頭條 “網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞 今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 搶進(jìn)背面供電，芯片制造新王牌 英特爾的背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 發(fā)表于：6/6/2023 半導(dǎo)體|中芯國際下架14nm工藝的原因清晰了 最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架究竟為何？ 發(fā)表于：6/6/2023 商業(yè)航天|軍事衛(wèi)星項(xiàng)目推動(dòng)數(shù)字孿生越來越火 多年來，數(shù)字孿生一直被炒作為航天產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)大事件。盡管這項(xiàng)技術(shù)還在發(fā)展中，但該行業(yè)的公司已經(jīng)看到了對復(fù)雜衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)數(shù)字工程工具日益增長的需求。 發(fā)表于：6/6/2023 5G專題|5G商用四周年觀察：5G建得怎么樣？用得好不好？ 6月6日是工信部正式發(fā)放5G商用牌照四周年。這四年來，5G建得怎么樣？用得好不好？第31屆中國國際信息通信展覽會(huì)于6月4日開幕，展會(huì)系統(tǒng)展示了5G商用以及共建共享的進(jìn)展。 發(fā)表于：6/6/2023 5G專題|5G發(fā)牌四周年，改變了什么？ 5G發(fā)牌四年來，從珠峰到礦井、從海島到深山、從機(jī)器轟鳴的港口工廠到書聲瑯瑯的美麗校園，5G的春風(fēng)吹遍華夏大地，開出一片賦能千行百業(yè)的爛漫山花。 發(fā)表于：6/6/2023 5G專題|5G商用四周年：融入近六成國民經(jīng)濟(jì)大類 打造數(shù)字經(jīng)濟(jì)新動(dòng)能 5G商用4年，融入近六成國民經(jīng)濟(jì)大類。5G除了讓我們?nèi)粘５囊曨l電話更流暢，還能為我們的生產(chǎn)生活帶來怎樣的助力？ 發(fā)表于：6/6/2023 漢高材料創(chuàng)新進(jìn)行時(shí)，助力解決5G基站熱管理挑戰(zhàn) 中國，上海 近年來，移動(dòng)通信技術(shù)迭代演進(jìn)速度加快，作為引領(lǐng)性的新一代移動(dòng)通信技術(shù)，5G大規(guī)模部署已取得顯著成就。根據(jù)3GPP標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)奏，5G-Advanced（5.5G）預(yù)計(jì)將于2024年進(jìn)入商用階段，這為邁向6G打下基礎(chǔ)。而在通信速率代際提升的同時(shí)，基站功耗也會(huì)隨之邁上新臺(tái)階，帶來更高的熱管理挑戰(zhàn)。作為領(lǐng)先的熱管理材料專家，漢高為5G基礎(chǔ)設(shè)施組件提供多種形式的界面導(dǎo)熱材料，包括導(dǎo)熱墊片、導(dǎo)熱凝膠、液態(tài)填隙材料及相變材料等。漢高瞄準(zhǔn)未來通信基站發(fā)展趨勢，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新，打造綠色產(chǎn)品配方和高水平本土研發(fā)團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)移動(dòng)通信行業(yè)的發(fā)展。 發(fā)表于：6/6/2023 Palo Alto Networks（派拓網(wǎng)絡(luò)）：網(wǎng)絡(luò)釣魚瞄準(zhǔn)旅客 隨著疫情趨緩，旅游業(yè)復(fù)蘇，越來越多的人們重啟出游計(jì)劃。然而這也讓網(wǎng)絡(luò)犯罪分子有機(jī)可乘——他們以旅客為目標(biāo)，試圖利用網(wǎng)絡(luò)釣魚竊取賬戶憑證、財(cái)務(wù)信息等資料并出售牟利。例如，當(dāng)人們在機(jī)場、商店、旅館等公共場所使用USB接口充電時(shí)，就可能遭遇充電座竊取數(shù)據(jù)（Juice Jacking），攻擊者會(huì)通過在設(shè)備中載入惡意軟體來竊取資料。 發(fā)表于：6/6/2023 意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數(shù)提高 40% 2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷（QGD）和導(dǎo)通電阻RDS（on），優(yōu)值系數(shù) （FoM） 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。 發(fā)表于：6/6/2023 Microchip發(fā)布業(yè)界能效最高的中端FPGA工業(yè)邊緣協(xié)議棧、更多核心庫IP和轉(zhuǎn)換工具，助力縮短創(chuàng)新時(shí)間 ? 隨著智能邊緣設(shè)備對能效、安全性和可靠性提出新要求，系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)工程師不得不尋找新的解決方案。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出新的開發(fā)資源和設(shè)計(jì)服務(wù)，以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向使用PolarFire FPGA和SoC，包括業(yè)界首款中端工業(yè)邊緣協(xié)議棧、可定制的加密和軟知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）啟動(dòng)庫，以及將現(xiàn)有FPGA設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換為PolarFire器件的新工具。 發(fā)表于：6/6/2023 ?…1142114311441145114611471148114911501151…?
