《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 最新!中國(guó)科學(xué)院院士毛軍發(fā):從集成電路到集成系統(tǒng)

最新!中國(guó)科學(xué)院院士毛軍發(fā):從集成電路到集成系統(tǒng)

2022-08-18
來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

8月18日,2022世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)召開(kāi),中國(guó)科學(xué)院院士、深圳大學(xué)校長(zhǎng)毛軍發(fā)提出了未來(lái)60年是集成系統(tǒng)的時(shí)代。

目前,集成電路將晶體管、電阻、電容和電感等元器件及互連線制作在一塊小半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,形成具有預(yù)期功能的電路。所有元器件在結(jié)構(gòu)上已經(jīng)組成一個(gè)整體,使電路向著高密度、大規(guī)模、小型化、低功耗和高可靠性方向發(fā)展。

毛軍發(fā)院士提到,集成電路是我國(guó)被卡脖子的痛點(diǎn)。2021年中國(guó)進(jìn)口集成電路價(jià)值達(dá)到4300億美元,而同年石油進(jìn)口價(jià)值則為2500億美元,并且高端芯片基本依賴進(jìn)口。

集成電路是一個(gè)國(guó)家綜合科技實(shí)力乃至國(guó)力的反映。中國(guó)集成電路落后是多種因素影響的,包括先進(jìn)技術(shù)受西方封鎖、瞻前顧后、產(chǎn)學(xué)研脫節(jié)等因素。

舉例來(lái)說(shuō),EDA落后的原因在于研究的算法較多,但很零散、沒(méi)有規(guī)劃、集成,沒(méi)有形成能力;大型軟件工程能力較弱,經(jīng)驗(yàn)較少;用戶不愿意用國(guó)產(chǎn)軟件工具,形成惡性循環(huán)。裝備落后是由于整體能力和市場(chǎng)環(huán)境等多方面因素影響的,而材料和電路的落后主要因?yàn)楣に嚲?xì)度、穩(wěn)定性不足等因素。

集成電路有兩個(gè)發(fā)展方向,延續(xù)摩爾定律和繞道摩爾定律。而集成系統(tǒng)就是一種繞道摩爾定律的方式。

電子封裝集成技術(shù)是將各種芯片、傳感器、元器件、天線等集成為一個(gè)具有預(yù)期功能的系統(tǒng)。但世界上封裝技術(shù)超過(guò)1000種,沒(méi)有一個(gè)工程師能夠完全掌握所有封裝技術(shù)。并且,封裝方面,集成電路前道設(shè)計(jì)加工與后道封裝逐步收斂融合。臺(tái)積電推出的3D Fabric的SOIC,采用最先進(jìn)封裝互聯(lián)技術(shù),堆疊芯片間互連間距可以小到亞微米,如果臺(tái)積電主推的3D Fabric,那么臺(tái)積電將會(huì)在半導(dǎo)體行業(yè)更加強(qiáng)勢(shì),而大陸本來(lái)代工較弱,封裝較強(qiáng)的局面會(huì)變成代工和封裝都落后。

毛軍發(fā)院士提出了集成系統(tǒng)概念。提出集成系統(tǒng)是出于三個(gè)考慮,第一,集成電路(芯片)只是手段,微電子系統(tǒng)才是目的;第二,摩爾定律面臨原理、技術(shù)與成本多方面的挑戰(zhàn);第三,集成電路的前道設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)加工與后道封裝集成逐步收斂融合。

毛軍發(fā)院士認(rèn)為,過(guò)去60年是集成電路(IC)的時(shí)代;未來(lái)60年是集成系統(tǒng)(IS)的時(shí)代。

集成系統(tǒng)是將各種芯片、傳感器、元器件、天線、互連線等制作再一個(gè)基板上,形成具有預(yù)期功能的系統(tǒng)。所有芯片與元器件在結(jié)構(gòu)上組成一個(gè)整體,使系統(tǒng)高密度、小型化、強(qiáng)功能、低功耗、低成本、高可靠、易設(shè)計(jì)、易制作。

集成系統(tǒng)的區(qū)別是從系統(tǒng)角度進(jìn)行一體化設(shè)計(jì)制造,只將芯片看作為系統(tǒng)的一種部件,可以借鑒芯片研發(fā)的多種思想技術(shù)。并且,其出現(xiàn)將提高系統(tǒng)的設(shè)計(jì)效率和綜合性能,減少系統(tǒng)成本,增加其可靠性,降低對(duì)芯片設(shè)計(jì)以及設(shè)備的要求。

因此,集成系統(tǒng)是復(fù)雜微電子系統(tǒng)集成技術(shù)發(fā)展新途徑。概念是新提出的,但技術(shù)是之前就有的。毛軍發(fā)院士介紹了四個(gè)技術(shù)。

第一個(gè)是小芯片技術(shù)。將單一先進(jìn)工藝的大芯片分解成多個(gè)特征模塊,每個(gè)模塊小芯片用各自最適合工藝實(shí)現(xiàn),體現(xiàn)了集成系統(tǒng)思想。

第二個(gè)是封裝中天線AiP技術(shù)。AiP是指包含無(wú)線芯片的封裝結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)的天線。相比于普通分立天線,AiP具有更好的系統(tǒng)性能,更小的PCB面積,更低的成本,以及更短的研發(fā)周期。

第三個(gè)是多功能無(wú)源元件技術(shù)。電子系統(tǒng)中包含大量的無(wú)源元件,不同功能元件、天線級(jí)聯(lián)需要大量轉(zhuǎn)接,引入額外損耗和體積。而多功能無(wú)源元件技術(shù)是將多種元件結(jié)合為協(xié)同設(shè)計(jì)的多功能元件,顯著減少系統(tǒng)所需元件和轉(zhuǎn)接個(gè)數(shù),降低插損,實(shí)現(xiàn)小型化。

第四個(gè)是半導(dǎo)體異質(zhì)集成。將不同工藝節(jié)點(diǎn)的化合物半導(dǎo)體高性能或芯片、硅基低成本高集成器件或芯片,與無(wú)源元件或天線,通過(guò)異質(zhì)鍵合或外延生長(zhǎng)等當(dāng)時(shí)集成而實(shí)現(xiàn)集成電路或系統(tǒng)的技術(shù)。

國(guó)外方面,2018年1月,美國(guó)啟動(dòng)聯(lián)合大學(xué)微電子計(jì)劃;同年7月,美國(guó)啟動(dòng)電子復(fù)興計(jì)劃,這兩項(xiàng)的重點(diǎn)都是異質(zhì)集成。于此同時(shí),歐盟面向下一代高性能CMOS SoC的III-V族納米線半導(dǎo)體集成技術(shù)計(jì)劃;日本、韓國(guó)、新加坡和我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)都有異質(zhì)集成相關(guān)研究計(jì)劃。國(guó)內(nèi)方面,上海交通大學(xué)、中電集團(tuán)、中科院、長(zhǎng)電科技等展開(kāi)了系統(tǒng)封裝研究。

毛軍發(fā)院士提出了集成系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)與面臨的挑戰(zhàn)。集成系統(tǒng)將朝著集成度、工作速度不斷提高,電、光、機(jī)一體的趨勢(shì)發(fā)展。但目前在多物理體調(diào)控、多性能協(xié)同、多材質(zhì)融合方面仍存在挑戰(zhàn)。

第一個(gè)關(guān)鍵科技問(wèn)題是,集成系統(tǒng)體系架構(gòu)。界定集成系統(tǒng)的功能與性能,并進(jìn)行結(jié)構(gòu)分解;芯片及各類元器件種類的確定,集成工藝選擇;集成系統(tǒng)的布局,互連方式與標(biāo)準(zhǔn)。

第二個(gè)關(guān)鍵科技問(wèn)題是,自動(dòng)化智能化協(xié)同設(shè)計(jì)。電磁、熱、應(yīng)力多物理協(xié)調(diào)設(shè)計(jì)需要提高設(shè)計(jì)自動(dòng)化智能化水平。

第三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是,異質(zhì)界面生成與工藝量化調(diào)控機(jī)理。集成系統(tǒng)工藝參數(shù)調(diào)整受制于電、熱、應(yīng)力多物理場(chǎng)特性,必須認(rèn)識(shí)其內(nèi)在關(guān)系,掌握工藝量化設(shè)計(jì)與優(yōu)化機(jī)理。

第四個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是,無(wú)源元件、天線小型化。無(wú)源元件最多可以占射頻電子系統(tǒng)元件總數(shù)的90%,系統(tǒng)總面積的80%,面積、工藝與芯片差異大,無(wú)源元件的小型化與集成對(duì)整個(gè)射頻系統(tǒng)至關(guān)重要。

第五個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是,集成系統(tǒng)的可測(cè)性原理。多種材料、工藝的元器件、天線、芯片三維高密度集成,微米間距,高頻高速工作。

目前,毛軍發(fā)院士團(tuán)隊(duì)合作研制出首套及系列國(guó)產(chǎn)射頻EDA商用軟件,48款國(guó)產(chǎn)射頻EDA商用軟件工具,500種高精度PDK模型,與中芯國(guó)際工藝兼容的集成無(wú)源器件IP庫(kù),已量產(chǎn)3.5億顆。其軟件目前已被展訊、海思、中興等企業(yè)應(yīng)用,并且出口英特爾、IBM、蘋果等國(guó)際著名公司。

此外,毛軍發(fā)院士還研發(fā)基于硅基MEMS和BCB異質(zhì)鍵合工藝流程,垂直通孔損耗0.1dB@94GHz;W波段異質(zhì)集成片上雷達(dá);非侵入式生命體征探測(cè)毫米波雷達(dá)。

演講最后,毛軍發(fā)院士表示,摩爾定律面臨極限挑戰(zhàn),轉(zhuǎn)折點(diǎn)臨近,半導(dǎo)體技術(shù)將從電路集成走向系統(tǒng)集成的發(fā)展新路徑,為我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展提供歷史機(jī)遇。



更多信息可以來(lái)這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。