0 引言

    數(shù)字集成電路發(fā)展初期，芯片的面積和速度是衡量芯片設(shè)計質(zhì)量的重要標準，而功耗問題并沒有引起芯片設(shè)計工作者的關(guān)注和重視。近年來，伴隨著超大規(guī)模集成電路（Very Large Scale Integration，VLSI）集成度的急劇增加、工作頻率的大幅提高，以及生產(chǎn)工藝的提升，數(shù)字芯片的功耗顯著增加。眾所周知，功耗會影響封裝和生產(chǎn)成本，同時功耗的增加還會引起電遷移等一系列問題，從而影響信號的完整性、降低芯片的可靠性。因此，功耗逐漸成為了當今數(shù)字IC設(shè)計的重要衡量標準^[1]。

    目前，數(shù)字集成電路的生產(chǎn)工藝進入了超深亞微米時代。國內(nèi)集成電路行業(yè)在生產(chǎn)工藝和設(shè)計方面都比較落后。國際方面，芯片制造商臺積電（TSMC）、GF（Global Foundry）生產(chǎn)工藝達到了7 nm水平。芯片設(shè)計商Intel、AMD、NVIDIA也逐漸投入28 nm以及更先進工藝芯片的設(shè)計工作。技術(shù)方面，芯片特征尺寸的減小給低功耗設(shè)計在系統(tǒng)級、算法級、電路級以及門級的實現(xiàn)提出了新的挑戰(zhàn)，因此現(xiàn)有的低功耗設(shè)計方法面臨著優(yōu)化和淘汰，傳統(tǒng)的基于UPF的低功耗物理設(shè)計流程設(shè)計周期長、可修復性比較差，很難保證設(shè)計的正確性，難以滿足目前大規(guī)模數(shù)字芯片快速精準開發(fā)設(shè)計的要求?，F(xiàn)階段，針對超深亞微米數(shù)字芯片的物理設(shè)計的文獻比較少，因此14 nm工藝實現(xiàn)芯片的低功耗物理設(shè)計具有現(xiàn)實意義和研究價值。

1 基于CUPF的低功耗設(shè)計流程簡介

    UPF為IEEE1801 Unified Power Format標準。數(shù)字IC設(shè)計人員將電源電壓、隔離單元以及電源開關(guān)等與功耗相關(guān)的設(shè)計約束寫入UPF文件^[2]。UPF以TCL 腳本的形式貫穿于RTL-to-GDSII設(shè)計流程的始終。

    在傳統(tǒng)的物理設(shè)計流程中，物理設(shè)計的每一個階段都會讀入UPF，即每一個設(shè)計步驟都進行相應(yīng)的低功耗優(yōu)化。IC Compiler 會讀入UPF文件，并且根據(jù)低功耗優(yōu)化引入的特殊元件，導致UPF產(chǎn)生新的連接關(guān)系從而直接修改原UPF文件。這種方式導致在物理設(shè)計的每一階段都會重新修改整個UPF，并且不利于追蹤變化。

    基于CUPF的低功耗設(shè)計流程在物理設(shè)計過程中不會因為低功耗優(yōu)化而改變原始UPF文件，而是在每一個設(shè)計階段將UPF的變化寫入SUPF（Supplement UPF）。在物理設(shè)計的開始階段，IC Compiler讀入前端網(wǎng)表（Netlist）和UPF進行芯片的布局規(guī)劃、單元放置、時鐘樹綜合以及布線工作。然而在布局優(yōu)化和時鐘優(yōu)化過程中，IC Compiler會根據(jù)時序、功耗、阻塞等因素插入或者刪除特殊單元，從而改變UPF定義的連接關(guān)系，本文將這些針對UPF的改變寫入SUPF而不是改變原始的CUPF，然后將最終的SUPF和CUPF整合在一起交付PrimetimePX等工具進行功耗分析^[3]。具體流程如圖1所示。

    基于CUPF的低功耗設(shè)計流程與基于UPF的傳統(tǒng)設(shè)計流程相比具有以下優(yōu)點和創(chuàng)新：

    (1)CUPF避免了IC Compiler在設(shè)計的每個階段讀取原始UPF并且全局修改造成的時間浪費，有助于縮短芯片物理設(shè)計周期和提高良品率。

    (2)CUPF在物理設(shè)計的每個階段只是保存了UPF發(fā)生改變的部分，而不是對原始文件進行反復修改，從而利于UPF變化追蹤，及時反饋和修改不必要的約束。

    (3)CUPF相對于UPF占用更少的存儲空間，有利于滿足龐大物理設(shè)計數(shù)據(jù)的內(nèi)存需求。

2 基于CUPF的14 nm芯片低功耗物理設(shè)計與實現(xiàn)

    本設(shè)計針對GF 14 nm工藝下GPU的fch_sata_t模塊進行低功耗設(shè)計。fch_sata_t是芯片內(nèi)部用于控制全局模塊電源開關(guān)的控制模塊，其內(nèi)部包含大約567 136個門單元，工作頻率在1.1 GHz?？紤]到數(shù)目龐大的晶體管和較高的工作頻率帶來的靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗，此模塊使用門控電源、多電源電壓和多閾值電壓等低功耗技術(shù)進行物理設(shè)計。

2.1 門控電源低功耗技術(shù)實現(xiàn)

    門控電源技術(shù)基本原理是根據(jù)芯片中各個模塊的工作情況，選擇性地控制各模塊的電源供給，減少門電路不工作時的短路電流，從而降低芯片總體的動態(tài)功耗。

    用于實現(xiàn)門控電源技術(shù)的基本單元是電源開關(guān)單元（Power Switch Cell）。同時，為了減少不同模塊在不同電源狀態(tài)下的相互干擾，需要插入隔離單元（Isolation Cell）將可掉電區(qū)域和常開區(qū)域進行隔離^[4]。電源開關(guān)單元和隔離單元如圖2所示。

2.1.1 電源開關(guān)單元的實現(xiàn)

    在UPF文件中，將門控電源低功耗中用到電源開關(guān)單元命名為SW_PD_P1，在GF14制程工藝下，利用庫元件hdpghdr2vspacexssM160D4bl作為開關(guān)電源單元，并且指定SW_PD_P1控制的電源域為PD_P1。開關(guān)電源單元在CUPF中的描述如下所示^[5]：

    create_power_switch SW_PD_P1 

    -domain PD_P1 

    -input_supply_port {vin VDDCR_SATA} 

    -output_supply_port {vout VDDINT_P1} 

    -control_port {Min u_fch_sata_A/mother_sleep/Y }

    -control_port {Din  u_fch_sata_A/daughter_sleep/Y}

    -on_state {SW_ON vin {!Min && !Din}} 

    -off_state {SW_OFF {!(!Min && !Din)}}

    map_power_switch SW_PD_P1 

    -domain PD_P1 

    -lib_cells {hdpghdr2vspacexssM160D4bl}

    上述引入的電源開關(guān)單元SW_PD_P1陣列插入DEF的方式有兩種：網(wǎng)格型和環(huán)型。網(wǎng)格型的插入方式實現(xiàn)起來比較困難，對繞線資源和時序的影響比較大，但是這種網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)點在于占用的面積比較小；環(huán)型的插入方式實現(xiàn)起來比較簡單，并且占用的繞線資源較少，不會引起繞線阻塞，但是這種網(wǎng)絡(luò)對面積的占用比較大。因為fch_sata_t面積比較小，并且門電路的使用率比較高，因此本模塊使用網(wǎng)格型電源開關(guān)的插入方式。插入方式在UPF中描述為^[6]：

    create_power_switch_array 

    -lib_cell SW_PD_P1: hdpghdr2vspacexssM160D4bl

    -bounding_box {302.145 -211.34 314.045 -200.94} 

    -x_increment 11.9

    -y_increment 10.4

    其中，-lib_cell指的是電源開關(guān)單元所用的庫元件；-bounding_box指的是電源開關(guān)單元放置的具體位置；-x_increment和-y_increment指的是相鄰的電源開關(guān)之間的橫向和縱向距離設(shè)置。當然，以上的距離參數(shù)由實際的電源條帶的分布決定。SW_PD_P1在模塊中的具體實現(xiàn)效果如圖3、圖4所示。

    由圖3可以看出，相鄰兩行的電源開關(guān)單元交錯擺放，這樣有利于提高電源開關(guān)單元的利用率。每一個電源開關(guān)單元的面積約為2.16 μm²，模塊中共用到3 685個電源開關(guān)單元，因此電源開關(guān)單元共占用7 959.6 μm²，相當于模塊1.9%的面積，滿足設(shè)計要求。

2.1.2 隔離單元的應(yīng)用    

    隔離單元是數(shù)字IC物理設(shè)計中出現(xiàn)的又一重要的物理單元（Physical Cell）。不同工作狀態(tài)的電源域不可避免的會有相互干擾，甚至有可能導致邏輯功能上的錯誤。因此，在門控電源低功耗技術(shù)的實現(xiàn)過程中，需要在電源常開區(qū)域和可關(guān)斷電源區(qū)域插入隔離單元^[7]。在placement階段，通過CUPF插入隔離單元，插入的實現(xiàn)過程如下：

    set_isolation ISO_LO_P1_GLB

    -domain PD_GLB

    -source SS_P1

    -diff_supply_only TRUE

    -isolation_power_net VDDCR_SATA

    -isolation_ground_net VSS

    -name_suffix _ISO_LO_P1_GLB

    -clamp_value 0

    set_isolation_control ISO_LO_P1_GLB

    -domain PD_GLB

    -isolation_signal   u_fch_sata_AON_0/d0nt_P/Z

    -location self

    -isolation_sense low

    map_isolation_cell   ISO_LO_P1_GLB

    -domain PD_GLB

    -lib_cells    {hdvionoclamplonxss2ul}

    可以看出在模塊中定義的隔離單元為ISO_LO_P1_GLB，其控制隔離的電壓源是PD_GLB，隔離單元的VDD來自電源條帶VDDCR_SATA，隔離單元的VSS來自電源條帶VSS。另外，UPF定義單元庫元件hdvionoclamplonxss2ul 等作為隔離單元。隔離單元在DEF里面的實現(xiàn)如圖5所示。

2.2 多電源電壓低功耗技術(shù)實現(xiàn)

    多電源電壓低功耗技術(shù)是CUPF應(yīng)用于數(shù)字IC低功耗物理設(shè)計的又一重要體現(xiàn)。

    在RTL設(shè)計階段，設(shè)計人員根據(jù)低功耗需求對芯片進行模塊劃分，UPF也會根據(jù)劃分的模塊定義相應(yīng)的電源約束。IC Compiler需要讀入UPF并且根據(jù)約束在不同模塊正確設(shè)計相應(yīng)模塊的電源結(jié)構(gòu)^[8]。在UPF中，對電源域的定義如下：

    create_power_domain DFT_AON -include_scope    

    create_power_domain DFT_AON

    -elements{vl_sms_fch_sata_t1_sms_proc_sms_1_stp

    fch_sata_t1_clken_sync  fch_sata_t1_clksms_gate

    fch_sata_t_wrck_gate}

    create_supply_net   VDDCR_SATA 

    -domain DFT_AON   -reuse

    create_supply_set   SS_DFT_AON

    -function { power VDDCR_SATA}

    -function {ground VSS}

    這里定義了名為DFT_AON的電源域用于為DFT模塊提供電源。因為-include_scope選項，IC Compiler會自動為DFT_AON電源域在DEF中映射為對應(yīng)的電壓域(voltage area)。

    對于多電源電壓設(shè)計，不同的電壓域之間需要插入電平轉(zhuǎn)換器單元（Level Shifter）。電平裝換器單元能夠過渡不同電壓域之間的切換，IC Compiler會在單元擺放階段根據(jù)UPF中關(guān)于轉(zhuǎn)換器單元的定義自動插入電平轉(zhuǎn)換單元。CUPF中關(guān)于電平轉(zhuǎn)換器單元的定義為：

    set_level_shifter

    LS_VDDCR_FCH_S5_VDDCR_FCH  -domain

    PD_VDDCR_FCH_S5 -applies_to inputs  -rule both

    -location  self 

    name_suffix   LS_VDDCR_FCH_VDDCR_FCH

    map_level_shifter_cell

    LS_VDDCR_FCH_S5_VDDCR_FCH

    -domain   PD_VDDCR_FCH_S

    -lib_cells {hdlsbf2g6011 …}

    由以上CUPF命令可得，定義了名為LS_VDDCR_FCH_S5_VDDCR_FCH的電平轉(zhuǎn)換器單元，并指定單元庫中hdlsbf2g6011等元件作為電平轉(zhuǎn)換器單元。單元所在的電源域為PD_VDDCR_FCH_S，主要功能是完成電壓VDDCR_FCH_S5到VDDCR_FCH的轉(zhuǎn)變。通常，電平轉(zhuǎn)換器單元的面積比較大，占用比較多的繞線資源，因此對時序和阻塞有一定的影響。為了盡量減少電平轉(zhuǎn)換器單元帶來的負面影響，需要規(guī)定特定的區(qū)域?qū)㈦妷恨D(zhuǎn)換器單元放置在一起，并且靠近電壓域臨界區(qū)域。Level Shifter在DEF中的分布如圖6所示。

    實現(xiàn)過程如下：

    create_bounds -name Shifter_region 

    -coordinate { -120.23  30.83  -200.65 60.72}

    -type soft  shifter_cells

3 實驗結(jié)果及分析

    本次設(shè)計針對基本14 nm工藝的fch_sata_t模塊設(shè)計，fch_sata_t是GPU中控制其他模塊電源模式的控制單元。模塊含有567 136個門電路單元、68個宏單元。fch_stat_t的DEF布局如圖7所示。

    芯片設(shè)計全過程基于本文提出的基于CUPF的設(shè)計流程，應(yīng)用了電源開關(guān)技術(shù)、多電壓電源技術(shù)以及多閾值電壓等低功耗技術(shù)。參考目前主流數(shù)字IC設(shè)計公司的驗證流程，本設(shè)計利用Synopsys的產(chǎn)品PrimetimePX進行功耗分析，并利用圖形化界面的Show Power Analysis Driver選項得到優(yōu)化前后功耗分析柱狀圖如圖8、圖9所示。

    由以上柱狀圖可以看出，優(yōu)化后模塊總功率減少了約為8.675%。其中靜態(tài)功耗即Leakage Power為7.691×10^-3 W，占總功耗的19.23%；動態(tài)功耗即Switch Power和Internal Power分別為5.652×10^-3 W與0.026 7 W，占總功耗的80.77%；總功耗約為0.039 9 W，小于設(shè)計要求的0.050 W，滿足設(shè)計要求。

4 結(jié)論

    本次設(shè)計主要對GF14 nm工藝下數(shù)字IC進行低功耗物理設(shè)計，提出全新的基于CUPF的物理設(shè)計流程，芯片中所用到的電源開關(guān)單元技術(shù)和多電源電壓技術(shù)等都是基于CUPF設(shè)計流程展開。最終經(jīng)過PrimetimePX分析表明該設(shè)計流程具有很好的魯棒性，較短的設(shè)計周期，并且芯片的功耗得到明顯降低。

參考文獻

[1] 王超，田太慶，王明江.SoC物理設(shè)計低功耗方法研究[J].微處理機.2011(02).

[2] 石玉龍，張立超，柏璐.ASIC后端設(shè)計中低功耗時鐘樹綜合方法[J].信息通信.2009(04).

[3] 李娜.UHF RFID電子標簽芯片的低功耗物理設(shè)計與時鐘樹綜合[D].西安：西安電子科技大學，2013.

[4] 賀京.基于65 nm的低功耗設(shè)計與等價性驗證[D].西安：西安電子科技大學，2013.

[5] 鐘濤，王豪才.CMOS集成電路的功耗優(yōu)化和低功耗設(shè)計技術(shù)[J].微電子學.2000(02).

[6] 高丹，劉海濤.CMOS數(shù)字電路低功耗的層次化設(shè)計[J].微電子學與計算機.2008(01).

[7] 徐芝蘭，楊蓮興.CMOS集成電路低功耗設(shè)計方法[J].微電子學.2004(03).

[8] 郝冬艷，張明，鄭偉.低功耗VLSI芯片的設(shè)計方法[J].微電子學與計算機.2007(06).

作者信息：

高  華，李  輝

(中國科學技術(shù)大學 信息科學技術(shù)學院，安徽 合肥230026)