《電子技術(shù)應(yīng)用》
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晶體管簡(jiǎn)介

2017-10-11

一、 定義:

嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。

晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。

晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。

晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。

二、 歷史:

1947年12月,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明,是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后,人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件,來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號(hào)角。

通信系統(tǒng)已開始應(yīng)用半導(dǎo)體材料。20世紀(jì)上半葉,在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機(jī),就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。

晶體管的發(fā)明,最早可以追溯到1929年,當(dāng)時(shí)工程師利蓮費(fèi)爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是,限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度,而使這種晶體管無法制造出來。

由于電子管處理高頻信號(hào)的效果不理想,人們就設(shè)法改進(jìn)礦石收音機(jī)中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里,有一根與礦石(半導(dǎo)體)表面相接觸的金屬絲(像頭發(fā)一樣細(xì)且能形成檢波接點(diǎn)),它既能讓信號(hào)電流沿一個(gè)方向流動(dòng),又能阻止信號(hào)電流朝相反方向流動(dòng)。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕,貝爾實(shí)驗(yàn)室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時(shí),發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體,而且在某些方面比電子管整流器還要好。

在第二次世界大戰(zhàn)期間,不少實(shí)驗(yàn)室在有關(guān)硅和鍺材料的制造和理論研究方面,也取得了不少成績(jī),這就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。

為了克服電子管的局限性,第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束后,貝爾實(shí)驗(yàn)室加緊了對(duì)固體電子器件的基礎(chǔ)研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導(dǎo)體材料,探討用半導(dǎo)體材料制作放大器件的可能性。

1945年秋天,貝爾實(shí)驗(yàn)室成立了以肖克萊為首的半導(dǎo)體研究小組,成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個(gè)實(shí)驗(yàn)室工作,長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體的研究,積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。他們經(jīng)過一系列的實(shí)驗(yàn)和觀察,逐步認(rèn)識(shí)到半導(dǎo)體中電流放大效應(yīng)產(chǎn)生的原因。布拉頓發(fā)現(xiàn),在鍺片的底面接上電極,在另一面插上細(xì)針并通上電流,然后讓另一根細(xì)針盡量靠近它,并通上微弱的電流,這樣就會(huì)使原來的電流產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化,會(huì)對(duì)另外的電流產(chǎn)生很大的影響,這就是“放大”作用。

布拉頓等人,還想出有效的辦法,來實(shí)現(xiàn)這種放大效應(yīng)。他們?cè)诎l(fā)射極和基極之間輸入一個(gè)弱信號(hào),在集電極和基極之間的輸出端,就放大為一個(gè)強(qiáng)信號(hào)了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,上述晶體三極管的放大效應(yīng)得到廣泛的應(yīng)用。

巴丁和布拉頓最初制成的固體器件的放大倍數(shù)為50左右。不久之后,他們利用兩個(gè)靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點(diǎn),來代替金箔接點(diǎn),制造了“點(diǎn)接觸型晶體管”。1947年12月,這個(gè)世界上最早的實(shí)用半導(dǎo)體器件終于問世了,在首次試驗(yàn)時(shí),它能把音頻信號(hào)放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。

在為這種器件命名時(shí),布拉頓想到它的電阻變換特性,即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的,于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是晶體管。

由于點(diǎn)接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜,致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障,它還存在噪聲大、在功率大時(shí)難于控制、適用范圍窄等缺點(diǎn)。為了克服這些缺點(diǎn),肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理。

1950年,第一只“PN結(jié)型晶體管”問世了,它的性能與肖克萊原來設(shè)想的完全一致。今天的晶體管,大部分仍是這種PN結(jié)型晶體管。(所謂PN結(jié)就是P型和N型的結(jié)合處,P型多空穴,N型多電子。)

1956年,肖克利、巴丁、布拉頓三人,因發(fā)明晶體管同時(shí)榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、約翰·巴頓(John Bardeen)、

沃特·布拉頓(Walter Brattain)成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。

1950年:威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管(Bipolar Junction

Transistor),這是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。

1953年:第一個(gè)采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場(chǎng),即助聽器。

1954年10月18日:第一臺(tái)晶體管收音機(jī)Regency TR1投入市場(chǎng),僅包含4只鍺晶體管。

1961年4月25日:第一個(gè)集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)。最初的晶體管對(duì)收音機(jī)和電話而言已經(jīng)足夠,但是新的電子設(shè)備要求規(guī)格更小的晶體管,即集成電路。

1965年:摩爾定律誕生。當(dāng)時(shí),戈登·摩爾(Gordon Moore)預(yù)測(cè),未來一個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個(gè)月翻一倍(至今依然基本適用),摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。

1968年7月:羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童(Fairchild)半導(dǎo)體公司辭職,創(chuàng)立了一個(gè)新的企業(yè),即英特爾公司,英文名Intel為“集成電子設(shè)備(integrated electronics)”的縮寫。

1969年:英特爾成功開發(fā)出第一個(gè)PMOS硅柵晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì),但是引入了新的多晶硅柵電極。

1971年:英特爾發(fā)布了其第一個(gè)微處理器4004。4004規(guī)格為1/8英寸 x 1/16英寸,包含僅2000多個(gè)晶體管,采用英特爾10微米PMOS技術(shù)生產(chǎn)。

1972年,英特爾發(fā)布了第一個(gè)8位處理器8008。

1978年,英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬個(gè)晶體管。

1978年:英特爾標(biāo)志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個(gè)人電腦事業(yè)部,武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進(jìn)版,含有2.9萬個(gè)晶體管,運(yùn)行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動(dòng)英特爾進(jìn)入了財(cái)富(Forture) 500強(qiáng)企業(yè)排名,《財(cái)富(Forture)》雜志將英特爾公司評(píng)為“70年代商業(yè)奇跡之一(Business Triumphs of the Seventies)”。

1982年:286微處理器(全稱80286,意為“第二代8086”)推出,提出了指令集概念,即現(xiàn)在的x86指令集,可運(yùn)行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個(gè)晶體管,運(yùn)行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。

1985年:英特爾386微處理器問世,含有27.5萬個(gè)晶體管,是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片,具備多任務(wù)處理能力,即它可在同一時(shí)間運(yùn)行多個(gè)程序。

1993年:英特爾·奔騰·處理器問世,含有3百萬個(gè)晶體管,采用英特爾0.8微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

1999年2月:英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅,含有950萬個(gè)晶體管,采用英特爾0.25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2002年1月:英特爾奔騰4處理器推出,高性能桌面臺(tái)式電腦由此可實(shí)現(xiàn)每秒鐘22億個(gè)周期運(yùn)算。它采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn),含有5500萬個(gè)晶體管。

2002年8月13日:英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破,包括高性能、低功耗晶體管,應(yīng)變硅,高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應(yīng)變硅。

2003年3月12日:針對(duì)筆記本的英特爾·迅馳·移動(dòng)技術(shù)平臺(tái)誕生,包括了英特爾最新的移動(dòng)處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動(dòng)優(yōu)化微體系架構(gòu),采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn),包含7700萬個(gè)晶體管。

2005年5月26日:英特爾第一個(gè)主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生,含有2.3億個(gè)晶體管,采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月18日:英特爾安騰2雙核處理器發(fā)布,采用世界最復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì),含有2.7億個(gè)晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月27日:英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個(gè)晶體管,采用英特爾65納米制程技術(shù)在世界最先進(jìn)的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)。

2006年9月26日:英特爾宣布,超過15種45納米制程產(chǎn)品正在開發(fā),面向臺(tái)式機(jī)、筆記本和企業(yè)級(jí)計(jì)算市場(chǎng),研發(fā)代碼Penryn,是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。

2007年1月8日:為擴(kuò)大四核PC向主流買家的銷售,英特爾發(fā)布了針對(duì)桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個(gè)晶體管。

2007年1月29日:英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)系列多核處理器的數(shù)以億計(jì)的45納米晶體管或微小開關(guān)中用來構(gòu)建絕緣“墻”和開關(guān)“門”,研發(fā)代碼Penryn。2010年11月,NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心,含30億個(gè)晶體管,采用先進(jìn)的40納米工藝制造。

2011年05月05 日:英特爾成功開發(fā)世界首個(gè)3D晶體管,稱為tri-Gate。除了英特爾將3D晶體管應(yīng)用于22納米工藝之后,三星,GlobalFoundries,臺(tái)積電和臺(tái)聯(lián)電都計(jì)劃將類似于Intel的3D晶體管技術(shù)應(yīng)用到14納米節(jié)點(diǎn)上。

三、 優(yōu)越性:

同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:

構(gòu)件沒有消耗

無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。

消耗電能極少

僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺(tái)晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去,這對(duì)電子管收音機(jī)來說,是難以做到的。

不需預(yù)熱

一開機(jī)就工作。例如,晶體管收音機(jī)一開就響,晶體管電視機(jī)一開就很快出現(xiàn)畫面。電子管設(shè)備就做不到這一點(diǎn)。開機(jī)后,非得等一會(huì)兒才聽得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測(cè)量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢(shì)的。

結(jié)實(shí)可靠

比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動(dòng),這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡(jiǎn)便,有利于提高元器件的安裝密度。

四、 分類:

1、材料

按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。

2、工藝

晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。

3、電流容量

晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。

4、工作頻率

晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。

5、封裝結(jié)構(gòu)

晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝(簡(jiǎn)稱金封)晶體管、塑料封裝(簡(jiǎn)稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡(jiǎn)稱玻封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。

6、按功能和用途

晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。

五、 主要參數(shù):

晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。

放大系數(shù)

直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù),是指在靜態(tài)無變化信號(hào)輸入時(shí),晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值,一般用hFE或β表示。

交流放大倍數(shù)

交流放大倍數(shù),也即交流電流放大系數(shù)、動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù),是指在交流狀態(tài)下,晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。

hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切,兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近,在高頻時(shí)有一些差異。

耗散功率

耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。

耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時(shí),其實(shí)際功耗不允許超過PCM值,否則會(huì)造成晶體管因過載而損壞。

通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管,將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r,其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時(shí)晶體管的工作頻率。

通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管,將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管,將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。

最高振蕩頻率fM

最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。

通常,高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα,而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。

集電極最大電流

集電極最大電流(ICM)是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過ICM時(shí),晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會(huì)損壞。

最大反向電壓

最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。

集電極——集電極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,一般用VCEO或BVCEO表示。

基極—— 基極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí),其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用VCBO或BVCBO表示。

發(fā)射極——發(fā)射極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí),其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓,用VEBO或BVEBO表示。

集電極——基極之間的反向電流ICBO

ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流,是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí),集電極與基極之間的反向電流。ICBO對(duì)溫度較敏感,該值越小,說明晶體管的溫度特性越好。

集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,也稱穿透電流。此電流值越小,說明晶體管的性能越好。

六、 管腳判別及放大倍數(shù)估算:

1、判別基極和管子的類型

選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個(gè)管腳,黑表筆接另一個(gè)管腳,可測(cè)出兩個(gè)電阻值,然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳,重復(fù)上述步驟,又測(cè)得一組電阻值,這樣測(cè)3次,其中有一組兩個(gè)阻值都很小的,對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極,且管子是PNP型的;反之,若用黑表筆接一個(gè)管腳,重復(fù)上述做法,若測(cè)得兩個(gè)阻值都小,對(duì)應(yīng)黑表筆為基極,且管子是NPN型的。

2、判別集電極

因?yàn)槿龢O管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí)β大(表針擺動(dòng)幅度大),反接時(shí)β就小得多。因此,先假設(shè)一個(gè)集電極,用歐姆檔連接,(對(duì)NPN型管,發(fā)射極接黑表筆,集電極接紅表筆)。測(cè)量時(shí),用手捏住基極和假設(shè)的集電極,兩極不能接觸,若指針擺動(dòng)幅度大,而把兩極對(duì)調(diào)后指針擺動(dòng)小,則說明假設(shè)是正確的,從而確定集電極和發(fā)射極。

3、電流放大系數(shù)β的估算

選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,對(duì)NPN型管,紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測(cè)量時(shí),只要比較用手捏住基極和集電極(兩極不能接觸),和把手放開兩種情況小指針擺動(dòng)的大小,擺動(dòng)越大,β值越高。

七、 代換原則:

晶體管的置換原則可概括為三條:即類型相同、特性相近、外形相似。

一、類型相同

1.材料相同。即鍺管置換鍺管,硅管置換硅管。

2.極性相同。即npn型管置換npn型管,pnp型管置換pnp型管。

二、特性相近

用于置換的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性相近,它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多。晶體管的主要參數(shù)近20個(gè),要求所有這些參數(shù)都相近,不但困難,而且沒有必要。一般來說,只要下述主要參數(shù)相近,即可滿足置換要求。

1.集電板最大直流耗散功率(pcm)

一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換。但經(jīng)過計(jì)算或測(cè)試,如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其pcm,則可以用pcm較小的晶體管置換。

2.集電極最大允許直流電流(icm)

一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換。

3.擊穿電壓

用于置換的晶體管,必須能夠在整機(jī)中安全地承受最高工作電壓;

來源:輸配電設(shè)備網(wǎng)

4.頻率特性

晶體管頻率特性參數(shù),常用的有以下2個(gè):

(1)特征頻率ft:它是指在測(cè)試頻率足夠高時(shí),使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)時(shí)的頻率。

(2)截止頻率fb:

在置換晶體管時(shí),主要考慮ft與fb。通常要求用于置換的晶體管,其ft與fb,應(yīng)不小于原晶體管對(duì)應(yīng)的ft與fb。

5.其他參數(shù)

除以上主要參數(shù)外,對(duì)于一些特殊的晶體管,在置換時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù):

(1)對(duì)于低噪聲晶體管,在置換時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。

(2)對(duì)于具有自動(dòng)增益控制性能的晶體管,在置換時(shí)應(yīng)當(dāng)用自動(dòng)增益控制特性相同的晶體管。

(3)對(duì)于開關(guān)管,在置換時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù)。

三、外形相似

小功率晶體管一般外形均相似,只要各個(gè)電極引出線標(biāo)志明確,且引出線排列順序與待換管一致,即可進(jìn)行更換。大功率晶體管的外形差異較大,置換時(shí)應(yīng)選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,以便安裝和保持正常的散熱條件。

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