全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源（SMPS）及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳，可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻，因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開關(guān)應(yīng)用。”
所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。
產(chǎn)品基本規(guī)格
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器件編號(hào) |
電壓 |
電流 |
導(dǎo)通電阻 |
柵極電荷 類型 |
柵極 |
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IRFH5004TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
2.6 mOhm |
73 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
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IRFH5006TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
4.1 mOhm |
67 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5106TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
5.6 mOhm |
50nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
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IRFH5206TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
98A |
6.7 mOhm |
40 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5406TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
40A |
14.4 mOhm |
23 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5007TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
100A |
5.9 mOhm |
65 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5207TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
71A |
9.6 mOhm |
39 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5010TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
9.0 mOhm |
65 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5110TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
63A |
12.4 mOhm |
48 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5210TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
55A |
14.9 mOhm |
39 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
|
IRFH5015TRPBF |
PQFN 5x6mm |
150 V |
56A |
31 mOhm |
33 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
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IRFH5020TRPBF |
PQFN 5x6mm |
200 V |
41A |
59 mOhm |
36 nC |
標(biāo)準(zhǔn) |
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IRLH5034TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
最大2.4 mOhm |
43 nC |
邏輯電平 |
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IRLH5036TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
最大4.4 mOhm |
44 nC |
邏輯電平 |
|
IRLH5030TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
最大9.0 mOhm |
44 nC |
邏輯電平 |
新器件現(xiàn)已接受訂單，數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com。
IR簡(jiǎn)介
國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱 IR，紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
IR 成立于 1947 年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。
專利和商標(biāo)
IR® 和 HEXFET® 是國(guó)際整流器公司（International Rectifier Corporation）的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。