《電子技術(shù)應(yīng)用》
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V頻段波導(dǎo)-微帶的對(duì)脊鰭線過(guò)渡仿真設(shè)計(jì)
來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用2011年第9期
黃 鶴1, 趙春暉1, 朱 燕2, 李 翔3
1. 西北工業(yè)大學(xué),陜西 西安 710072; 2. 安康學(xué)院, 陜西 西安725000; 3. 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所, 河北 石家莊050051
摘要: 利用純電磁場(chǎng)仿真軟件CST仿真分析了V頻段對(duì)脊鰭線微帶波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)和性能,得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線,并根據(jù)曲線設(shè)計(jì)了波導(dǎo)-微帶過(guò)渡,對(duì)仿真過(guò)程進(jìn)行了優(yōu)化。仿真結(jié)果表明,在V頻段內(nèi)單個(gè)過(guò)渡插入損耗和背靠背過(guò)渡插入損耗均小于0.3 dB。這種緊湊的過(guò)渡模型不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、尺寸短小,而且可以在寬頻帶范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)較低的插入損耗和回波損耗,方便工程應(yīng)用。
中圖分類號(hào): TN631
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2011)09-111-03
Simulation of waveguide-to-microstrip antipodal finline transition in V-band
Huang He1, Zhao Chunhui1, Zhu Yan2, Li Xiang3
1.Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China; 2. Ankang University, Ankang 725000, China) (3. The 13th Research Institute of CETC, Shijiazhuang 050051,China
Abstract: A V-band antipodal finline waveguide-to-microstrip transition was analyzed and simulated by CST Microwave studio software. The several factors of simulation result for affecting performance of transition are analyzed and a design curve of transition available for project application is obtained. Based on the curve, the waveguide-to-microstrip transition is designed. The insertion loss of transition is below 0.3 dB in the V-band. Experimental results coincide well with the design curve. This compact transition has low insertion loss, low reflection performance in wide band, as well as small and compact structure size. It is useful in engineering application.
Key words : waveguide; microstrip; transition; antipodal finline


    隨著毫米波技術(shù)在無(wú)線通信和雷達(dá)系統(tǒng)中應(yīng)用的不斷增多,一種十分重要的傳輸媒介——微帶線在現(xiàn)有毫米波集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用[1-3]。現(xiàn)在,各種毫米波集成系統(tǒng)之間的連接以及毫米波測(cè)試系統(tǒng)和器件大多仍采用金屬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。因此,波導(dǎo)到微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)性能的優(yōu)劣便成為影響系統(tǒng)特性的關(guān)鍵因素之一。本文主要對(duì)V頻段下波導(dǎo)-對(duì)脊鰭線-微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真設(shè)計(jì)。
1 波導(dǎo)-微帶的對(duì)脊鰭線過(guò)渡的基本原理
 目前,所有毫米波檢測(cè)設(shè)備大多以標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)作為其輸入的RF接口,因而平面集成電路性能檢測(cè)都必須通過(guò)具有帶寬特性的過(guò)渡裝置來(lái)完成。對(duì)這些過(guò)渡裝置的基本要求是[4]:
 (1)能夠完成需要過(guò)渡轉(zhuǎn)換的兩種微波傳輸線之間的模式轉(zhuǎn)換;
 (2)在所需頻率的帶寬范圍內(nèi),阻抗匹配要好;
   (3)電路結(jié)構(gòu)便于加工制作,尺寸?。?br/>    (4)裝卸容易,具有良好的重復(fù)性和一致性。
 波導(dǎo)到微帶的過(guò)渡要求傳輸損耗低,駐波小,回波損耗小,應(yīng)有足夠的頻帶寬度,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,加工和安裝容易。MEIER P J提出了便于制作新型毫米波混合集成電路的準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu)——鰭線[5]。把鰭線看成一種準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu),是由于它的整個(gè)電路圖形包括有源器件在內(nèi)都并入在一塊介質(zhì)平板上,而其電路設(shè)計(jì)又要考慮到金屬波導(dǎo)盒的影響。對(duì)脊鰭線模型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、插損小、安裝方便等特點(diǎn),過(guò)渡方向與電路一致,在寬頻帶內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)較好的過(guò)渡性能,而且可以通過(guò)調(diào)節(jié)中間諧振塊的大小使諧振頻率遠(yuǎn)離輸出頻率,是目前普遍采用的波導(dǎo)-微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)。通過(guò)適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì),就可保證鰭線中傳播的主模為準(zhǔn)TE10模。
     圖1所示為經(jīng)典的波導(dǎo)-對(duì)脊鰭線-微帶過(guò)渡。在整個(gè)過(guò)渡段長(zhǎng)度l內(nèi),兩個(gè)金屬鰭放置在基片兩面以組成一個(gè)圓弧型漸變段。圓弧之外,一個(gè)鰭用作微帶接地面,并與波導(dǎo)下部相連,而且其短接點(diǎn)與過(guò)渡相隔一微小距離。過(guò)渡特性取決于圓弧半徑R。電路中所附加的金屬面S起抑制諧振的作用,因?yàn)樵诠ぷ黝l段內(nèi)漸變下面的無(wú)金屬區(qū)可能出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。
    在波導(dǎo)-對(duì)脊鰭線-微帶過(guò)渡電路的實(shí)現(xiàn)中,對(duì)脊鰭線過(guò)渡的漸變形式有許多種,例如指數(shù)線過(guò)渡、拋物線過(guò)渡、余弦平方線過(guò)渡等,這幾種漸變線的長(zhǎng)度與反射系數(shù)的模的關(guān)系如圖2所示。其中,在工程上采用余弦平方漸變方式較為普遍。
2 V頻段波導(dǎo)-微帶線對(duì)脊鰭線過(guò)渡的仿真
2.1過(guò)渡設(shè)計(jì)

 在矩形波導(dǎo)-鰭線過(guò)渡器中,即使鰭線漸變線已實(shí)現(xiàn)最佳設(shè)計(jì),漸變段本身也不能提供對(duì)矩形空波導(dǎo)的理想匹配,這是因?yàn)樵跐u變段末端的基片與空波導(dǎo)接口處的不連續(xù)所致。接口處阻抗不連續(xù)性的數(shù)值取決于基片厚度d和它的相對(duì)介電常數(shù)?著r。對(duì)于毫米波頻段通常使用的RT/Duroid5880介質(zhì)基片,因基片的介電常數(shù)和厚度都較小,不連續(xù)性的影響不大,在過(guò)渡電路的工程設(shè)計(jì)中,可以忽略它的影響。對(duì)脊鰭線過(guò)渡段通常采用余弦平方的過(guò)渡形式,其設(shè)計(jì)公式[4]為:
 
式(1)中,w為50 Ω微帶線的寬度,z為鰭線傳輸線的縱向坐標(biāo);b為波導(dǎo)高度;l為過(guò)渡段長(zhǎng)度。
     在設(shè)計(jì)中, 尺寸較大的過(guò)渡結(jié)構(gòu)可以保證過(guò)渡性能, 過(guò)渡的長(zhǎng)度越長(zhǎng),反射系數(shù)越小。但設(shè)計(jì)人員都希望過(guò)渡段越短越好,但尺寸過(guò)短又會(huì)因端口的反射系數(shù)較大而導(dǎo)致回波損耗顯著增加。所以這里選擇一個(gè)合理的過(guò)渡長(zhǎng)度,在允許的反射系數(shù)下獲得最短的過(guò)渡長(zhǎng)度,對(duì)過(guò)渡特性有很重要的影響,這里采取折衷的辦法,一般l取1.5 λ0左右。而金屬塊與鰭間的距離大小對(duì)傳輸性能影響不大,但對(duì)回波損耗有明顯的影響。
       對(duì)于V頻段6 mm波導(dǎo)-微帶的過(guò)渡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),采用WR-19(a=4.77 mm,b=2.38 mm)矩形波導(dǎo),取50 Ω帶線,介質(zhì)基片采用RT-duroid 5880材料(相對(duì)介電常數(shù)εr=2.22),基片厚度為h=0.254 mm,金屬條帶厚度t=0.017 mm,用軟件算出微帶線寬度w=0.79 mm。
2.2 仿真結(jié)果
    為了對(duì)所構(gòu)建的模型較快應(yīng)用于工程實(shí)踐,利用三維仿真軟件CST Microwave studio對(duì)所設(shè)計(jì)的過(guò)渡進(jìn)行了計(jì)算機(jī)仿真,設(shè)置中心頻率為60 GHz。仿真模型及結(jié)果如圖3所示。

  在此基礎(chǔ)上,利用已經(jīng)仿真好的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)單個(gè)波導(dǎo)-對(duì)脊鰭線-微帶過(guò)渡構(gòu)建背靠背結(jié)構(gòu)電路模型,如圖4所示。

    從仿真結(jié)果看出,單個(gè)過(guò)渡通帶平坦,插入損耗小,在58 GHz~61 GHz頻帶范圍內(nèi),單個(gè)過(guò)渡插入損耗小于0.3 dB,回波損耗大于15 dB;背靠背過(guò)渡插入損耗小于0.3 dB,回波損耗大于10 dB。對(duì)比兩個(gè)仿真結(jié)果,單個(gè)過(guò)渡的S參數(shù)曲線比較平滑,而背靠背的S參數(shù)S11及S21都出現(xiàn)了波動(dòng)變化,在仿真結(jié)果中出現(xiàn)多個(gè)諧振點(diǎn)。這是因?yàn)閮蓚€(gè)端口反射波的相位不同相互疊加產(chǎn)生的。另外,在仿真結(jié)果不好時(shí),可以優(yōu)化半圓弧的位置或半徑。在優(yōu)化網(wǎng)格時(shí),首先可不加密,開始仿真時(shí)如圖5所示,產(chǎn)生一個(gè)粗糙的初始網(wǎng)格結(jié)果,然后再加密,選上Adaptive mesh refinement,在屬性中一般選擇最小2個(gè)passes,最多選4個(gè)passes,如圖6所示。結(jié)果不是很理想時(shí),還可以對(duì)每一個(gè)參數(shù)進(jìn)行掃描,即選定一個(gè)參數(shù)作為掃描對(duì)象,將該參數(shù)設(shè)定一個(gè)范圍,在該范圍內(nèi)進(jìn)行掃描,從掃描結(jié)果中選出所能達(dá)到的最優(yōu)的仿真結(jié)果,這個(gè)結(jié)果所對(duì)應(yīng)的就是該參數(shù)的最好的值。

    隨著微波毫米波器件的出現(xiàn)和系統(tǒng)越來(lái)越小型化和集成化的要求,尺寸精簡(jiǎn)、性能優(yōu)越的過(guò)渡結(jié)構(gòu)越來(lái)越重要。本文利用CST仿真分析了V頻段對(duì)脊鰭線微帶波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)和性能,并對(duì)該電路結(jié)構(gòu)在V頻段進(jìn)行三維電磁場(chǎng)仿真優(yōu)化,能得到理想的尺寸。仿真結(jié)果證明,該結(jié)構(gòu)能在寬頻帶達(dá)到良好的過(guò)渡效果,V頻段內(nèi)單個(gè)過(guò)渡插入損耗和背靠背過(guò)渡插入損耗均小于0.3 dB,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊、尺寸小、易于工程上的裝配和批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
參考文獻(xiàn)
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