(diǎn)?；谏漕l芯片級(jí)聯(lián)技術(shù)，對毫米波雷達(dá)性能進(jìn)行提升，并采用專業(yè)級(jí)的安防芯片，通過多傳感器融合，設(shè)計(jì)了一款具有遠(yuǎn)距離探測功能的雷視一體機(jī)系統(tǒng)。算法方面采用多傳感器融合算法，通過更換主干特征提取網(wǎng)絡(luò)和損失函數(shù)對目標(biāo)檢測算法YOLOv8n進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)后參數(shù)量減少24%，模型大小減小22%。通過交通實(shí)地場景測試，驗(yàn)證了雷視一體機(jī)系統(tǒng)的可靠性，最終實(shí)現(xiàn)交通路口場景的全方位監(jiān)測，且最遠(yuǎn)探測距離可以達(dá)到350 m，探測精度可達(dá)97%以上，符合遠(yuǎn)距交通雷視一體機(jī)的設(shè)計(jì)要求。

發(fā)表于：7/24/2025

電容網(wǎng)絡(luò)對射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究

通過比較分析研究電容網(wǎng)絡(luò)對射頻SOI開關(guān)功率承受能力的影響，主要包括射頻開關(guān)晶體管源極與漏極之間的橫向耦合電容Cdsn和射頻開關(guān)源極與漏極節(jié)點(diǎn)到GND的縱向耦合電容Cgndn。研究內(nèi)容包括射頻開關(guān)堆疊結(jié)構(gòu)Cdsn/Cgndn逐步變化，前兩級(jí)Cdsn/Cgndn電容值大小，前N級(jí)Cdsn/Cgndn電容網(wǎng)絡(luò)對射頻開關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響，研究結(jié)果為射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)提供參考。

發(fā)表于：7/24/2025

V頻段H面膜片帶通濾波器設(shè)計(jì)

為滿足上變頻器對低插入損耗、高抑制度濾波器的需要，設(shè)計(jì)并制作了一種V頻段H面膜片帶通濾波器，該濾波器由六個(gè)矩形諧振腔串聯(lián)組成。六個(gè)諧振腔和七個(gè)耦合窗的尺寸初值通過理論計(jì)算得到，采用三維電磁場仿真軟件HFSS對濾波器進(jìn)行了結(jié)構(gòu)建模和優(yōu)化仿真。制作了濾波器樣品并進(jìn)行了測試，測試結(jié)果表明在47.2~50.2 GHz帶內(nèi)插入損耗小于0.6 dB，回波損耗優(yōu)于15.6 dB，對42.6 GHz頻點(diǎn)的抑制度為73.8 dBc，對54.8 GHz頻點(diǎn)的抑制度為52.8 dBc，測試結(jié)果與軟件仿真結(jié)果基本一致。

發(fā)表于：7/22/2025

Ku頻段小型化氣密型功放組件研究

闡述了一種Ku頻段小型化氣密型性功放組件的工程實(shí)現(xiàn)方案。此組件采用4片GaN功率芯片與1片GaAs驅(qū)動(dòng)芯片級(jí)聯(lián)工作，并通過波導(dǎo)功分與合成網(wǎng)絡(luò)的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了高效的功率合成。為確保組件在鹽霧和低氣壓等環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行，采用了同軸探針式波導(dǎo)氣密封電路與射頻腔體激光封焊技術(shù)，對整個(gè)功放模塊的射頻電路進(jìn)行了全面的氣密封裝，有效抵御鹽霧和低氣壓等外界因素對組件可靠性的潛在威脅。最終，該功放組件在13~15 GHz的連續(xù)波工作頻帶內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了大于120 W的飽和輸出功率。該組件的技術(shù)狀態(tài)穩(wěn)定，可靠性與實(shí)用性均達(dá)到了工程使用要求，適用于測控、通信、電子對抗等領(lǐng)域中的微波發(fā)射系統(tǒng)，展現(xiàn)出卓越的應(yīng)用前景與市場價(jià)值。

發(fā)表于：7/22/2025

基于基片集成波導(dǎo)圓極化天線微波毫米波天線

設(shè)計(jì)了一款Ka波段高增益基片集成波導(dǎo)圓極化天線，采用四脊波導(dǎo)作為圓極化輻射器。為驗(yàn)證設(shè)計(jì)，研制了4×4圓極化陣列天線，該天線采用三層介質(zhì)基板結(jié)構(gòu)：頂層為4×4四脊波導(dǎo)圓極化輻射器，中層為4×4背腔輻射縫隙單元天線（工作模式為TE110模），底層為T形基片集成波導(dǎo)一分八功分器。測試結(jié)果表明，該陣列天線S11<-10 dB的范圍為35.3~35.55 GHz，3 dB軸比帶寬為35.24~35.57 GHz，最大增益為18.14 dBi（35.42 GHz）。該設(shè)計(jì)創(chuàng)新性地采用四脊波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)圓極化輻射，具有高口徑效率和緊湊結(jié)構(gòu)，適用于微波毫米波系統(tǒng)。

發(fā)表于：7/22/2025