文獻標識碼: A
文章編號: 0258-7998(2015)04-0132-04
0 引言
隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,信號的傳輸量、傳輸速度都有很大的提升,對于手持設備,從最初的2G文字時代到3G圖片時代,再到現(xiàn)在的4G視頻時代,每個時代都伴隨著新技術(shù)的產(chǎn)生。4G系統(tǒng)(即LTE系統(tǒng))是3GPP系統(tǒng)指定的下一代系統(tǒng),其兩大主要特點是多輸入輸出(Multiple Input Multiple Output,MIMO)和正交頻分復用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing,OFDM),4G系統(tǒng)可以提供高達100 Mb/s甚至更高的數(shù)據(jù)傳輸速率,不僅支持語音業(yè)務,還能支持視頻等業(yè)務。隨著傳輸速率的提高,信號的峰均比(Peak-to-Average Power Ratio,PAPR)也會提高。對于2G和3G系統(tǒng)(如WCDMA、EDGE),其PAPR約為3.5dB,但對于LTE系統(tǒng),由于采用了正交頻分復用的調(diào)制方法,其PAPR會上升到8~10 dB[1],如圖1所示。高PAPR信號會對手持設備中的功率放大器產(chǎn)生更高的需求,為了保證信號的線性度,功率放大器往往要進行功率回退,這樣降低了功率放大器的工作效率。同時一般的手持設備中的功率放大器常使用線性穩(wěn)壓電源(LDO)進行供電,功率放大器只能在達到峰值功率時提供最高效率,而大部分時間功率放大器都無法有效利用輸入的功率,無用功率會轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?,這會降低功率放大器的工作效率,使得部分電量白白損失。
為了滿足4G信號的需求,提高功率放大器的工作效率,多種技術(shù)被應用到功率放大器的設計中,這些技術(shù)大體分為兩類,一種是對功率放大器的輸入信號進行處理,一種是根據(jù)輸入信號采用開關(guān)電源代替穩(wěn)壓電源對功率放大器進行供電。文獻[2]-[4]采用了數(shù)字預失真(DPD)的方法來提高功率放大器的效率,這種方法通過產(chǎn)生一個與失真信號相反的信號并將其輸入到功率放大器,以抵消失真信號產(chǎn)生的影響,但其控制電路較為復雜,在手持設備中受面積制約。文獻[5]-[7]采用了Doherty的結(jié)構(gòu)來針對高PAPR信號,這種電路在基站中應用較為廣泛,在手持設備中的匹配較難處理。文獻[8]-[10]采用了包絡跟蹤(Envelope Tracking,ET)技術(shù),通過輸入信號的包絡變化,利用控制電路來動態(tài)調(diào)節(jié)功率放大器的漏極電壓,以降低功率放大器的靜態(tài)功耗,提高效率,這種控制電路正嘗試應用于手持設備中,但技術(shù)尚不成熟,且效率的提高不是非常明顯。本文基于文獻[10]的包絡跟蹤技術(shù),從功率放大器的需求出發(fā),通過采用線性回歸曲線方法構(gòu)建出MRF9742工作效率最大化條件下漏極電壓與輸入信號功率的曲線,并根據(jù)此曲線設計了一種開關(guān)電源以及控制電路,在工作頻率為2.35 GHz時使用開關(guān)電源比使用穩(wěn)壓電源的效率有較明顯的提升,提升的最大值為11.7%,在相同輸出功率情況下PAE比文獻[10]中提高了4.6%。
1 功率放大器供電電壓確定
本設計是針對手持設備,故功率放大器選取應用于手持設備的功率放大器芯片MRF9742,將該芯片的模型利用Agilent公司的ADS2011軟件進行仿真。先確定靜態(tài)工作點為偏置電壓取2.0 V,取電源電壓為固定值5 V,直流電流取1 mA,為了滿足LTE信號的要求,確定其工作頻率為2.35 GHz。之后利用負載牽引進行匹配電路設計,確定MRF9742功率放大器的電路圖,將該電路進行仿真,通過掃描輸入功率的變化得到如圖2所示PAE的曲線。此功放的PAE最大值為50.1%,此時對應的輸入功率為23 dBm,5 V的電源電壓能夠滿足功放的工作需求,但是當輸入功率增大時,電源電壓不能滿足功放的需求,同時當輸入功率降低時,電源電壓又會有剩余,從而有一部分的功率被白白消耗。為了使得功率放大器總能保持最大效率進行工作,可以采用開關(guān)電源對功率放大器供電,以保持功率放大器漏極電壓隨著輸入功率的變化而變化。
為了實現(xiàn)此目標,首先要確定PAE與漏極電壓的關(guān)系??梢宰屳斎牍β蔖in保持不變,動態(tài)掃描功率放大器的漏極電壓Vdd,仿真出功率放大器的功率附加效率PAE與漏極電壓Vdd的關(guān)系曲線,從曲線中找出功率附加效率最大值時對應的漏極電壓值,這樣就得到了一組Pin與Vdd的值。取Pin=20 dBm,掃描Vdd,當PAE取最大值時對應的Vdd=5.785 V,如圖3所示。同理改變Pin,繼續(xù)仿真功率放大器的功率附加效率PAE與漏極電壓Vdd的關(guān)系曲線,可以得到PAE最大時相對應的Vdd值。將PAE與Vdd的對應值利用線性回歸算法進行擬合,可以得到如圖4所示的擬合直線,即當功率放大器的漏極電壓與輸入功率滿足Vdd=0.325 5 Pin-0.47時,可以使得功放的效率最大,同時Vdd的大部分取值小于6 V,能滿足手持設備輸入功率的需求和供電電源的要求。
2 包絡跟蹤開關(guān)電源電路設計
為了提高功率放大器的工作效率,滿足擬合出來的功率放大器輸入功率Pin與Vdd的關(guān)系,可以采用包絡跟蹤的方法來進行控制電路的設計。該電路可以采集功率放大器輸入信號的包絡,并將其放大作為控制信號,將這個控制信號作為開關(guān)電源中MOS管的驅(qū)動,用來控制開關(guān)電源的占空比,進而控制開關(guān)電源的輸出電壓。由于本設計針對手持設備需要對功率放大器MRF9742進行供電,故此包絡跟蹤開關(guān)電源電路通過一個脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式的降壓電路(Buck-Convertor)來實現(xiàn)。其基本電路包括包絡檢測電路、誤差放大電路、比較電路和驅(qū)動電路等,如圖5所示。
圖5中的誤差放大電路(EA)將輸出的電壓Vdd返回值與輸入電壓Vin進行比較,經(jīng)放大產(chǎn)生一個輸出電壓VEA作為比較電路的輸入,同時誤差放電電路可以進行頻率補償以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。PWM比較電路用于比較VEA與參考電壓Vref,其輸出結(jié)果是邏輯高電平和低電平,將這兩個變化電平輸入到驅(qū)動電路中來驅(qū)動MOS管,通過控制MOS的導通時間來控制開關(guān)電源的占空比。MOS管、電感、二極管、電阻和電容構(gòu)成降壓電路的形式,其中功率放大器PA用并聯(lián)的電阻與電容來等效。為了保證電感上電流的連續(xù)性,在理想情況下降壓電路的輸入與輸出滿足如下關(guān)系:
Vdd=DVpower(1)
其中D為開關(guān)的占空比,Vpower為電源電壓。在PWM模式下,開關(guān)的周期保持不變,只是導通時間發(fā)生變化,故可以通過改變開關(guān)的導通時間來控制其占空比。根據(jù)上述得到的功率放大器的漏極電壓與輸入功率的擬合直線,可以得到:Vdd=DVpower=0.325 5 Pin-0.47。此時的包絡跟蹤控制電路的輸出電壓與輸入功率成線性關(guān)系,調(diào)節(jié)電路中各參數(shù)值以滿足此關(guān)系式。在Virtuoso中畫出PWM型降壓電路圖,如圖6、圖7所示。
3 功率放大器開關(guān)電源仿真
將該功率放大器利用變化的電源對其供電,其他參數(shù)保持不變。利用ADS軟件進行仿真,可以得到該功放的使用開關(guān)電源與穩(wěn)壓電壓對應的PAE,如圖8所示。根據(jù)圖8可得,在工作頻率為2.35 GHz時,使用開關(guān)電源的功率放大器比使用穩(wěn)壓電源的功率放大器PAE提高10%左右,提升的最大值為11.7%。表1總結(jié)了使用開關(guān)電源與穩(wěn)壓電源功率放大器的參數(shù)。
4 結(jié)論
本文通過對手機功率放大器芯片MRF9742利用負載牽引進行匹配電路設計,使其工作頻率在2.35 GHz滿足TD-LTE信號的需求。之后為了保證該功率放大器工作效率的最大化,在保持輸入功率不變的條件下,確定了此時PAE最大時漏極電壓的取值,同時利用線性回歸算法,擬合出漏極電壓與輸入功率的關(guān)系直線。為了實現(xiàn)此關(guān)系直線,在開關(guān)電源控制電路采用包絡跟蹤控制電路實現(xiàn)。最后利用ADS軟件進行仿真,可以得到該功率放大器使用開關(guān)電源供電時比使用穩(wěn)壓電源供電時效率提高10%左右,提升最大值為11.7%,這樣可以提高電源的使用效率,從而延長手持設備的使用時間。
參考文獻
[1] CHOI J,KIM D,KANG D,et al.Envelope tracking power amplifier robust to battery depletion[C].2010 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.Anaheim,CA,2010:1.
[2] PRESTI C,METZGER A G,BANBROOK H M,et al.Effi-ciency improvement of a handset WCDMA PA module usingadaptive digital pre-distortion[C].2010 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.Anaheim,CA,2010:23-28.
[3] PRESTI C,KIMBLL D F,ASBECK P M.Closed-loop digitalpre-distortion system with fast real-time adaptation appliedto a handset WCDMA PA module[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2012,60(3):604-618.
[4] Liu Ying,Pan Wensheng,Shao Shihai,et al.A new digital pre-distortion using indirect learning with constrained feed-back bandwidth for wideband power amplifiers[C].2014 IEEE MTT-S InternationalMicrowave Symposium(IMS).Tam-pa,F(xiàn)L,2014:1-3.
[5] MUSOIFF C,KAMPER M,CHAHINE Z,et al.Linear and efficient doherty PA revisited[J].IEEE Microwave Magazine,2014,15(1):73-79.
[6] CHO Y,KANG D,KIM J,et al.Linear doherty power amplifier with an enhanced back-off efficiency mode for handset applications[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2014,62(3):567-578.
[7] KANG D,KIM D,CHO Y,et al.1.6-2.1 GHz broadband doherty power amplifiers for LTE handset applications[C].2011 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.Baltimore,MD,2011:1-4.
[8] KIM J,KIM D,CHO Y,et al.Envelope-tracking two-stagepower amplifier with dual-mode supply modulator for LTE applications[J].IEEE Transactions on Microwave Theory andTechniques,2012,61(1):543-552.
[9] Li Yan,LOPEZ J,WU P H,et al.A SiGe envelope-track-ing power amplifier with an integrated CMOS envelope modulator for mobile WiMax/3GPP LTE transmitters[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2011,59(10):2525-2536.
[10] Li Yan,LOPEZ J,SCHECHT C,et al.Design of high effic-iency monolithic power amplifier with envelope-tracking andtransistor resizing for broadband wireless applications[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2012,47(9):2007-2018.