一、 定義:
嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。
晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
二、 歷史:
1947年12月,美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發(fā)明,是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后,人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件,來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
通信系統(tǒng)已開始應用半導體材料。20世紀上半葉,在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機,就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統(tǒng)中得到了應用。
晶體管的發(fā)明,最早可以追溯到1929年,當時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是,限于當時的技術水平,制造這種器件的材料達不到足夠的純度,而使這種晶體管無法制造出來。
由于電子管處理高頻信號的效果不理想,人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里,有一根與礦石(半導體)表面相接觸的金屬絲(像頭發(fā)一樣細且能形成檢波接點),它既能讓信號電流沿一個方向流動,又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕,貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時,發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體,而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰(zhàn)期間,不少實驗室在有關硅和鍺材料的制造和理論研究方面,也取得了不少成績,這就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎。
為了克服電子管的局限性,第二次世界大戰(zhàn)結束后,貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料,探討用半導體材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天,貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組,成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作,長期從事半導體的研究,積累了豐富的經(jīng)驗。他們經(jīng)過一系列的實驗和觀察,逐步認識到半導體中電流放大效應產(chǎn)生的原因。布拉頓發(fā)現(xiàn),在鍺片的底面接上電極,在另一面插上細針并通上電流,然后讓另一根細針盡量靠近它,并通上微弱的電流,這樣就會使原來的電流產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化,會對另外的電流產(chǎn)生很大的影響,這就是“放大”作用。
布拉頓等人,還想出有效的辦法,來實現(xiàn)這種放大效應。他們在發(fā)射極和基極之間輸入一個弱信號,在集電極和基極之間的輸出端,就放大為一個強信號了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,上述晶體三極管的放大效應得到廣泛的應用。
巴丁和布拉頓最初制成的固體器件的放大倍數(shù)為50左右。不久之后,他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點,來代替金箔接點,制造了“點接觸型晶體管”。1947年12月,這個世界上最早的實用半導體器件終于問世了,在首次試驗時,它能把音頻信號放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。
在為這種器件命名時,布拉頓想到它的電阻變換特性,即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的,于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是晶體管。
由于點接觸型晶體管制造工藝復雜,致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障,它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點,肖克萊提出了用一種“整流結”來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。
1950年,第一只“PN結型晶體管”問世了,它的性能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的晶體管,大部分仍是這種PN結型晶體管。(所謂PN結就是P型和N型的結合處,P型多空穴,N型多電子。)
1956年,肖克利、巴丁、布拉頓三人,因發(fā)明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。
1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、約翰·巴頓(John Bardeen)、
沃特·布拉頓(Walter Brattain)成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。
1950年:威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管(Bipolar Junction
Transistor),這是現(xiàn)在通行的標準的晶體管。
1953年:第一個采用晶體管的商業(yè)化設備投入市場,即助聽器。
1954年10月18日:第一臺晶體管收音機Regency TR1投入市場,僅包含4只鍺晶體管。
1961年4月25日:第一個集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)。最初的晶體管對收音機和電話而言已經(jīng)足夠,但是新的電子設備要求規(guī)格更小的晶體管,即集成電路。
1965年:摩爾定律誕生。當時,戈登·摩爾(Gordon Moore)預測,未來一個芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個月翻一倍(至今依然基本適用),摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。
1968年7月:羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童(Fairchild)半導體公司辭職,創(chuàng)立了一個新的企業(yè),即英特爾公司,英文名Intel為“集成電子設備(integrated electronics)”的縮寫。
1969年:英特爾成功開發(fā)出第一個PMOS硅柵晶體管技術。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì),但是引入了新的多晶硅柵電極。
1971年:英特爾發(fā)布了其第一個微處理器4004。4004規(guī)格為1/8英寸 x 1/16英寸,包含僅2000多個晶體管,采用英特爾10微米PMOS技術生產(chǎn)。
1972年,英特爾發(fā)布了第一個8位處理器8008。
1978年,英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬個晶體管。
1978年:英特爾標志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業(yè)部,武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進版,含有2.9萬個晶體管,運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業(yè)排名,《財富(Forture)》雜志將英特爾公司評為“70年代商業(yè)奇跡之一(Business Triumphs of the Seventies)”。
1982年:286微處理器(全稱80286,意為“第二代8086”)推出,提出了指令集概念,即現(xiàn)在的x86指令集,可運行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個晶體管,運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。
1985年:英特爾386微處理器問世,含有27.5萬個晶體管,是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片,具備多任務處理能力,即它可在同一時間運行多個程序。
1993年:英特爾·奔騰·處理器問世,含有3百萬個晶體管,采用英特爾0.8微米制程技術生產(chǎn)。
1999年2月:英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅,含有950萬個晶體管,采用英特爾0.25微米制程技術生產(chǎn)。
2002年1月:英特爾奔騰4處理器推出,高性能桌面臺式電腦由此可實現(xiàn)每秒鐘22億個周期運算。它采用英特爾0.13微米制程技術生產(chǎn),含有5500萬個晶體管。
2002年8月13日:英特爾透露了90納米制程技術的若干技術突破,包括高性能、低功耗晶體管,應變硅,高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應變硅。
2003年3月12日:針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平臺誕生,包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動優(yōu)化微體系架構,采用英特爾0.13微米制程技術生產(chǎn),包含7700萬個晶體管。
2005年5月26日:英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生,含有2.3億個晶體管,采用英特爾領先的90納米制程技術生產(chǎn)。
2006年7月18日:英特爾安騰2雙核處理器發(fā)布,采用世界最復雜的產(chǎn)品設計,含有2.7億個晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術生產(chǎn)。
2006年7月27日:英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管,采用英特爾65納米制程技術在世界最先進的幾個實驗室生產(chǎn)。
2006年9月26日:英特爾宣布,超過15種45納米制程產(chǎn)品正在開發(fā),面向臺式機、筆記本和企業(yè)級計算市場,研發(fā)代碼Penryn,是從英特爾酷睿微體系架構派生而出。
2007年1月8日:為擴大四核PC向主流買家的銷售,英特爾發(fā)布了針對桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個晶體管。
2007年1月29日:英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強系列多核處理器的數(shù)以億計的45納米晶體管或微小開關中用來構建絕緣“墻”和開關“門”,研發(fā)代碼Penryn。2010年11月,NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心,含30億個晶體管,采用先進的40納米工藝制造。
2011年05月05 日:英特爾成功開發(fā)世界首個3D晶體管,稱為tri-Gate。除了英特爾將3D晶體管應用于22納米工藝之后,三星,GlobalFoundries,臺積電和臺聯(lián)電都計劃將類似于Intel的3D晶體管技術應用到14納米節(jié)點上。
三、 優(yōu)越性:
同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:
構件沒有消耗
無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。
消耗電能極少
僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺晶體管收音機只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去,這對電子管收音機來說,是難以做到的。
不需預熱
一開機就工作。例如,晶體管收音機一開就響,晶體管電視機一開就很快出現(xiàn)畫面。電子管設備就做不到這一點。開機后,非得等一會兒才聽得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢的。
結實可靠
比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動,這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。
四、 分類:
1、材料
按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。
2、工藝
晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。
3、電流容量
晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。
4、工作頻率
晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。
5、封裝結構
晶體管按封裝結構可分為金屬封裝(簡稱金封)晶體管、塑料封裝(簡稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡稱玻封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。
6、按功能和用途
晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。
五、 主要參數(shù):
晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
放大系數(shù)
直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù),是指在靜態(tài)無變化信號輸入時,晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值,一般用hFE或β表示。
交流放大倍數(shù)
交流放大倍數(shù),也即交流電流放大系數(shù)、動態(tài)電流放大系數(shù),是指在交流狀態(tài)下,晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區(qū)別又關系密切,兩個參數(shù)值在低頻時較接近,在高頻時有一些差異。
耗散功率
耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。
耗散功率與晶體管的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關系。晶體管在使用時,其實際功耗不允許超過PCM值,否則會造成晶體管因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管,將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。
特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時,其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。
通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管,將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管,將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。
最高振蕩頻率fM
最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。
通常,高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα,而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。
集電極最大電流
集電極最大電流(ICM)是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時,晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會損壞。
最大反向電壓
最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。
集電極——集電極反向擊穿電壓
該電壓是指當晶體管基極開路時,其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,一般用VCEO或BVCEO表示。
基極—— 基極反向擊穿電壓
該電壓是指當晶體管發(fā)射極開路時,其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用VCBO或BVCBO表示。
發(fā)射極——發(fā)射極反向擊穿電壓
該電壓是指當晶體管的集電極開路時,其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓,用VEBO或BVEBO表示。
集電極——基極之間的反向電流ICBO
ICBO也稱集電結反向漏電電流,是指當晶體管的發(fā)射極開路時,集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感,該值越小,說明晶體管的溫度特性越好。
集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時,其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,也稱穿透電流。此電流值越小,說明晶體管的性能越好。
六、 管腳判別及放大倍數(shù)估算:
1、判別基極和管子的類型
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個管腳,黑表筆接另一個管腳,可測出兩個電阻值,然后再用紅表筆接另一個管腳,重復上述步驟,又測得一組電阻值,這樣測3次,其中有一組兩個阻值都很小的,對應測得這組值的紅表筆接的為基極,且管子是PNP型的;反之,若用黑表筆接一個管腳,重復上述做法,若測得兩個阻值都小,對應黑表筆為基極,且管子是NPN型的。
2、判別集電極
因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大(表針擺動幅度大),反接時β就小得多。因此,先假設一個集電極,用歐姆檔連接,(對NPN型管,發(fā)射極接黑表筆,集電極接紅表筆)。測量時,用手捏住基極和假設的集電極,兩極不能接觸,若指針擺動幅度大,而把兩極對調(diào)后指針擺動小,則說明假設是正確的,從而確定集電極和發(fā)射極。
3、電流放大系數(shù)β的估算
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,對NPN型管,紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測量時,只要比較用手捏住基極和集電極(兩極不能接觸),和把手放開兩種情況小指針擺動的大小,擺動越大,β值越高。
七、 代換原則:
晶體管的置換原則可概括為三條:即類型相同、特性相近、外形相似。
一、類型相同
1.材料相同。即鍺管置換鍺管,硅管置換硅管。
2.極性相同。即npn型管置換npn型管,pnp型管置換pnp型管。
二、特性相近
用于置換的晶體管應與原晶體管的特性相近,它們的主要參數(shù)值及特性曲線應相差不多。晶體管的主要參數(shù)近20個,要求所有這些參數(shù)都相近,不但困難,而且沒有必要。一般來說,只要下述主要參數(shù)相近,即可滿足置換要求。
1.集電板最大直流耗散功率(pcm)
一般要求用pcm與原管相等或較大的晶體管進行置換。但經(jīng)過計算或測試,如果原晶體管在整機電路中實際直流耗散功率遠小于其pcm,則可以用pcm較小的晶體管置換。
2.集電極最大允許直流電流(icm)
一般要求用icm與原管相等或較大的晶體管進行置換。
3.擊穿電壓
用于置換的晶體管,必須能夠在整機中安全地承受最高工作電壓;
來源:輸配電設備網(wǎng)
4.頻率特性
晶體管頻率特性參數(shù),常用的有以下2個:
(1)特征頻率ft:它是指在測試頻率足夠高時,使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)時的頻率。
(2)截止頻率fb:
在置換晶體管時,主要考慮ft與fb。通常要求用于置換的晶體管,其ft與fb,應不小于原晶體管對應的ft與fb。
5.其他參數(shù)
除以上主要參數(shù)外,對于一些特殊的晶體管,在置換時還應考慮以下參數(shù):
(1)對于低噪聲晶體管,在置換時應當用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。
(2)對于具有自動增益控制性能的晶體管,在置換時應當用自動增益控制特性相同的晶體管。
(3)對于開關管,在置換時還要考慮其開關參數(shù)。
三、外形相似
小功率晶體管一般外形均相似,只要各個電極引出線標志明確,且引出線排列順序與待換管一致,即可進行更換。大功率晶體管的外形差異較大,置換時應選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體管,以便安裝和保持正常的散熱條件。