近日，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國(guó)制裁的陰霾下頻頻傳出好消息：
中芯國(guó)際官宣完成了FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全部是自主國(guó)產(chǎn)，很快就能實(shí)現(xiàn)7nm芯片的量產(chǎn)；
全球最大光刻機(jī)生產(chǎn)巨頭ASML對(duì)外宣布，可以從荷蘭向中國(guó)出口DUV光刻機(jī)，無(wú)需美國(guó)許可；
華為也正式宣布了Mate40的發(fā)布日期為10月22日，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東在微博上放出豪言，該機(jī)型是“史上最強(qiáng)的華為Mate”。
這一系列“利好”，證明了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的抗壓性越來(lái)越強(qiáng)。今年4月，華為旗下手機(jī)品牌榮耀的Play 4T機(jī)型，就采用了中芯國(guó)際14nm工藝制造的麒麟710A。
事實(shí)上，高端芯片一直是我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的痛點(diǎn)，尤其是7nm和5nm制程工藝的芯片，可以說(shuō)決定了當(dāng)前電子設(shè)備的科技含量，全球的科技廠商對(duì)此需求極大，也是華為手機(jī)最受美國(guó)掣肘之處。
從芯片代工巨頭臺(tái)積電第三季度的財(cái)報(bào)，也可見一斑。10月15日，臺(tái)積電披露了各大芯片制程工藝的營(yíng)收占比狀況，7nm工藝仍是第一大收入來(lái)源，占比為35%，今年一度投產(chǎn)的5nm工藝貢獻(xiàn)了近10億美元，占比8%。此外16nm工藝為18%、20nm工藝為1%、28nm工藝為12%，其他工藝為26%。
在第三季度，臺(tái)積電的營(yíng)收也達(dá)到121.4億美元，創(chuàng)下新高。
在臺(tái)積電獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷的情況下，中芯國(guó)際能夠通過(guò)自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)7nm芯片的量產(chǎn)，以及ASML可以繞開美國(guó)許可為其供貨，對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)，無(wú)疑能帶來(lái)巨大突破。
一篇題為《“國(guó)產(chǎn)芯”突圍刻不容緩》的文章寫道：“芯動(dòng)科技首個(gè)基于中芯國(guó)際先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試成功，不僅意味著具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的‘國(guó)產(chǎn)芯’再次打破國(guó)外壟斷，同時(shí)也說(shuō)明‘國(guó)產(chǎn)版’的7nm芯片制造技術(shù)已經(jīng)得到突破。”
關(guān)于N+1工藝，中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松今年初曾透露，該工藝在功率和穩(wěn)定性方面和7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機(jī)，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。
福布斯中文網(wǎng)也在今年3月的報(bào)道中指出，中芯國(guó)際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。
需要注意的是，目前世界上可以量產(chǎn)7nm芯片的晶圓代工廠商僅臺(tái)積電和三星兩家，英特爾10nm產(chǎn)品剛上市不久，7nm芯片可能推遲至2023年。這意味著，中芯有望在制程上趕超英特爾。
創(chuàng)道投資咨詢合伙人步日欣對(duì)《21CBR》表示，ASML對(duì)中國(guó)DUV光刻機(jī)供貨一直正常，中芯國(guó)際受限的只是最高端的EUV光刻機(jī)。雖然EUV光刻機(jī)本來(lái)根據(jù)現(xiàn)有規(guī)則，不超過(guò)美國(guó)25%的技術(shù)，可以向中國(guó)供貨，但是受美國(guó)的阻撓，一直沒有恢復(fù)。EUV光刻機(jī)不能及時(shí)到貨，是制約中芯國(guó)際向高級(jí)線程工藝進(jìn)展的瓶頸。
“雖然消息稱，在現(xiàn)有光刻機(jī)基礎(chǔ)上，中芯國(guó)際已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了媲美7nm工藝的N+1工藝，但從芯片效能和制造成本等角度看，與更高級(jí)光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)效果不可避免會(huì)有一定差距。中芯國(guó)際真正要實(shí)現(xiàn)質(zhì)的突破，還需要更高級(jí)的光刻機(jī)助力?！辈饺招勒J(rèn)為，中芯國(guó)際5nm明年商用也不太可能。
國(guó)海證券10月14日的報(bào)告指出，自中芯國(guó)際證實(shí)被美國(guó)列入投資管制清單，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)加大，中長(zhǎng)期看國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體全面國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行，給予行業(yè)“推薦”評(píng)級(jí)。
中航證券分析師表示，應(yīng)對(duì)美國(guó)從產(chǎn)業(yè)鏈和資本運(yùn)作雙方面施壓、進(jìn)一步遏制其自造芯片能力的手段，一方面，我國(guó)企業(yè)為不斷提高上游產(chǎn)品庫(kù)存，另一方面投入更多科研力量，填補(bǔ)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈空白。
長(zhǎng)期來(lái)看，擺脫對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的依賴，符合我國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)型的發(fā)展需求，美國(guó)遏制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展也在反向促進(jìn)我國(guó)國(guó)產(chǎn)替代的不斷發(fā)展。
近日發(fā)布的《廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2021-2025年）》，提出了5項(xiàng)重點(diǎn)任務(wù)和8項(xiàng)重點(diǎn)工程：到2025年，半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)的年主營(yíng)業(yè)務(wù)收入突破4000億元，年均增長(zhǎng)超過(guò)20%。
過(guò)去數(shù)十年，全球半導(dǎo)體行業(yè)一直遵循螺旋式上升的規(guī)律，重大技術(shù)變革是推動(dòng)行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的內(nèi)在動(dòng)力。不管是華為禁令還是中芯事件，都不會(huì)改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)，半導(dǎo)體仍是未來(lái)3-5年科技投資主線。
當(dāng)下，在產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)向好、政策資金支持、國(guó)產(chǎn)替代提速等核心因素并未發(fā)生改變的情況下，半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的核心公司也正在全面開花。
在二級(jí)市場(chǎng)方面，芯片股年內(nèi)整體表現(xiàn)較好，但9月以來(lái)普遍回調(diào)，這與美國(guó)的打壓有一定關(guān)系。
數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計(jì)顯示，9月以來(lái)跑贏大盤且獲北上資金加倉(cāng)，股價(jià)上漲空間超10%的芯片股僅有12只，包括市值超千億的中興通訊、超850億的兆易創(chuàng)新等。
10月16日，中芯國(guó)際發(fā)出公告，將三季度的收入環(huán)比增長(zhǎng)指引由原先的1%至3%上調(diào)為14%至16%，毛利率指引由原先的19%至21%上調(diào)為23%至25%。當(dāng)天，中芯國(guó)際（0981.HK）收于19.96港元，相較于9月底的股價(jià)，上漲約12.8%。