據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，2010年功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。MOSFET市場(chǎng)前景廣闊，IGBT則成為節(jié)能減排的先鋒。作為全球領(lǐng)先的功率科技半導(dǎo)體公司，飛兆半導(dǎo)體擁有先進(jìn)的功率技術(shù)和功率系統(tǒng)專業(yè)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高能效的設(shè)計(jì)，幫助推動(dòng)中國以至全世界迅速增長的電源基礎(chǔ)架構(gòu)。一直以來，飛兆半導(dǎo)體致力于降低能耗、提高能源利用效率，并始終走在世界前列。
2010年6月1日~3日在上海舉辦的PCIM China 2010展會(huì)上，來自飛兆半導(dǎo)體的技術(shù)專家與業(yè)內(nèi)人士共聚一堂，分享了最新成果，并于同期研討會(huì)上闡述了功率電子技術(shù)的最新發(fā)展?fàn)顩r和未來的發(fā)展趨勢(shì)。
飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家Robert Krause發(fā)表了題為《優(yōu)化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪聲抑制》的演講，重點(diǎn)闡述了大功率MOSFET和IGBT 在多相功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的運(yùn)作以及如何優(yōu)化抗噪能力，同時(shí)探討了使用光耦合MOSFET驅(qū)動(dòng)器來提升柵極驅(qū)動(dòng)電路的抗噪聲能力。Robert Krause和另一位技術(shù)專家SungMO Young表示：“大功率MOSFET和IGBT 在多相功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中極具優(yōu)勢(shì)。MOSFET器件是多數(shù)載流子器件，故而具有最低的開關(guān)損耗，適合于低、中額定功率轉(zhuǎn)換器。但缺陷是電壓降隨著負(fù)載電流的上升而呈指數(shù)級(jí)增長。而IGBT的電壓降在負(fù)載電流變化時(shí)近乎恒定，因而IGBT適用于大功率轉(zhuǎn)換器。”同時(shí)，針對(duì)功率轉(zhuǎn)換中需考慮電氣噪音抑制的問題，他們指出：“MOSFET或IGBT噪聲柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)可能導(dǎo)致器件錯(cuò)誤的開啟/關(guān)斷，或者損壞器件的柵極氧化層，這些因素可能破壞器件，從而嚴(yán)重影響系統(tǒng)的可靠性。因此，電氣噪音抑制在功率轉(zhuǎn)換解決方案中是必須解決的問題”
在“高效照明控制組件”分會(huì)場(chǎng)上，飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家陳立烽介紹了LED路燈應(yīng)用的歷史和發(fā)展?fàn)顩r，以及電源在這些應(yīng)用中的作用，并從設(shè)計(jì)的角度分析了提高效率的方法，以及如何在路燈的實(shí)際應(yīng)用中加以實(shí)現(xiàn)。他指出，高效率、高可靠性和低成本、高效益將是未來LED照明的發(fā)展方向，為了應(yīng)對(duì)這種發(fā)展趨勢(shì)，設(shè)計(jì)人員必需優(yōu)化整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，如改進(jìn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，以及通過增添自適應(yīng)控制功能和更多的保護(hù)功能來提高可靠性。他表示：“LED需要恒定電流控制以便使得每個(gè)LED具有相同的亮度，否則，燈泡會(huì)閃爍，LED壽命周期將會(huì)縮短。因而，電源驅(qū)動(dòng)器對(duì)于燈泡的穩(wěn)定工作非常重要，電源驅(qū)動(dòng)器的可靠性也是影響整個(gè)系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵因素。而且，由于功效會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的效率，所以應(yīng)當(dāng)加以考慮。高可靠性和精確的恒流驅(qū)動(dòng)將是首要的考慮因素，其次，提高效率應(yīng)當(dāng)是設(shè)計(jì)人員始終關(guān)注的問題。”
陳立烽先生還深入研究了LLC諧振變換器的構(gòu)造和設(shè)計(jì)并通過試驗(yàn)證明了應(yīng)用新型半導(dǎo)體的優(yōu)化設(shè)計(jì)能提高效率。他指出：“LLC是具有ZVS和ZCS特性的諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器，因而能夠減少開關(guān)損耗并提高功效。為了優(yōu)化LLC轉(zhuǎn)換器，首先應(yīng)當(dāng)選擇最佳的開關(guān)頻率和諧振頻率，確保轉(zhuǎn)換器在軟開關(guān)條件下工作。而且，通過選擇合適的諧振電感和激磁電感，能夠減少變壓器磁芯損耗和轉(zhuǎn)換器傳導(dǎo)損耗。此外，通過選擇高性能的功率器件，如飛兆半導(dǎo)體具有極低Rdson和小寄生電容的超級(jí)結(jié)(Super-Junction)MOSFET器件，能夠進(jìn)一步提升效率。”
在“電機(jī)驅(qū)動(dòng)和運(yùn)動(dòng)控制的轉(zhuǎn)換器”分論壇上，飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家張瑞斌深入剖析了用于永磁同步電機(jī)(PMSM)控制的一種參數(shù)估算方法。飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)行銷暨應(yīng)用工程副總裁藍(lán)建銅還主持了一場(chǎng)關(guān)于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 技術(shù)的研討會(huì)。
PCIM China 作為中國最重要的功率電子展會(huì)，為來自電力電子產(chǎn)品及其驅(qū)動(dòng)技術(shù)和變電質(zhì)量應(yīng)用界的廣大專業(yè)人士提供了一個(gè)良好的交流平臺(tái)。其論題涵蓋了功率電子組件和系統(tǒng)、功率轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，以及功率質(zhì)量解決方案等領(lǐng)域。此次飛兆半導(dǎo)體數(shù)位技術(shù)專家聯(lián)袂出席PCIM China2010，共同向業(yè)內(nèi)人士展示了飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的卓越成就。