摘要：低功耗是嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展趨勢，也是便攜式嵌入式設(shè)備設(shè)計中要解決的關(guān)鍵問題之一。對影響嵌入式系統(tǒng)功耗的因素進(jìn)行了分析，指出了降低系統(tǒng)功耗的途徑，從硬件設(shè)計和軟件設(shè)計兩個方面闡述了超低功耗嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的技巧。
關(guān)鍵詞：超低功耗；嵌入式系統(tǒng)；硬件設(shè)計；軟件設(shè)計
無論是在軍事還是在商業(yè)上的應(yīng)用，便攜式嵌入式系統(tǒng)一般是由可充電電池來供電的，因此，采用有效的節(jié)能技巧來改進(jìn)系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計，降低系統(tǒng)的功耗以增加電池供電設(shè)備的使用時間，是便攜式嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中需要研究和解決的關(guān)鍵問題。
1 影響功耗的因素
1．1 集成電路功耗
CMOS倒相器在集成電路分析中具有非常重要的意義，常用它來進(jìn)行集成電路延遲時間和功耗的分析。CMOS倒相器如圖1所示，圖2是倒相器的直流傳輸特性曲線。
若電路處在靜態(tài)(不發(fā)生狀態(tài)翻轉(zhuǎn))并忽略漏電流的前提下，反相器的功耗幾乎為零，如圖2中的AB段和CD段。當(dāng)電路發(fā)生狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時，N管和P管具有同時導(dǎo)通的一段時間，此時從電源通過2個管子流向地的電流iD達(dá)到一個很高的峰值，如圖2對應(yīng)于BC段的電流。很大的電流意味著較高的功率消耗和熱能的損失，這在時鐘頻率較高時尤為突出。時鐘速度越高意味著每秒鐘狀態(tài)的切換次數(shù)就越多，也意味著更多的電能損耗。除此之外，在工作時還存在著靜態(tài)漏電功耗，下面對這2類功耗分別進(jìn)行分析。
1．1．1 動態(tài)功耗
CMOS倒相器從一種穩(wěn)定工作狀態(tài)突然轉(zhuǎn)變到另一種穩(wěn)定狀態(tài)的過程中，將產(chǎn)生附加的功耗，稱之為動態(tài)功耗。這一功耗是由2部分組成的，一部分是瞬時導(dǎo)通功耗PT，另一部分是對負(fù)載電容充放電所消耗的功率PC，其表達(dá)式為：
式(1)中，VDD為電源電壓；ITC為2個管同時導(dǎo)通所產(chǎn)生的瞬時電流，不是固定的數(shù)值，如圖2所示；a為活動因子，表示電容充放電的平均次數(shù)相對于開關(guān)頻率的比值；CL為進(jìn)行充放電的等效負(fù)載電容，包括柵電容、節(jié)點電容、互連電容等；f為開關(guān)頻率，即電路的工作頻率。
1．1．2 靜態(tài)漏電功耗
靜態(tài)漏電功耗是由亞閾值電流和反向偏壓電流造成的。在集成電路中，動態(tài)功耗是整個CMOS集成電路功耗的主要組成部分，一般約占電路總功耗的90％以上，靜態(tài)漏電功耗占電路總功耗的1％以下，因而在大多數(shù)情況下可以忽略。
1．2 其他功耗
①純電阻元件上消耗的功率。電阻為耗能元件，只要電路中使用電阻，就存在著能量消耗。
②有源開關(guān)器件在狀態(tài)轉(zhuǎn)換時，電流和電壓比較大，將引起功率消耗。
③非理想元件由于等效電阻的存在而消耗的功率。如電路中的儲能元件電感和電容，理想情況下它們是不消耗能量的，但是實際使用的電感和電容都存在著等效串聯(lián)電阻(ESR)，就意味著能量的消耗。
④印制電路板中的走線上消耗的功率，如電源線由于電阻的存在會造成電能的損耗，實際中地線上也存在著電流的流動。由于導(dǎo)線阻抗的存在，串聯(lián)單點接地的不同接地點之間會存在著電位差，因此在這些地線上也存在著能量的消耗。
2 降低系統(tǒng)功耗的途徑
①降低集成電路的動態(tài)功耗。根據(jù)式(1)可知，要降低集成電路的動態(tài)功耗，途徑有：a．降低活動因子，也就是降低電容充放電的平均次數(shù)。b．降低電源電壓。因為動態(tài)功耗與電壓的平方成正比，瞬時導(dǎo)通功耗與電壓成正比，因此在滿足電路速度的前提之下，降低電源電壓是降低電路功耗的最有效的辦法。c．降低負(fù)載電容。為了減小負(fù)載電容，在工藝方面可以選擇小的器件，物理實現(xiàn)時減小連線的長度。d．降低開關(guān)頻率，在式(1)中，電路的功耗與工作頻率成正比，因此降低時鐘頻率可以直接降低動態(tài)功耗。
②盡可能選用靜態(tài)功耗小的CMOS集成芯片，以降低系統(tǒng)的靜態(tài)漏電功耗。
③盡可能地減少純電阻的使用。純電阻是耗能元件，電能直接轉(zhuǎn)化為熱能消耗掉了，所以要盡可能地避免電阻的使用。
④減少有源開關(guān)器件的使用。有源開關(guān)器件(如晶體管)在狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間有比較大的電流消耗，減少這類器件的使用有助于減小功耗。
3 設(shè)計技巧
3．1 硬件方面
在器件選擇上，要盡量實現(xiàn)全CMOS化的硬件設(shè)計。在設(shè)計超低功耗系統(tǒng)時，要對電源電壓、時鐘頻率以及靜態(tài)功耗進(jìn)行控制，并遵循系統(tǒng)硬件設(shè)計的4項基本原則：電壓能低就不高，頻率能慢就不快，系統(tǒng)能靜(態(tài))就不動(態(tài))，電源能斷就不通。
3．1．1 微處理器選擇
隨著低功耗系統(tǒng)需求的增加，很多單片機(jī)廠商都推出了自己的低功耗產(chǎn)品，如Philips公司的P8XLPC系列，TI公司的MSP430系列，Micro-chip公司的PIC單片機(jī)以及NXP公司的ARM Cortex-M0系列。如果處理器本身具有超低功耗特性，首先必須能在低電壓和低頻率工作，其次還要看單片機(jī)自身的特性，看是否是面向超低功耗應(yīng)用而設(shè)計的單片機(jī)，需要對處理器的工作模式、工作電流、休眠電流、掉電電流作詳細(xì)的統(tǒng)計。
Microchip公司采用nanoWatt XLP(eXtreme Low Power)極低功耗技術(shù)的MCU的典型電流消耗為：掉電電流小于100 nA；看門狗電流消耗小于800 nA；實時時鐘和日歷電流消耗小于800 nA。該公司的PIC24F16KA系列的MCU，典型休眠電流可以低至20 nA，實時時鐘電流490 nA，看門狗定時器電流370 nA。該系列的MCU可使應(yīng)用連續(xù)運行20年以上而無需更換電池。
NXP公司采用ARM Cortex-M0內(nèi)核的LPCllxx系列32位處理器的能耗僅為85μW／MHz，此系列處理器的功耗統(tǒng)計如表1和表2所列。
3．1．2 外圍集成電路
與TTL數(shù)字集成電路相比，CMOS數(shù)字集成電路在低功耗特性上具有無可比擬的優(yōu)越性能。在存儲容量需求較小的條件下，采用FRAM代替一般的Flash或E2PROM，將會節(jié)省很多電能，因為FRAM的寫入功耗是Flash和E2PROM的1／1 000～1／100 000。
3．1．3 低電壓供電
目前許多芯片的電源電壓范圍都比較寬，系統(tǒng)的功耗和系統(tǒng)的供電電壓存在著一定的函數(shù)關(guān)系。對于純電阻電路，功耗為P=V2／R；對于容性負(fù)載電路，動態(tài)功耗為，見式(1)。從以上2式可以看出，系統(tǒng)的功耗與系統(tǒng)供電電壓的平方成正比。當(dāng)供電電壓由5 V降到3．3 V時，功耗將減少50％以上；當(dāng)電壓降到1．8 V時，功耗將減少80％以上，如圖3所示。
3．1．4 分區(qū)供電
分區(qū)供電就是要控制電源供電部分，需要對電源進(jìn)行分割，使系統(tǒng)功能模塊的電源供電相對獨立，同時實現(xiàn)其可控設(shè)計，便于獨立供電和動態(tài)管理；在閑置時利用開關(guān)控制各個部分的關(guān)斷，以節(jié)省電能。在系統(tǒng)休眠或掉電工作時關(guān)掉外圍電路的電源，僅僅保留CPU和定時器電路的電源。分區(qū)控制電源電路示意圖如圖4所示。
圖4中的晶體管用作電源開關(guān)，控制電源VCC向分區(qū)供電部分供電，供電控制端接到處理器的輸出引腳上。對于圖4(a)中的PNP管，高電平切斷分區(qū)供電部分的電源，低電平使PNP晶體管導(dǎo)通，此時VCC向分區(qū)供電部分供電；對于圖4(b)中的NPN管，供電情形則相反。
3．1．5 低頻工作方式
低功耗微處理器中幾乎全部采用CMOS器件，而CMOS集成電路的結(jié)構(gòu)決定了它的靜態(tài)功耗幾乎為零，僅在邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的過程中電路中有電流流過。所以它的動態(tài)功耗和它的邏輯轉(zhuǎn)換頻率成正比，和電路的邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間成正比。所以CMOS集成電路從降低功耗的角度上來說應(yīng)當(dāng)快速轉(zhuǎn)換，低頻工作。
當(dāng)程序在Flash中運行，VDD=3．3 V時，LPCllxx處理器功耗如表2所列。
3．1．6 電源轉(zhuǎn)換芯片選擇
手持設(shè)備一般是由電池供電，為獲得較長的電池使用時間，一般采用DC／DC開關(guān)電源或LDO(Low Drop Outregulatot，低壓差線性穩(wěn)壓器)。在價格允許的前提下，最好選擇那些效率高、靜態(tài)電流小，并且有使能端的芯片。效率高是為了減少電池能量在轉(zhuǎn)化的過程中造成的損失。靜態(tài)電流小可以減小芯片在待機(jī)狀態(tài)的漏電流功耗。選擇具有使能端的芯片可以利用微處理器進(jìn)行關(guān)斷控制，有利于獨立供電支路功耗的管理。凌力爾特公司的DC／DC芯片LTC3417具有高達(dá)95％的效率和低于1μA的靜態(tài)電流，已經(jīng)在作者的有源手持機(jī)項目中得到了應(yīng)用，取得
了顯著的低功耗效果。
3．1．7 I／O引腳供電
可以直接利用嵌入式微處理器的I／0引腳為外部設(shè)備提供電源，如圖5所示，只要這些I／O接口的驅(qū)動能力足以驅(qū)動外部設(shè)備。
3．1．8 MCU時鐘
單片機(jī)的工作頻率和功耗的關(guān)系很大，頻率越高功耗越大。處理器動態(tài)改變CPU時鐘的具體做法是：在CPU等事件發(fā)生時，引腳輸出低電平，增大電阻將會降低內(nèi)部的時鐘的頻率；當(dāng)需要處理事務(wù)時，輸出高電平減小電阻，提高時鐘頻率。實現(xiàn)這一技術(shù)的方法如圖6所示。當(dāng)CPU處于等待狀態(tài)下可以將I／O引腳輸出低電平，此時內(nèi)部時鐘頻率降低；當(dāng)CPU需要處理事務(wù)的時候，通過將I／O引腳設(shè)定為輸出高電平，電阻Rl的加入將提高時鐘頻率。
3．1．9 未用引腳
處理好處理器和CMOS芯片未用的輸入引腳。若未用的處理器引腳不加以處理，很容易造成電荷積累。根據(jù)電量與電容C和電壓U的關(guān)系Q=C·U可知，當(dāng)電荷的累積Q與電容C可比的情況下，就會產(chǎn)生影響引腳電平狀態(tài)的U，這個電平會隨著電荷的累積而導(dǎo)致數(shù)字邏輯狀態(tài)在“O”和“1”之間變化，當(dāng)輸入引腳電平處于O、1之間的過渡區(qū)時，會使電路中反相器的P管和N管都處于導(dǎo)通狀態(tài)，導(dǎo)致功耗大大增加。
CMOS電路未用的引腳，一般采取加上拉電阻(1～10 kΩ)的方法處理，為節(jié)能起見，阻值要取大一些。
3．1．10 局部電路的節(jié)電技巧
①采用RC振蕩器比晶體振蕩器或鎖相環(huán)更省電。
②接口電平要盡量匹配，以減少電平匹配電路帶來的額外功耗。
③在保證驅(qū)動能力的前提下，電路中應(yīng)盡可能采用阻值較大的上拉／下拉電阻，以減小在電阻上的能量消耗。
④如果允許，適當(dāng)降低外部驅(qū)動引腳的電壓。
⑤選擇合適的驅(qū)動接口參數(shù)，以減小緩沖器的使用量。
⑥少用驅(qū)動電阻或雙極晶體管，這些器件需維持恒定的電流，從而增加了電能消耗。
3．2 軟件方面
3．2．1 避免查詢方式和延時
A／D轉(zhuǎn)換器在采集少量的數(shù)據(jù)時，MCU讀取A／D轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的方式有2種：查詢方式和中斷方式。查詢方式和中斷方式的低功耗特性相差甚遠(yuǎn)：使用中斷方式，MCU可以什么都不做，甚至可以進(jìn)入待機(jī)或者停止模式；而查詢方式下，MCU必須不停地讀取I／O端口寄存器，消耗很多額外的功耗。
如果系統(tǒng)的定時器資源充裕，在需要定時的場合，最好采用硬件定時器，當(dāng)定時器到了定時時間后，向MCU發(fā)出中斷請求信號，這樣可以減少MCU的工作時間，進(jìn)而可以節(jié)省功耗。
3．2．2 運行管理
①動態(tài)電源管理(Dynamic Power Management，DPM)。有選擇地把閑置的系統(tǒng)部分置于低功耗狀態(tài)，從而有效地利用電能。充分利用處理器和外圍電路的低功耗工作模式，當(dāng)系統(tǒng)和外圍電路不工作的時候，軟件設(shè)計時應(yīng)該使處理器和外圍電路及時地進(jìn)入待機(jī)或者休眠模式。可選擇關(guān)斷CPU時鐘或系統(tǒng)時鐘，對時鐘的控制要做到忙時多用、閑時少用、不用關(guān)斷。
②間歇性使用電路的控制。對于間歇性使用的外圍電路，在軟件控制中通過片選使能端控制其工作時間。在某些功能沒有使用到時，適時地將嵌入式處理內(nèi)部電路的全部或部分關(guān)斷，或者進(jìn)入睡眠或待機(jī)狀態(tài)，同時關(guān)閉不用的外圍接口電路，如串口、ADC／DAC、I2C、SPI、PWM等電路。
③未用I／0引腳的軟件處理。對于未用的處理器I／O引腳，軟件中也要進(jìn)行初始化，若不進(jìn)行初始化，將有可能會增加單片機(jī)的漏電流，最好將其設(shè)置為輸入或者輸出，且接一個固定的電平。
3．2．3 用宏代替子程序
宏是在編譯器預(yù)處理階段進(jìn)行替代，而子程序調(diào)用中MCU需要進(jìn)行現(xiàn)場保護(hù)。進(jìn)入子程序之前要將當(dāng)前的MCU寄存器壓入RAM中分配的棧，在離開的時候，要把棧中的內(nèi)容彈出來恢復(fù)MCU的寄存器，這樣至少會帶來2次對RAM的操作。盡管用宏增加了代碼的長度，但是加快了代碼執(zhí)行的速度，對于目前很多MCU來說，代碼的Flash空間根本不是大問題，這種做法將會在一定程度上降低系統(tǒng)功耗。
3．2．4 采用高效率算法
①用查表的方法代替實時的計算。特別是在沒有硬件浮點處理單元的MCU進(jìn)行浮點處理的時候，直接用MCU進(jìn)行浮點處理將會消耗大量的時間。如果將一些運算的結(jié)果事先計算好，存儲在程序存儲器的代碼段中，在需要某個數(shù)據(jù)時用查表的辦法把數(shù)據(jù)取出來，可以減少MCU的運算量，有效地降低MCU的功耗。這種處理方法在離散余弦變換和A／D數(shù)據(jù)采集中能夠帶來可觀的效率提升。
②用移位運算代替乘除法運算。用MCU計算乘除法也是非常耗時的事情，如果盡可能避免直接的乘除運算，而采用左移和右移的辦法來實現(xiàn)，將會減少運算時間，進(jìn)而節(jié)省功耗。如要進(jìn)行y=x·15的運算，可以轉(zhuǎn)化為x<<4-x。對于特殊的除法，要采取右移的辦法。如3000÷256可以直接轉(zhuǎn)化為3 000>>8。當(dāng)然，除法的移位計算只能針對除數(shù)比較特殊的時候。
③采用快速算法。在搜索算法中，使用二分搜索算法和分段查找算法的效率是不同的。理論上可以估算，在1 024個測量值的查找中，二分搜索最壞情況下10次可以查找到結(jié)果，順序搜索最壞可能需要1 024次。這個在測量數(shù)值更多的情況下更為突出，一個高效率的查找算法有
助于減小程序運行功耗。數(shù)字信號處理中的運算，采用FFT和快速卷積等，可以節(jié)省大量運算時間，從而減少功耗。
④在精度允許的情況下，使用簡單函數(shù)代替復(fù)雜函數(shù)作近似也是減少功耗的一種方法。