目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。 　　

　　為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容CGE。

圖1 IGBT器件的寄生電容

　　這些電容對橋式變換器設計是非常重要的，大部份的IGBT數(shù)據(jù)表中都給出這些參數(shù)：

• 　　輸出電容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）
• 　　輸入電容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）
• 　　反向傳輸電容，CRES＝CGC

　　圖2給出了用于多數(shù)變換器設計中的典型半橋電路。集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容C組成了動態(tài)分壓器。當高端IGBT（Q2）開通時，低端IGBT（Q1）的發(fā)射極上的dV/dt會在其柵極上產(chǎn)生正電壓脈沖。對于任何IGBT，脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。

圖2 半橋電路

　　如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。

　　為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：

• 　　關(guān)斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動電路會更復雜。
• 　　減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。
• 　　減小本征JFET的影響

　　圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau) 特性，C的實際值就可以進一步減小。

　　這種現(xiàn)象是由IGBT內(nèi)部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可以最小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實際的CRES，即減小dV/dt感生開通對IGBT的影響。

圖3 需負偏置關(guān)斷的典型IGBT的寄生電容與V的關(guān)系。

　　IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經(jīng)改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V，30A NPT IGBT。它是一個Co-Pack器件，與一個反并聯(lián)超快軟恢復二極管共同配置于TO-247封裝。

　　設計人員可減小多晶體柵極寬度，降低本征JFET的影響，和使用元胞設計幾何圖形，從而達到以上的目標。

　　對兩種1200V NPT IGBT進行比較：一種是其他公司的需負偏置關(guān)斷的器件，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動IRGP30B120KD-E。測試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動時，dV/dt感生電流很大。

　　比較寄生電容的數(shù)據(jù)，IR器件的三種電容也有減?。?/p>

• 　　輸入電容，CIES減小25％
• 　　輸出電容，COES減小35％
• 　　反向傳輸電容，CRES減小68％

圖4 寄生電容比較

　　圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系，得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當V＝0V時，負偏置柵驅(qū)動器件的C為1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF，當VCE＝30V時，負偏置柵驅(qū)動器件的C為170pF，IRGP30B120KD-E的CRES為78pF。很明顯，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小。

圖5 IRGP30B120KD-E寄生電容與VCE的關(guān)系

　　圖6的電路用來比較測試兩種器件的電路性能。兩者的dV/dt感生電流波形也在相同的dV/dt值下得出。

圖6 dV/dt感生開通電流的測試電路

　　測試條件：

• 　　電壓率，dV/dt=3.0V/nsec
• 　　直流電壓，Vbus=600V
• 　　外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56?
• 　　環(huán)境溫度，TA＝125°C

圖7 其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值

圖8 IRGP30B120KD-E IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的1.9A峰值

　　dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復測試，如圖9中的Ice(cntrl)。

圖9 利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流

　　圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動器的I電流。兩種情況下的電流都很低，分別為1A和0.8A。

圖10 其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值

圖11 IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流0.8A峰值

　　如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流，結(jié)果是

• 　　（負偏置柵驅(qū)動IGBT）= 18-1 = 17A
• 　?。↖RGP30B120KD-E）= 1.9-0.8 = 0.8A
• 　　可見總的減小為17:0.8 = 21:1

　　在相同的測試條件下，當柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動，電流很小，對功耗的影響幾乎可以忽略。

圖12 柵驅(qū)動波形

　　采用單正向柵驅(qū)動IGBT有下列好處：

• 　　不需要負偏置
• 　　驅(qū)動器電路成本更低
• 　　更高的柵抗噪聲功能
• 　　更高的dV/dt耐容
• 　　與不能提供負偏置驅(qū)動的IR單片式柵驅(qū)動器兼容

圖13 具有電平轉(zhuǎn)換的柵驅(qū)動IC電路

　　上述設計對PT和NPT IGBT同樣有效。

　　結(jié)論：

　　單正向柵驅(qū)動IGBT是器件發(fā)展的巨大進步。IRGP30B120KD-E的C值很低，在單正向柵驅(qū)動條件下，其開關(guān)性能非常理想。器件不需要負偏置柵驅(qū)動便能可靠關(guān)斷，即使在集電極的dV/dt為3V/ns。與單片式柵驅(qū)動器的兼容性更為橋式變換器和交流電機驅(qū)動提供更優(yōu)越和成本更低的解決方案。所以我們期望這些先進的IGBT能為新的IC設計提供更大的優(yōu)勢。