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IBM在硅上“嫁接”化合物半導(dǎo)體

2015-06-15

       IBM公司的瑞士蘇黎世研究所開(kāi)發(fā)出了可在硅元件上生長(zhǎng)出幾乎沒(méi)有晶體缺陷的化合物半導(dǎo)體晶體納米線的技術(shù)。

QQ截圖20150614194639.png

  納米線的SEM圖,利用TASE技術(shù)、像嫁接一樣在硅納米線上制作而成的化合物半導(dǎo)體單晶硅組成納米線。硅部分用綠色表示,化合物半導(dǎo)體部分用紅色表示。(圖片:海因茨·施密德/IBM)(點(diǎn)擊放大)

  這可以說(shuō)是一種雖然以Si/CMOS技術(shù)為基礎(chǔ),卻無(wú)需依靠微細(xì)化就能提高半導(dǎo)體性能的方法。IBM將其定位于可延續(xù)摩爾定律的技術(shù),同時(shí)也將其視為一項(xiàng)有望實(shí)現(xiàn)可在硅上形成光學(xué)電路的硅光子的技術(shù)。

  IBM此次開(kāi)發(fā)的技術(shù)名為“模板輔助選擇性外延”(Template-Assisted Selective Epitaxy,TASE”,是像嫁接一樣在SOI(silicon-on-insulator,絕緣體上硅片)基板上形成的硅納米線(NW)上形成III-V族化合物半導(dǎo)體NW的技術(shù)。具體方法是,先在SOI晶圓上形成一種模板,然后像鑄造一樣,讓化合物半導(dǎo)體流入模板,使其晶體生長(zhǎng)。IBM已于2013年發(fā)布了采用這種TASE技術(shù)在基板上垂直形成化合物半導(dǎo)體NW的技術(shù),而此次是在基板上平行形成NW。

  化合物半導(dǎo)體NW的形成方法大致有以下幾個(gè)步驟:(1)在(100)晶面SOI基板上形成25~50nm厚的硅層,并采用電子束光刻技術(shù)形成圖案,然后再形成形狀幾乎與最終形成的NW相同的硅NW。

  (2)采用原子層沉積(ALD)技術(shù)在硅NW上形成30nm厚的SiO2層。不過(guò),NW的頂端要預(yù)先采用蝕刻等技術(shù)除去SiO2。其他SiO2層則會(huì)變成化合物半導(dǎo)體NW的模板。

 ?。?)采用蝕刻法從(2)的開(kāi)口部除去模板中的部分硅NW。剩余的硅結(jié)晶面變成(111)晶面。然后,采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)讓化合物半導(dǎo)體的晶體在模板中生長(zhǎng)。

 ?。?)利用氟化氫(HF)水溶液蝕刻去除之前變成模板的SiO2。通過(guò)以上步驟,便會(huì)得到一種好像在硅NW末端嫁接了化合物半導(dǎo)體NW一樣的元件。

  據(jù)相關(guān)論文介紹,采用該技術(shù)在SOI晶圓上制作的化合物半導(dǎo)體NW具有非常高的結(jié)晶品質(zhì)。比如砷化銦(InAs)NW,運(yùn)用霍爾效應(yīng)測(cè)量法獲得的載流子遷移率在室溫下高達(dá)5400cm2/Vs。論文稱,“這有力地證明,制作出來(lái)的NW幾乎沒(méi)有晶體缺陷”。論文的第一作者、IBM蘇黎世研究所研究員海因茨·施密德(Heinz Schmid)也認(rèn)為,“沒(méi)有缺陷是該技術(shù)有別于在硅晶圓上讓化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)的其他技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)”。


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