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飛兆半導(dǎo)體單一P溝道PowerTrench® MOSFET 具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

專為手機(jī)、超便攜應(yīng)用中的電池或負(fù)載開關(guān)而設(shè)計(jì)
2012-02-23
作者:飛兆半導(dǎo)體公司
關(guān)鍵詞: MOS|IGBT|元器件

 

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench® MOSFET器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求。

FDMA905PFDME905PT是具有低導(dǎo)通阻抗的MOSFET,這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸,也非常適合線性模式應(yīng)用。要了解更多的信息或訂購樣品,請?jiān)L問公司網(wǎng)頁:http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html, http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME905PT.html

特性和優(yōu)勢

FDMA905P:

·          采用2mmx 2mm MicroFET™ 封裝,器件高度– 最大0.8mm

·          確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A)

·          具有出色的散熱性能(RΘJA =52 ℃/W)

FDME905PT:

·        采用1.6mmx 1.6mm 薄型MicroFET封裝,器件高度– 最大0.55mm

·        確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A)

·        具有出色的散熱性能(RΘJA =60 ℃/W)

FDMA905PFDME905PT不含鹵化物和氧化銻,滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運(yùn)作,適用于手機(jī)和超便攜設(shè)備。

飛兆半導(dǎo)體是便攜技術(shù)的領(lǐng)先廠商,提供可定制的豐富的模擬和功率IP產(chǎn)品系列以滿足特定的設(shè)計(jì)需求,以實(shí)現(xiàn)“解決方案助您成功”的目標(biāo)。通過將先進(jìn)的電路技術(shù)集成在微型高級封裝中,飛兆半導(dǎo)體為便攜產(chǎn)品用戶提供了重要的優(yōu)勢,同時能夠減小設(shè)計(jì)的尺寸、成本和功率。飛兆半導(dǎo)體的便攜IP業(yè)已用于現(xiàn)今大部分手機(jī)中。

獲得飛兆半導(dǎo)體便攜解決方案的更多信息,請?jiān)L問飛兆半導(dǎo)體網(wǎng)頁:http://www.fairchildsemi.com/applications/diagrams/mobile.html

飛兆半導(dǎo)體:解決方案助您成功!

價格:訂購1,000個

FDMA905P  每個0.29美元

FDME905PT       每個0.26美元

供貨:按請求提供樣品

交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi)

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